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Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung. Überprüfen Sie FAQs
gm=knVov
gm - Steilheit?kn - Transkonduktanzparameter?Vov - Overdrive-Spannung?

MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
Nur Beispiel

So sieht die Gleichung MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung aus:.

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MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
gm=knVov
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
gm=10.5A/V²0.32V
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
gm=10.50.32
Nächster Schritt Auswerten
gm=3.36S
Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen
gm=3360mS

MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung Formel Elemente

Variablen
Steilheit
Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Symbol: gm
Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Transkonduktanzparameter
Der Transkonduktanzparameter ist ein entscheidender Parameter in elektronischen Geräten und Schaltkreisen, der hilft, die Eingangs-Ausgangs-Beziehung zwischen Spannung und Strom zu beschreiben und zu quantifizieren.
Symbol: kn
Messung: SteilheitsparameterEinheit: A/V²
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Overdrive-Spannung
Übersteuerungsspannung ist ein Begriff aus der Elektronik und bezieht sich auf den an ein Gerät oder eine Komponente angelegten Spannungspegel, der seine normale Betriebsspannung überschreitet.
Symbol: Vov
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Andere Formeln zum Finden von Steilheit

​ge Steilheit bei gegebenem Drain-Strom
gm=2k'nWLid
​ge Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter
gm=k'nWL(Vgs-Vth)
​ge Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage
gm=k'nWLVov
​ge MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter
gm=kn(Vgs-Vth)

Andere Formeln in der Kategorie Steilheit

​ge Strom mithilfe der Transkonduktanz ableiten
id=(Vov)gm2
​ge Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom
k'n=gm22WLid
​ge MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparameters
k'n=gmWL(Vgs-Vth)
​ge MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung von Prozess-Transkonduktanzparameter und Übersteuerungsspannung
k'n=gmWLVov

Wie wird MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung ausgewertet?

Der MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung-Evaluator verwendet Transconductance = Transkonduktanzparameter*Overdrive-Spannung, um Steilheit, Die MOSFET-Steilheit bei gegebener Übersteuerungsspannung ist das Produkt aus MOSFET-Steilheitsparameter und Übersteuerungsspannung auszuwerten. Steilheit wird durch das Symbol gm gekennzeichnet.

Wie wird MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung zu verwenden, geben Sie Transkonduktanzparameter (kn) & Overdrive-Spannung (Vov) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung

Wie lautet die Formel zum Finden von MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung?
Die Formel von MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung wird als Transconductance = Transkonduktanzparameter*Overdrive-Spannung ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 3.4E+6 = 10.5*0.32.
Wie berechnet man MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung?
Mit Transkonduktanzparameter (kn) & Overdrive-Spannung (Vov) können wir MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung mithilfe der Formel - Transconductance = Transkonduktanzparameter*Overdrive-Spannung finden.
Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Steilheit?
Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Steilheit-
  • Transconductance=sqrt(2*Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Drain Current)OpenImg
  • Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)OpenImg
  • Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Overdrive VoltageOpenImg
Kann MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung negativ sein?
Ja, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung kann dürfen negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung verwendet?
MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung wird normalerweise mit Millisiemens[mS] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung gemessen werden kann.
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