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MOSFET-Transkonduktanz Formel

geSteilheit bei gegebenem Drain-Strom Formel

geTranskonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter Formel

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Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung. Überprüfen Sie FAQs

g m = \frac{ΔI d}{V gs}

g_m - Steilheit?ΔI_d - Änderung des Drainstroms?V_gs - Gate-Source-Spannung?

MOSFET-Transkonduktanz Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung MOSFET-Transkonduktanz aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung MOSFET-Transkonduktanz aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung MOSFET-Transkonduktanz aus:.

0.5 = \frac{2}{4}

0.5mS = \frac{2mA}{4V}

0.5 = \frac{2}{4}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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MOSFET-Transkonduktanz Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von MOSFET-Transkonduktanz?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

g m = \frac{ΔI d}{V gs}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

g m = \frac{2mA}{4V}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

g m = \frac{0.002A}{4V}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

g m = \frac{0.002}{4}

Nächster Schritt Auswerten

∴

g m = 0.0005S

Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

g m = 0.5mS

MOSFET-Transkonduktanz Formel Elemente

Variablen

Steilheit

Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.

Symbol: g_m

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Steilheit

Änderung des Drainstroms

Eine Änderung des Drain-Stroms zeigt die Änderung der Stromleitfähigkeit des Siliziumchips an. Es kann als Orientierungshilfe beim Vergleich verschiedener Geräte verwendet werden.

Symbol: ΔI_d

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Änderung des Drainstroms

Gate-Source-Spannung

Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.

Symbol: V_gs

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-Source-Spannung

Andere Formeln zum Finden von Steilheit

ge Steilheit bei gegebenem Drain-Strom

g m = \sqrt{2 \cdot k' n \cdot WL \cdot i d}

ge Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter

g m = k' n \cdot WL \cdot (V gs - V th)

ge Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage

g m = k' n \cdot WL \cdot V ov

ge MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter

g m = k n \cdot (V gs - V th)

Mehr sehen OpenImg

Andere Formeln in der Kategorie Steilheit

ge Strom mithilfe der Transkonduktanz ableiten

i d = (V ov) \cdot \frac{g m}{2}

ge Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom

k' n = \frac{{g m}^{2}}{2 \cdot WL \cdot i d}

ge MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparameters

k' n = \frac{g m}{WL \cdot (V gs - V th)}

ge MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung von Prozess-Transkonduktanzparameter und Übersteuerungsspannung

k' n = \frac{g m}{WL \cdot V ov}

Mehr sehen OpenImg

Wie wird MOSFET-Transkonduktanz ausgewertet?

Der MOSFET-Transkonduktanz-Evaluator verwendet Transconductance = Änderung des Drainstroms/Gate-Source-Spannung, um Steilheit, Die MOSFET-Transkonduktanz ist die Änderung des Drain-Stroms dividiert durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung auszuwerten. Steilheit wird durch das Symbol g_m gekennzeichnet.

Wie wird MOSFET-Transkonduktanz mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für MOSFET-Transkonduktanz zu verwenden, geben Sie Änderung des Drainstroms (ΔI_d) & Gate-Source-Spannung (V_gs) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An MOSFET-Transkonduktanz

Wie lautet die Formel zum Finden von MOSFET-Transkonduktanz?

Die Formel von MOSFET-Transkonduktanz wird als Transconductance = Änderung des Drainstroms/Gate-Source-Spannung ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 500 = 0.002/4.

Wie berechnet man MOSFET-Transkonduktanz?

Mit Änderung des Drainstroms (ΔI_d) & Gate-Source-Spannung (V_gs) können wir MOSFET-Transkonduktanz mithilfe der Formel - Transconductance = Änderung des Drainstroms/Gate-Source-Spannung finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Steilheit?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Steilheit-

Transconductance=sqrt(2*Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Drain Current)
Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)
Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Overdrive Voltage

Kann MOSFET-Transkonduktanz negativ sein?

Ja, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene MOSFET-Transkonduktanz kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von MOSFET-Transkonduktanz verwendet?

MOSFET-Transkonduktanz wird normalerweise mit Millisiemens[mS] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen MOSFET-Transkonduktanz gemessen werden kann.

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