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Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI Formel

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Unter Oxidkapazität nach Spannungsskalierung versteht man die Kapazität, die mit der Oxidschicht zwischen dem Metallgate und dem Substrat verbunden ist, nachdem das Gerät durch Spannungsskalierung verkleinert wurde. Überprüfen Sie FAQs

C ox(vs)' = Sf \cdot C oxide

C_ox(vs)' - Oxidkapazität nach Spannungsskalierung?Sf - Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor?C_oxide - Oxidkapazität pro Flächeneinheit?

Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI aus:.

105.45 = 1.5 \cdot 0.0703

105.45nF/cm² = 1.5 \cdot 0.0703μF/cm²

105.45 = 1.5 \cdot 0.0703

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

C ox(vs)' = Sf \cdot C oxide

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

C ox(vs)' = 1.5 \cdot 0.0703μF/cm²

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

C ox(vs)' = 1.5 \cdot 0.0007F/m²

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

C ox(vs)' = 1.5 \cdot 0.0007

Nächster Schritt Auswerten

∴

C ox(vs)' = 0.0010545F/m²

Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

C ox(vs)' = 105.45nF/cm²

Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI Formel Elemente

Variablen

Oxidkapazität nach Spannungsskalierung

Symbol: C_ox(vs)'

Messung: Oxidkapazität pro FlächeneinheitEinheit: nF/cm²

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Oxidkapazität nach Spannungsskalierung

Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Der Skalierungsfaktor ist definiert als das Verhältnis, um das sich die Abmessungen des Transistors während des Designprozesses ändern.

Symbol: Sf

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Oxidkapazität pro Flächeneinheit

Die Oxidkapazität pro Flächeneinheit ist definiert als die Kapazität pro Flächeneinheit der isolierenden Oxidschicht, die das Metallgate vom Halbleitermaterial trennt.

Symbol: C_oxide

Messung: Oxidkapazität pro FlächeneinheitEinheit: μF/cm²

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Oxidkapazität pro Flächeneinheit

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Wie wird Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI ausgewertet?

Der Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI-Evaluator verwendet Oxide capacitance after voltage scaling = Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor*Oxidkapazität pro Flächeneinheit, um Oxidkapazität nach Spannungsskalierung, Die VLSI-Formel „Oxidkapazität nach Spannungsskalierung“ ist definiert als die Kapazität, die mit der Oxidschicht zwischen dem Metallgate und dem Substrat verbunden ist, nachdem das Gerät durch Spannungsskalierung verkleinert wurde auszuwerten. Oxidkapazität nach Spannungsskalierung wird durch das Symbol C_ox(vs)' gekennzeichnet.

Wie wird Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI zu verwenden, geben Sie Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor (Sf) & Oxidkapazität pro Flächeneinheit (C_oxide) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI

Wie lautet die Formel zum Finden von Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI?

Die Formel von Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI wird als Oxide capacitance after voltage scaling = Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor*Oxidkapazität pro Flächeneinheit ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 1.1E+7 = 1.5*0.000703.

Wie berechnet man Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI?

Mit Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor (Sf) & Oxidkapazität pro Flächeneinheit (C_oxide) können wir Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI mithilfe der Formel - Oxide capacitance after voltage scaling = Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor*Oxidkapazität pro Flächeneinheit finden.

Kann Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI negativ sein?

NEIN, der in Oxidkapazität pro Flächeneinheit gemessene Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI verwendet?

Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI wird normalerweise mit Nanofarad pro Quadratzentimeter[nF/cm²] für Oxidkapazität pro Flächeneinheit gemessen. Farad pro Quadratmeter[nF/cm²], Mikrofarad pro Quadratzentimeter[nF/cm²], Mikrofarad pro Quadratmillimeter[nF/cm²] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI gemessen werden kann.

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Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI Formel

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