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MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter Formel

geSteilheit bei gegebenem Drain-Strom Formel

geTranskonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter Formel

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Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung. Überprüfen Sie FAQs

g m = k n \cdot (V gs - V th)

g_m - Steilheit?k_n - Transkonduktanzparameter?V_gs - Gate-Source-Spannung?V_th - Grenzspannung?

MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter aus:.

3360 = 10.5 \cdot (4 - 3.68)

3360mS = 10.5A/V² \cdot (4V - 3.68V)

3360 = 10.5 \cdot (4 - 3.68)

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

g m = k n \cdot (V gs - V th)

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

g m = 10.5A/V² \cdot (4V - 3.68V)

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

g m = 10.5 \cdot (4 - 3.68)

Nächster Schritt Auswerten

∴

g m = 3.36S

Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

g m = 3360mS

MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter Formel Elemente

Variablen

Steilheit

Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.

Symbol: g_m

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Steilheit

Transkonduktanzparameter

Der Transkonduktanzparameter ist ein entscheidender Parameter in elektronischen Geräten und Schaltkreisen, der hilft, die Eingangs-Ausgangs-Beziehung zwischen Spannung und Strom zu beschreiben und zu quantifizieren.

Symbol: k_n

Messung: SteilheitsparameterEinheit: A/V²

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Transkonduktanzparameter

Gate-Source-Spannung

Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.

Symbol: V_gs

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-Source-Spannung

Grenzspannung

Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.

Symbol: V_th

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Grenzspannung

Andere Formeln zum Finden von Steilheit

ge Steilheit bei gegebenem Drain-Strom

g m = \sqrt{2 \cdot k' n \cdot WL \cdot i d}

ge Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter

g m = k' n \cdot WL \cdot (V gs - V th)

ge Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage

g m = k' n \cdot WL \cdot V ov

ge MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung

g m = k n \cdot V ov

Mehr sehen OpenImg

Andere Formeln in der Kategorie Steilheit

ge Strom mithilfe der Transkonduktanz ableiten

i d = (V ov) \cdot \frac{g m}{2}

ge Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom

k' n = \frac{{g m}^{2}}{2 \cdot WL \cdot i d}

ge MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparameters

k' n = \frac{g m}{WL \cdot (V gs - V th)}

ge MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung von Prozess-Transkonduktanzparameter und Übersteuerungsspannung

k' n = \frac{g m}{WL \cdot V ov}

Mehr sehen OpenImg

Wie wird MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter ausgewertet?

Der MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter-Evaluator verwendet Transconductance = Transkonduktanzparameter*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung), um Steilheit, Der gegebene Steilheitsparameter der MOSFET-Steilheit ist die Änderung des Drain-Stroms dividiert durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung auszuwerten. Steilheit wird durch das Symbol g_m gekennzeichnet.

Wie wird MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter zu verwenden, geben Sie Transkonduktanzparameter (k_n), Gate-Source-Spannung (V_gs) & Grenzspannung (V_th) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter

Wie lautet die Formel zum Finden von MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter?

Die Formel von MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter wird als Transconductance = Transkonduktanzparameter*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 3.4E+6 = 10.5*(4-3.68).

Wie berechnet man MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter?

Mit Transkonduktanzparameter (k_n), Gate-Source-Spannung (V_gs) & Grenzspannung (V_th) können wir MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter mithilfe der Formel - Transconductance = Transkonduktanzparameter*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung) finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Steilheit?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Steilheit-

Transconductance=sqrt(2*Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Drain Current)
Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)
Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Overdrive Voltage

Kann MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter negativ sein?

Ja, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter verwendet?

MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter wird normalerweise mit Millisiemens[mS] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter gemessen werden kann.

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