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NMOS als linearer Widerstand Formel

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Der lineare Widerstand fungiert im linearen Bereich als variabler Widerstand und im Sättigungsbereich als Stromquelle. Überprüfen Sie FAQs

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

r_DS - Linearer Widerstand?L - Länge des Kanals?μ_n - Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals?C_ox - Oxidkapazität?W_c - Breite des Kanals?V_gs - Gate-Source-Spannung?V_T - Grenzspannung?

NMOS als linearer Widerstand Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung NMOS als linearer Widerstand aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung NMOS als linearer Widerstand aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung NMOS als linearer Widerstand aus:.

7.9607 = \frac{3}{2.2 \cdot 2.02 \cdot 10 \cdot (10.3 - 1.82)}

7.9607kΩ = \frac{3μm}{2.2m²/V*s \cdot 2.02μF \cdot 10μm \cdot (10.3V - 1.82V)}

7.9607 = \frac{3}{2.2 \cdot 2.02 \cdot 10 \cdot (10.3 - 1.82)}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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NMOS als linearer Widerstand Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von NMOS als linearer Widerstand?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

r DS = \frac{3μm}{2.2m²/V*s \cdot 2.02μF \cdot 10μm \cdot (10.3V - 1.82V)}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

r DS = \frac{3E-6m}{2.2m²/V*s \cdot 2E-6F \cdot 1E-5m \cdot (10.3V - 1.82V)}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

r DS = \frac{3E-6}{2.2 \cdot 2E-6 \cdot 1E-5 \cdot (10.3 - 1.82)}

Nächster Schritt Auswerten

∴

r DS = 7960.70173055041Ω

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

r DS = 7.96070173055041kΩ

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

r DS = 7.9607kΩ

NMOS als linearer Widerstand Formel Elemente

Variablen

Linearer Widerstand

Der lineare Widerstand fungiert im linearen Bereich als variabler Widerstand und im Sättigungsbereich als Stromquelle.

Symbol: r_DS

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Linearer Widerstand

Länge des Kanals

Die Länge des Kanals kann als Abstand zwischen seinem Anfangs- und seinem Endpunkt definiert werden und kann je nach Zweck und Standort stark variieren.

Symbol: L

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Länge des Kanals

Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals

Die Beweglichkeit von Elektronen an der Oberfläche eines Kanals bezieht sich auf die Fähigkeit von Elektronen, sich innerhalb der Oberflächenschicht eines Materials zu bewegen oder zu leiten, wenn es einem elektrischen Feld ausgesetzt wird.

Symbol: μ_n

Messung: MobilitätEinheit: m²/V*s

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals

Oxidkapazität

Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.

Symbol: C_ox

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Oxidkapazität

Breite des Kanals

Die Kanalbreite bezieht sich auf die Bandbreite, die für die Übertragung von Daten innerhalb eines Kommunikationskanals zur Verfügung steht.

Symbol: W_c

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Breite des Kanals

Gate-Source-Spannung

Die Gate-Source-Spannung ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.

Symbol: V_gs

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Gate-Source-Spannung

Grenzspannung

Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.

Symbol: V_T

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Grenzspannung

Andere Formeln in der Kategorie N-Kanal-Verbesserung

ge Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor

v d = μ n \cdot E L

ge Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

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Wie wird NMOS als linearer Widerstand ausgewertet?

Der NMOS als linearer Widerstand-Evaluator verwendet Linear Resistance = Länge des Kanals/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Breite des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)), um Linearer Widerstand, Der NMOS als linearer Widerstand wirkt im linearen Bereich als variabler Widerstand und im Sättigungsbereich als Stromquelle. Im Gegensatz zu einem BJT müssen Sie, um einen MOSFET als Schalter zu verwenden, innerhalb des linearen Bereichs arbeiten auszuwerten. Linearer Widerstand wird durch das Symbol r_DS gekennzeichnet.

Wie wird NMOS als linearer Widerstand mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für NMOS als linearer Widerstand zu verwenden, geben Sie Länge des Kanals (L), Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals (μ_n), Oxidkapazität (C_ox), Breite des Kanals (W_c), Gate-Source-Spannung (V_gs) & Grenzspannung (V_T) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An NMOS als linearer Widerstand

Wie lautet die Formel zum Finden von NMOS als linearer Widerstand?

Die Formel von NMOS als linearer Widerstand wird als Linear Resistance = Länge des Kanals/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Breite des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.007961 = 3E-06/(2.2*2.02E-06*1E-05*(10.3-1.82)).

Wie berechnet man NMOS als linearer Widerstand?

Mit Länge des Kanals (L), Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals (μ_n), Oxidkapazität (C_ox), Breite des Kanals (W_c), Gate-Source-Spannung (V_gs) & Grenzspannung (V_T) können wir NMOS als linearer Widerstand mithilfe der Formel - Linear Resistance = Länge des Kanals/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Breite des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)) finden.

Kann NMOS als linearer Widerstand negativ sein?

Ja, der in Elektrischer Widerstand gemessene NMOS als linearer Widerstand kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von NMOS als linearer Widerstand verwendet?

NMOS als linearer Widerstand wird normalerweise mit Kiloohm[kΩ] für Elektrischer Widerstand gemessen. Ohm[kΩ], Megahm[kΩ], Mikroohm[kΩ] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen NMOS als linearer Widerstand gemessen werden kann.

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