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MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität Formel

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Die Steilheit im MOSFET ist ein Schlüsselparameter, der die Beziehung zwischen der Eingangsspannung und dem Ausgangsstrom beschreibt. Überprüfen Sie FAQs

g m = \sqrt{2 \cdot μ n \cdot C ox \cdot (\frac{W t}{L t}) \cdot I d}

g_m - Transkonduktanz im MOSFET?μ_n - Elektronenmobilität?C_ox - Oxidkapazität?W_t - Breite des Transistors?L_t - Transistorlänge?I_d - Stromverbrauch?

MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität aus:.

2.2866 = \sqrt{2 \cdot 30 \cdot 3.9 \cdot (\frac{5.5}{3.2}) \cdot 0.013}

2.2866S = \sqrt{2 \cdot 30m²/V*s \cdot 3.9F \cdot (\frac{5.5μm}{3.2μm}) \cdot 0.013A}

2.2866 = \sqrt{2 \cdot 30 \cdot 3.9 \cdot (\frac{5.5}{3.2}) \cdot 0.013}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Analoge Elektronik » fx MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität

MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

g m = \sqrt{2 \cdot μ n \cdot C ox \cdot (\frac{W t}{L t}) \cdot I d}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

g m = \sqrt{2 \cdot 30m²/V*s \cdot 3.9F \cdot (\frac{5.5μm}{3.2μm}) \cdot 0.013A}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

g m = \sqrt{2 \cdot 30m²/V*s \cdot 3.9F \cdot (\frac{5.5E-6m}{3.2E-6m}) \cdot 0.013A}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

g m = \sqrt{2 \cdot 30 \cdot 3.9 \cdot (\frac{5.5E-6}{3.2E-6}) \cdot 0.013}

Nächster Schritt Auswerten

∴

g m = 2.28657768291392S

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

g m = 2.2866S

MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität Formel Elemente

Variablen

Funktionen

Transkonduktanz im MOSFET

Die Steilheit im MOSFET ist ein Schlüsselparameter, der die Beziehung zwischen der Eingangsspannung und dem Ausgangsstrom beschreibt.

Symbol: g_m

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: S

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Transkonduktanz im MOSFET

Open Variable

Elektronenmobilität

Elektronenmobilität beschreibt, wie schnell sich Elektronen als Reaktion auf ein elektrisches Feld durch das Material bewegen können.

Symbol: μ_n

Messung: MobilitätEinheit: m²/V*s

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Elektronenmobilität

Open Variable

Oxidkapazität

Die Oxidkapazität bezeichnet die Kapazität, die mit der isolierenden Oxidschicht in einer Metall-Oxid-Halbleiterstruktur (MOS) wie beispielsweise in MOSFETs verbunden ist.

Symbol: C_ox

Messung: KapazitätEinheit: F

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Oxidkapazität

Open Variable

Breite des Transistors

Die Transistorbreite bezieht sich auf die Breite des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.

Symbol: W_t

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Breite des Transistors

Open Variable

Transistorlänge

Die Transistorlänge bezieht sich auf die Länge des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.

Symbol: L_t

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Transistorlänge

Open Variable

Stromverbrauch

Der Drainstrom bezieht sich auf den Strom, der während des Betriebs zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen des Transistors fließt.

Symbol: I_d

Messung: Elektrischer StromEinheit: A

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Stromverbrauch

Open Variable

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

Andere Formeln in der Kategorie MOSFET-Eigenschaften

ge Maximale Spannungsverstärkung am Vorspannungspunkt

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Wie wird MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität ausgewertet?

Der MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität-Evaluator verwendet Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Elektronenmobilität*Oxidkapazität*(Breite des Transistors/Transistorlänge)*Stromverbrauch), um Transkonduktanz im MOSFET, Die MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazitätsformel ist als Schlüsselparameter definiert, der die Beziehung zwischen der Eingangsspannung und dem Ausgangsstrom beschreibt auszuwerten. Transkonduktanz im MOSFET wird durch das Symbol g_m gekennzeichnet.

Wie wird MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität zu verwenden, geben Sie Elektronenmobilität (μ_n), Oxidkapazität (C_ox), Breite des Transistors (W_t), Transistorlänge (L_t) & Stromverbrauch (I_d) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität

Wie lautet die Formel zum Finden von MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität?

Die Formel von MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität wird als Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Elektronenmobilität*Oxidkapazität*(Breite des Transistors/Transistorlänge)*Stromverbrauch) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 7.230794 = sqrt(2*30*3.9*(5.5E-06/3.2E-06)*0.013).

Wie berechnet man MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität?

Mit Elektronenmobilität (μ_n), Oxidkapazität (C_ox), Breite des Transistors (W_t), Transistorlänge (L_t) & Stromverbrauch (I_d) können wir MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität mithilfe der Formel - Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Elektronenmobilität*Oxidkapazität*(Breite des Transistors/Transistorlänge)*Stromverbrauch) finden. Diese Formel verwendet auch Quadratwurzel (sqrt) Funktion(en).

Kann MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität negativ sein?

Ja, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität verwendet?

MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität wird normalerweise mit Siemens[S] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Megasiemens[S], Millisiemens[S], Mho[S] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität gemessen werden kann.

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