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MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz Formel

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Die Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET bezieht sich auf die Frequenz, bei der die Spannungsverstärkung des Geräts in einer Common-Source-Konfiguration mit einer ohmschen Last auf 1 (0 dB) abfällt. Überprüfen Sie FAQs

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

f_t - Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET?g_m - Transkonduktanz im MOSFET?C_gs - Gate-Source-Kapazität?C_gd - Gate-Drain-Kapazität?

MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz aus:.

37.415 = \frac{2.2}{56 + 2.8}

37.415kHz = \frac{2.2S}{56μF + 2.8μF}

37.415 = \frac{2.2}{56 + 2.8}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

f t = \frac{2.2S}{56μF + 2.8μF}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

f t = \frac{2.2S}{5.6E-5F + 2.8E-6F}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

f t = \frac{2.2}{5.6E-5 + 2.8E-6}

Nächster Schritt Auswerten

∴

f t = 37414.9659863946Hz

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

f t = 37.4149659863946kHz

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

f t = 37.415kHz

MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz Formel Elemente

Variablen

Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET

Symbol: f_t

Messung: FrequenzEinheit: kHz

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET

Transkonduktanz im MOSFET

Die Steilheit im MOSFET ist ein Schlüsselparameter, der die Beziehung zwischen der Eingangsspannung und dem Ausgangsstrom beschreibt.

Symbol: g_m

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: S

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Transkonduktanz im MOSFET

Gate-Source-Kapazität

Die Gate-Source-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET).

Symbol: C_gs

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-Source-Kapazität

Gate-Drain-Kapazität

Die Gate-Drain-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen des Geräts.

Symbol: C_gd

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-Drain-Kapazität

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V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

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ge Ausbreitungszeit

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Wie wird MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz ausgewertet?

Der MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz-Evaluator verwendet Unity Gain Frequency in MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität), um Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET, Die MOSFET-Unity-Gain-Frequenz bezieht sich auf einen kritischen Parameter im Zusammenhang mit der Hochfrequenzleistung von MOSFET-Geräten (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Dies ist die Frequenz, bei der die Verstärkung des Verstärkers auf 1 abfällt, was anzeigt, dass das Ausgangssignal die gleiche Größe wie das Eingangssignal hat auszuwerten. Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET wird durch das Symbol f_t gekennzeichnet.

Wie wird MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz zu verwenden, geben Sie Transkonduktanz im MOSFET (g_m), Gate-Source-Kapazität (C_gs) & Gate-Drain-Kapazität (C_gd) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz

Wie lautet die Formel zum Finden von MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz?

Die Formel von MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz wird als Unity Gain Frequency in MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.037415 = 2.2/(5.6E-05+2.8E-06).

Wie berechnet man MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz?

Mit Transkonduktanz im MOSFET (g_m), Gate-Source-Kapazität (C_gs) & Gate-Drain-Kapazität (C_gd) können wir MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz mithilfe der Formel - Unity Gain Frequency in MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität) finden.

Kann MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz negativ sein?

NEIN, der in Frequenz gemessene MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz verwendet?

MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz wird normalerweise mit Kilohertz[kHz] für Frequenz gemessen. Hertz[kHz], Petahertz[kHz], Terahertz[kHz] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz gemessen werden kann.

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