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PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI Formel

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Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Quelle ist definiert als der Bereich um einen PN-Übergang, in dem Ladungsträger aufgrund der Bildung eines elektrischen Feldes verarmt sind. Überprüfen Sie FAQs

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot Ø 0}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dS - Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle?Ø₀ - Eingebaute Anschlussspannung?N_A - Akzeptorkonzentration?[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium?[Permitivity-vacuum] - Permittivität des Vakuums?[Charge-e] - Ladung eines Elektrons?

PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI aus:.

0.3134 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 0.76}{1.6E-19 \cdot 1E+16}}

0.3134μm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 0.76V}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}}

0.3134 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 0.76}{1.6E-19 \cdot 1E+16}}

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PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot Ø 0}{[Charge-e] \cdot N A}}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 0.76V}{[Charge-e] \cdot 1E+161/cm³}}

Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 0.76V}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 0.76V}{1.6E-19C \cdot 1E+221/m³}}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 0.76}{1.6E-19 \cdot 1E+22}}

Nächster Schritt Auswerten

∴

x dS = 3.13423217933622E-07m

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

x dS = 0.313423217933622μm

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

x dS = 0.3134μm

PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI Formel Elemente

Variablen

Konstanten

Funktionen

Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle

Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Quelle ist definiert als der Bereich um einen PN-Übergang, in dem Ladungsträger aufgrund der Bildung eines elektrischen Feldes verarmt sind.

Symbol: x_dS

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle

Eingebaute Anschlussspannung

Die eingebaute Übergangsspannung ist definiert als die Spannung, die an einem Halbleiterübergang im thermischen Gleichgewicht anliegt, an dem keine externe Spannung angelegt wird.

Symbol: Ø₀

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Eingebaute Anschlussspannung

Akzeptorkonzentration

Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.

Symbol: N_A

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/cm³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Akzeptorkonzentration

Permittivität von Silizium

Die Permittivität von Silizium misst seine Fähigkeit, elektrische Energie in einem elektrischen Feld zu speichern, was in der Halbleitertechnologie von entscheidender Bedeutung ist.

Symbol: [Permitivity-silicon]

Wert: 11.7

Permittivität des Vakuums

Die Permittivität des Vakuums ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die Fähigkeit eines Vakuums beschreibt, die Übertragung elektrischer Feldlinien zu ermöglichen.

Symbol: [Permitivity-vacuum]

Wert: 8.85E-12 F/m

Ladung eines Elektrons

Die Ladung eines Elektrons ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die elektrische Ladung eines Elektrons darstellt, bei dem es sich um ein Elementarteilchen mit einer negativen elektrischen Ladung handelt.

Symbol: [Charge-e]

Wert: 1.60217662E-19 C

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

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Wie wird PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI ausgewertet?

Der PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI-Evaluator verwendet P-n Junction Depletion Depth with Source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Eingebaute Anschlussspannung)/([Charge-e]*Akzeptorkonzentration)), um Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle, Die VLSI-Formel „PN Junction Depletion Depth with Source“ ist definiert als der Bereich um einen PN-Übergang, in dem Ladungsträger aufgrund der Bildung eines elektrischen Feldes verarmt sind auszuwerten. Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle wird durch das Symbol x_dS gekennzeichnet.

Wie wird PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI zu verwenden, geben Sie Eingebaute Anschlussspannung (Ø₀) & Akzeptorkonzentration (N_A) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI

Wie lautet die Formel zum Finden von PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI?

Die Formel von PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI wird als P-n Junction Depletion Depth with Source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Eingebaute Anschlussspannung)/([Charge-e]*Akzeptorkonzentration)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 313423.2 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*0.76)/([Charge-e]*1E+22)).

Wie berechnet man PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI?

Mit Eingebaute Anschlussspannung (Ø₀) & Akzeptorkonzentration (N_A) können wir PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI mithilfe der Formel - P-n Junction Depletion Depth with Source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Eingebaute Anschlussspannung)/([Charge-e]*Akzeptorkonzentration)) finden. Diese Formel verwendet auch die Funktion(en) Permittivität von Silizium, Permittivität des Vakuums, Ladung eines Elektrons Konstante(n) und Quadratwurzel (sqrt).

Kann PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI negativ sein?

NEIN, der in Länge gemessene PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI verwendet?

PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI wird normalerweise mit Mikrometer[μm] für Länge gemessen. Meter[μm], Millimeter[μm], Kilometer[μm] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI gemessen werden kann.

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