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Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen Formel

geLeitfähigkeit vom N-Typ Formel

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Die Ohmsche Leitfähigkeit ist das Maß für die Fähigkeit des Materials, elektrischen Strom fließen zu lassen. Die elektrische Leitfähigkeit ist von Material zu Material unterschiedlich. Überprüfen Sie FAQs

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

σ - Ohmsche Leitfähigkeit?q - Aufladung?μ_n - Elektronendotierte Siliziummobilität?n_e - Elektronenkonzentration?μ_p - Lochdotierung der Siliziummobilität?p - Lochkonzentration?

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen aus:.

0.1044 = 5 \cdot (0.38 \cdot 50.6 + 2.4 \cdot 0.69)

0.1044mho/cm = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot 50.61/cm³ + 2.4cm²/V*s \cdot 0.691/cm³)

0.1044 = 5 \cdot (0.38 \cdot 50.6 + 2.4 \cdot 0.69)

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

σ = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot 50.61/cm³ + 2.4cm²/V*s \cdot 0.691/cm³)

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

σ = 0.005C \cdot (3.8E-5m²/V*s \cdot 5.1E+71/m³ + 0.0002m²/V*s \cdot 6900001/m³)

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

σ = 0.005 \cdot (3.8E-5 \cdot 5.1E+7 + 0.0002 \cdot 690000)

Nächster Schritt Auswerten

∴

σ = 10.442S/m

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

σ = 0.10442mho/cm

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

σ = 0.1044mho/cm

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen Formel Elemente

Variablen

Ohmsche Leitfähigkeit

Die Ohmsche Leitfähigkeit ist das Maß für die Fähigkeit des Materials, elektrischen Strom fließen zu lassen. Die elektrische Leitfähigkeit ist von Material zu Material unterschiedlich.

Symbol: σ

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mho/cm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Ohmsche Leitfähigkeit

Aufladung

Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.

Symbol: q

Messung: Elektrische LadungEinheit: mC

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Aufladung

Elektronendotierte Siliziummobilität

Die Elektronendotierungs-Siliziummobilität beschreibt, wie schnell sich ein Elektron durch ein Metall oder einen Halbleiter bewegen kann, wenn es von einem elektrischen Feld angezogen wird.

Symbol: μ_n

Messung: MobilitätEinheit: cm²/V*s

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Elektronendotierte Siliziummobilität

Elektronenkonzentration

Die Elektronenkonzentration wird durch verschiedene Faktoren wie Temperatur, dem Halbleitermaterial zugesetzte Verunreinigungen oder Dotierstoffe sowie externe elektrische oder magnetische Felder beeinflusst.

Symbol: n_e

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/cm³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Elektronenkonzentration

Lochdotierung der Siliziummobilität

Lochdotierung Siliziummobilität ist die Fähigkeit eines Lochs, sich in Gegenwart eines angelegten elektrischen Feldes durch ein Metall oder einen Halbleiter zu bewegen.

Symbol: μ_p

Messung: MobilitätEinheit: cm²/V*s

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Lochdotierung der Siliziummobilität

Lochkonzentration

Lochkonzentration impliziert eine größere Anzahl verfügbarer Ladungsträger im Material, was sich auf seine Leitfähigkeit und verschiedene Halbleiterbauelemente auswirkt.

Symbol: p

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/cm³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Lochkonzentration

Andere Formeln zum Finden von Ohmsche Leitfähigkeit

ge Leitfähigkeit vom N-Typ

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

ge Leitfähigkeit vom P-Typ

σ = q \cdot (μ n \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N a}) + μ p \cdot N a)

Andere Formeln in der Kategorie Bipolare IC-Herstellung

ge Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

ge Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

ge Widerstand der diffundierten Schicht

R = (\frac{1}{σ}) \cdot (\frac{L}{W \cdot t})

ge Schichtwiderstand der Schicht

R s = \frac{1}{q \cdot μ n \cdot N d \cdot t}

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Wie wird Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen ausgewertet?

Der Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen-Evaluator verwendet Ohmic Conductivity = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration), um Ohmsche Leitfähigkeit, Die Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen bezieht sich insbesondere auf eine lineare Beziehung zwischen dem durch ein Material fließenden Strom und der angelegten Spannung. Im Zusammenhang mit Verunreinigungsatomen in einem Halbleiter wird das Leitfähigkeitsverhalten hauptsächlich durch die Dotierstoffkonzentration, die eingebrachten Ladungsträger und deren Beweglichkeit innerhalb des Kristallgitters bestimmt auszuwerten. Ohmsche Leitfähigkeit wird durch das Symbol σ gekennzeichnet.

Wie wird Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen zu verwenden, geben Sie Aufladung (q), Elektronendotierte Siliziummobilität (μ_n), Elektronenkonzentration (n_e), Lochdotierung der Siliziummobilität (μ_p) & Lochkonzentration (p) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

Wie lautet die Formel zum Finden von Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen?

Die Formel von Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen wird als Ohmic Conductivity = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.00086 = 0.005*(3.8E-05*50600000+0.00024*690000).

Wie berechnet man Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen?

Mit Aufladung (q), Elektronendotierte Siliziummobilität (μ_n), Elektronenkonzentration (n_e), Lochdotierung der Siliziummobilität (μ_p) & Lochkonzentration (p) können wir Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen mithilfe der Formel - Ohmic Conductivity = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration) finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Ohmsche Leitfähigkeit?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Ohmsche Leitfähigkeit-

Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of N-Type+Hole Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of N-Type))
Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of P-Type)+Hole Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of P-Type)

Kann Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen negativ sein?

NEIN, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen verwendet?

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen wird normalerweise mit Mho / Zentimeter[mho/cm] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Siemens / Meter[mho/cm], Mho / Meter[mho/cm], Abmho / Meter[mho/cm] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen gemessen werden kann.

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​geLeitfähigkeit vom P-Typ Formel

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geLeitfähigkeit vom N-Typ Formel

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