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Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS Formel

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Der Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren. Überprüfen Sie FAQs

k' p = μ p \cdot C ox

k'_p - Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten?μ_p - Beweglichkeit von Löchern im Kanal?C_ox - Oxidkapazität?

Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS aus:.

2.128 = 2.66 \cdot 0.0008

2.128mS = 2.66m²/V*s \cdot 0.0008F

2.128 = 2.66 \cdot 0.0008

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

k' p = μ p \cdot C ox

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

k' p = 2.66m²/V*s \cdot 0.0008F

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

k' p = 2.66 \cdot 0.0008

Nächster Schritt Auswerten

∴

k' p = 0.002128S

Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

k' p = 2.128mS

Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS Formel Elemente

Variablen

Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten

Der Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.

Symbol: k'_p

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten

Beweglichkeit von Löchern im Kanal

Die Beweglichkeit von Löchern im Kanal hängt von verschiedenen Faktoren ab, wie z. B. der Kristallstruktur des Halbleitermaterials, dem Vorhandensein von Verunreinigungen, der Temperatur,

Symbol: μ_p

Messung: MobilitätEinheit: m²/V*s

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Beweglichkeit von Löchern im Kanal

Oxidkapazität

Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.

Symbol: C_ox

Messung: KapazitätEinheit: F

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Oxidkapazität

Andere Formeln in der Kategorie P-Kanal-Verbesserung

ge Drainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

ge Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

ge Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

ge Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

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Wie wird Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS ausgewertet?

Der Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS-Evaluator verwendet Process Transconductance Parameter in PMOS = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Oxidkapazität, um Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten, Der Prozess-Transkonduktanz-Parameter von PMOS ist das Produkt der Beweglichkeit von Löchern im Kanal und der Oxidkapazität auszuwerten. Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten wird durch das Symbol k'_p gekennzeichnet.

Wie wird Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS zu verwenden, geben Sie Beweglichkeit von Löchern im Kanal (μ_p) & Oxidkapazität (C_ox) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS

Wie lautet die Formel zum Finden von Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS?

Die Formel von Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS wird als Process Transconductance Parameter in PMOS = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Oxidkapazität ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 2128 = 2.66*0.0008.

Wie berechnet man Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS?

Mit Beweglichkeit von Löchern im Kanal (μ_p) & Oxidkapazität (C_ox) können wir Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS mithilfe der Formel - Process Transconductance Parameter in PMOS = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Oxidkapazität finden.

Kann Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS negativ sein?

Ja, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS verwendet?

Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS wird normalerweise mit Millisiemens[mS] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS gemessen werden kann.

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