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Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren. Überprüfen Sie FAQs
k'n=gm22WLid
k'n - Transkonduktanzparameter verarbeiten?gm - Steilheit?WL - Seitenverhältnis?id - Stromverbrauch?

Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom aus:.

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Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
k'n=gm22WLid
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
k'n=0.5mS220.10.08mA
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
k'n=0.0005S220.18E-5A
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
k'n=0.0005220.18E-5
Nächster Schritt Auswerten
k'n=0.015625A/V²
Letzter Schritt Rundungsantwort
k'n=0.0156A/V²

Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom Formel Elemente

Variablen
Transkonduktanzparameter verarbeiten
Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Symbol: k'n
Messung: SteilheitsparameterEinheit: A/V²
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Steilheit
Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Symbol: gm
Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Seitenverhältnis
Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle
Symbol: WL
Messung: NAEinheit: Unitless
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Stromverbrauch
Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.
Symbol: id
Messung: Elektrischer StromEinheit: mA
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Andere Formeln zum Finden von Transkonduktanzparameter verarbeiten

​ge MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparameters
k'n=gmWL(Vgs-Vth)
​ge MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung von Prozess-Transkonduktanzparameter und Übersteuerungsspannung
k'n=gmWLVov

Andere Formeln in der Kategorie Steilheit

​ge Strom mithilfe der Transkonduktanz ableiten
id=(Vov)gm2
​ge Steilheit bei gegebenem Drain-Strom
gm=2k'nWLid
​ge Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter
gm=k'nWL(Vgs-Vth)
​ge Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage
gm=k'nWLVov

Wie wird Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom ausgewertet?

Der Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom-Evaluator verwendet Process Transconductance Parameter = Steilheit^2/(2*Seitenverhältnis*Stromverbrauch), um Transkonduktanzparameter verarbeiten, Die Transkonduktanz des Prozesses hängt von der gegebenen Transkonduktanz und dem Drainstrom ab. Quadrat aus Transkonduktanz und Drainstrom auszuwerten. Transkonduktanzparameter verarbeiten wird durch das Symbol k'n gekennzeichnet.

Wie wird Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom zu verwenden, geben Sie Steilheit (gm), Seitenverhältnis (WL) & Stromverbrauch (id) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom

Wie lautet die Formel zum Finden von Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom?
Die Formel von Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom wird als Process Transconductance Parameter = Steilheit^2/(2*Seitenverhältnis*Stromverbrauch) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.015625 = 0.0005^2/(2*0.1*8E-05).
Wie berechnet man Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom?
Mit Steilheit (gm), Seitenverhältnis (WL) & Stromverbrauch (id) können wir Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom mithilfe der Formel - Process Transconductance Parameter = Steilheit^2/(2*Seitenverhältnis*Stromverbrauch) finden.
Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Transkonduktanzparameter verarbeiten?
Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Transkonduktanzparameter verarbeiten-
  • Process Transconductance Parameter=Transconductance/(Aspect Ratio*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage))OpenImg
  • Process Transconductance Parameter=Transconductance/(Aspect Ratio*Overdrive Voltage)OpenImg
Kann Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom negativ sein?
Ja, der in Steilheitsparameter gemessene Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom kann dürfen negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom verwendet?
Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom wird normalerweise mit Ampere pro Quadratvolt[A/V²] für Steilheitsparameter gemessen. Milliampere pro Quadratvolt[A/V²], Mikroampere pro Quadratvolt[A/V²] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom gemessen werden kann.
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