FormulaDen.com

Physik Chemie Mathe Chemieingenieurwesen Bürgerlich Elektrisch Elektronik Elektronik und Instrumentierung Materialwissenschaften Mechanisch Fertigungstechnik Finanz Gesundheit

PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI Formel

Fx Kopieren

LaTeX Kopieren

Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Drain ist definiert als die Ausdehnung des Verarmungsbereichs in das Halbleitermaterial in der Nähe des Drain-Anschlusses. Überprüfen Sie FAQs

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot N A}) \cdot (Ø 0 + V ds)}

x_dD - Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss?N_A - Akzeptorkonzentration?Ø₀ - Eingebaute Anschlussspannung?V_ds - Drain-to-Source-Potenzial?[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium?[Permitivity-vacuum] - Permittivität des Vakuums?[Charge-e] - Ladung eines Elektrons?

PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI aus:.

0.5345 = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+16}) \cdot (0.76 + 1.45)}

0.5345μm = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

0.5345 = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+16}) \cdot (0.76 + 1.45)}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

Berechnung

Neu berechnen

Lösung

Kopieren

Zurücksetzen

Aktie

Sie sind hier -

Heim » Category

Maschinenbau » Category

Elektronik » Category

VLSI-Herstellung » fx PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI

PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot N A}) \cdot (Ø 0 + V ds)}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+221/m³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+22}) \cdot (0.76 + 1.45)}

Nächster Schritt Auswerten

∴

x dD = 5.34466520692296E-07m

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

x dD = 0.534466520692296μm

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

x dD = 0.5345μm

PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI Formel Elemente

Variablen

Konstanten

Funktionen

Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss

Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Drain ist definiert als die Ausdehnung des Verarmungsbereichs in das Halbleitermaterial in der Nähe des Drain-Anschlusses.

Symbol: x_dD

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss

Akzeptorkonzentration

Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.

Symbol: N_A

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/cm³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Akzeptorkonzentration

Eingebaute Anschlussspannung

Die eingebaute Übergangsspannung ist definiert als die Spannung, die an einem Halbleiterübergang im thermischen Gleichgewicht anliegt, an dem keine externe Spannung angelegt wird.

Symbol: Ø₀

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Eingebaute Anschlussspannung

Drain-to-Source-Potenzial

Drain-Source-Potenzial ist das Potenzial zwischen Drain und Source.

Symbol: V_ds

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Drain-to-Source-Potenzial

Permittivität von Silizium

Die Permittivität von Silizium misst seine Fähigkeit, elektrische Energie in einem elektrischen Feld zu speichern, was in der Halbleitertechnologie von entscheidender Bedeutung ist.

Symbol: [Permitivity-silicon]

Wert: 11.7

Permittivität des Vakuums

Die Permittivität des Vakuums ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die Fähigkeit eines Vakuums beschreibt, die Übertragung elektrischer Feldlinien zu ermöglichen.

Symbol: [Permitivity-vacuum]

Wert: 8.85E-12 F/m

Ladung eines Elektrons

Die Ladung eines Elektrons ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die elektrische Ladung eines Elektrons darstellt, bei dem es sich um ein Elementarteilchen mit einer negativen elektrischen Ladung handelt.

Symbol: [Charge-e]

Wert: 1.60217662E-19 C

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

Andere Formeln in der Kategorie VLSI-Materialoptimierung

ge Body-Effect-Koeffizient

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

ge Kanalladung

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

ge Kritische Spannung

V x = E x \cdot E ch

ge DIBL-Koeffizient

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Mehr sehen OpenImg

Wie wird PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI ausgewertet?

Der PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI-Evaluator verwendet P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Akzeptorkonzentration))*(Eingebaute Anschlussspannung+Drain-to-Source-Potenzial)), um Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss, Die PN-Junction-Verarmungstiefe mit Drain-VLSI-Formel ist definiert als die Ausdehnung des Verarmungsbereichs in das Halbleitermaterial in der Nähe des Drain-Anschlusses auszuwerten. Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss wird durch das Symbol x_dD gekennzeichnet.

Wie wird PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI zu verwenden, geben Sie Akzeptorkonzentration (N_A), Eingebaute Anschlussspannung (Ø₀) & Drain-to-Source-Potenzial (V_ds) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI

Wie lautet die Formel zum Finden von PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI?

Die Formel von PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI wird als P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Akzeptorkonzentration))*(Eingebaute Anschlussspannung+Drain-to-Source-Potenzial)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 534466.5 = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*1E+22))*(0.76+1.45)).

Wie berechnet man PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI?

Mit Akzeptorkonzentration (N_A), Eingebaute Anschlussspannung (Ø₀) & Drain-to-Source-Potenzial (V_ds) können wir PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI mithilfe der Formel - P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Akzeptorkonzentration))*(Eingebaute Anschlussspannung+Drain-to-Source-Potenzial)) finden. Diese Formel verwendet auch die Funktion(en) Permittivität von Silizium, Permittivität des Vakuums, Ladung eines Elektrons Konstante(n) und Quadratwurzel (sqrt).

Kann PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI negativ sein?

NEIN, der in Länge gemessene PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI verwendet?

PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI wird normalerweise mit Mikrometer[μm] für Länge gemessen. Meter[μm], Millimeter[μm], Kilometer[μm] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI gemessen werden kann.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI Formel

PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI Beispiel

PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI Lösung

PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI Formel Elemente

Andere Formeln in der Kategorie VLSI-Materialoptimierung

Wie wird PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI ausgewertet?

FAQs An PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI

Variable Name