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Oxidkapazität von NMOS Formel

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Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise. Überprüfen Sie FAQs

C ox = \frac{3.45 \cdot 10^{- 11}}{t ox}

C_ox - Oxidkapazität?t_ox - Oxiddicke?

Oxidkapazität von NMOS Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Oxidkapazität von NMOS aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Oxidkapazität von NMOS aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Oxidkapazität von NMOS aus:.

2.0294 = \frac{3.45 \cdot 10^{- 11}}{17}

2.0294μF = \frac{3.45 \cdot 10^{- 11}}{17μm}

2.0294 = \frac{3.45 \cdot 10^{- 11}}{17}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Oxidkapazität von NMOS Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Oxidkapazität von NMOS?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

C ox = \frac{3.45 \cdot 10^{- 11}}{t ox}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

C ox = \frac{3.45 \cdot 10^{- 11}}{17μm}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

C ox = \frac{3.45 \cdot 10^{- 11}}{1.7E-5m}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

C ox = \frac{3.45 \cdot 10^{- 11}}{1.7E-5}

Nächster Schritt Auswerten

∴

C ox = 2.02941176470588E-06F

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

C ox = 2.02941176470588μF

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

C ox = 2.0294μF

Oxidkapazität von NMOS Formel Elemente

Variablen

Oxidkapazität

Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.

Symbol: C_ox

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Oxidkapazität

Oxiddicke

Unter Oxiddicke versteht man die Dicke einer dünnen Schicht aus Oxidmaterial, die auf der Oberfläche eines Substrats gebildet wird, typischerweise einem Halbleitermaterial wie Silizium.

Symbol: t_ox

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Oxiddicke

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I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

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Wie wird Oxidkapazität von NMOS ausgewertet?

Der Oxidkapazität von NMOS-Evaluator verwendet Oxide Capacitance = (3.45*10^(-11))/Oxiddicke, um Oxidkapazität, Die Oxidkapazität von NMOS (Cox) ist die Kapazität des Parallelplattenkondensators des Mosfets vom n-Anreicherungstyp. Sie ist umgekehrt proportional zur Dicke der Oxidschicht auszuwerten. Oxidkapazität wird durch das Symbol C_ox gekennzeichnet.

Wie wird Oxidkapazität von NMOS mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Oxidkapazität von NMOS zu verwenden, geben Sie Oxiddicke (t_ox) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Oxidkapazität von NMOS

Wie lautet die Formel zum Finden von Oxidkapazität von NMOS?

Die Formel von Oxidkapazität von NMOS wird als Oxide Capacitance = (3.45*10^(-11))/Oxiddicke ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 2E+6 = (3.45*10^(-11))/1.7E-05.

Wie berechnet man Oxidkapazität von NMOS?

Mit Oxiddicke (t_ox) können wir Oxidkapazität von NMOS mithilfe der Formel - Oxide Capacitance = (3.45*10^(-11))/Oxiddicke finden.

Kann Oxidkapazität von NMOS negativ sein?

Ja, der in Kapazität gemessene Oxidkapazität von NMOS kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Oxidkapazität von NMOS verwendet?

Oxidkapazität von NMOS wird normalerweise mit Mikrofarad[μF] für Kapazität gemessen. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Oxidkapazität von NMOS gemessen werden kann.

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