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MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis Formel

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Linearer Widerstand, die Größe des Widerstands oder Widerstands ist direkt proportional zur Menge des durch ihn fließenden Stroms, wie durch das Ohmsche Gesetz beschrieben. Überprüfen Sie FAQs

R ds = \frac{L}{μ s \cdot C ox \cdot W c \cdot V eff}

R_ds - Linearer Widerstand?L - Kanallänge?μ_s - Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals?C_ox - Oxidkapazität?W_c - Kanalbreite?V_eff - Effektive Spannung?

MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis aus:.

0.1647 = \frac{100}{38 \cdot 940 \cdot 10 \cdot 1.7}

0.1647kΩ = \frac{100μm}{38m²/V*s \cdot 940μF \cdot 10μm \cdot 1.7V}

0.1647 = \frac{100}{38 \cdot 940 \cdot 10 \cdot 1.7}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

R ds = \frac{L}{μ s \cdot C ox \cdot W c \cdot V eff}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

R ds = \frac{100μm}{38m²/V*s \cdot 940μF \cdot 10μm \cdot 1.7V}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

R ds = \frac{0.0001m}{38m²/V*s \cdot 0.0009F \cdot 1E-5m \cdot 1.7V}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

R ds = \frac{0.0001}{38 \cdot 0.0009 \cdot 1E-5 \cdot 1.7}

Nächster Schritt Auswerten

∴

R ds = 164.679533627561Ω

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

R ds = 0.164679533627561kΩ

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

R ds = 0.1647kΩ

MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis Formel Elemente

Variablen

Linearer Widerstand

Linearer Widerstand, die Größe des Widerstands oder Widerstands ist direkt proportional zur Menge des durch ihn fließenden Stroms, wie durch das Ohmsche Gesetz beschrieben.

Symbol: R_ds

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Linearer Widerstand

Kanallänge

Die Kanallänge bezieht sich auf den Abstand zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen in einem Feldeffekttransistor (FET).

Symbol: L

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kanallänge

Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals

Die Beweglichkeit von Elektronen an der Oberfläche eines Kanals bezieht sich auf die Fähigkeit von Elektronen, sich durch die Oberfläche eines Halbleitermaterials zu bewegen oder zu wandern, beispielsweise einen Siliziumkanal in einem Transistor.

Symbol: μ_s

Messung: MobilitätEinheit: m²/V*s

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals

Oxidkapazität

Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.

Symbol: C_ox

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Oxidkapazität

Kanalbreite

Die Kanalbreite bezieht sich auf den Frequenzbereich, der zur Übertragung von Daten über einen drahtlosen Kommunikationskanal verwendet wird. Sie wird auch als Bandbreite bezeichnet und in Hertz (Hz) gemessen.

Symbol: W_c

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kanalbreite

Effektive Spannung

Die effektive Spannung in einem MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist die Spannung, die das Verhalten des Geräts bestimmt. Sie wird auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet.

Symbol: V_eff

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Effektive Spannung

Andere Formeln zum Finden von Linearer Widerstand

ge MOSFET als linearer Widerstand

R ds = \frac{1}{G}

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λ = \frac{1}{R out \cdot i d}

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R out = \frac{1}{λ \cdot i d}

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R fi = mod \underset{̲}{u} s \frac{V a}{i d}

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G = \frac{1}{R ds}

Mehr sehen OpenImg

Wie wird MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis ausgewertet?

Der MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis-Evaluator verwendet Linear Resistance = Kanallänge/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite*Effektive Spannung), um Linearer Widerstand, Der MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Aspektverhältnis wirkt als variabler Widerstand im linearen Bereich und als Stromquelle im Sättigungsbereich. Im Gegensatz zu einem BJT müssen Sie, um einen MOSFET als Schalter zu verwenden, innerhalb des linearen Bereichs arbeiten auszuwerten. Linearer Widerstand wird durch das Symbol R_ds gekennzeichnet.

Wie wird MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis zu verwenden, geben Sie Kanallänge (L), Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals (μ_s), Oxidkapazität (C_ox), Kanalbreite (W_c) & Effektive Spannung (V_eff) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis

Wie lautet die Formel zum Finden von MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis?

Die Formel von MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis wird als Linear Resistance = Kanallänge/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite*Effektive Spannung) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.000165 = 0.0001/(38*0.00094*1E-05*1.7).

Wie berechnet man MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis?

Mit Kanallänge (L), Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals (μ_s), Oxidkapazität (C_ox), Kanalbreite (W_c) & Effektive Spannung (V_eff) können wir MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis mithilfe der Formel - Linear Resistance = Kanallänge/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite*Effektive Spannung) finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Linearer Widerstand?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Linearer Widerstand-

Linear Resistance=1/Conductance of Channel

Kann MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Widerstand gemessene MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis verwendet?

MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis wird normalerweise mit Kiloohm[kΩ] für Elektrischer Widerstand gemessen. Ohm[kΩ], Megahm[kΩ], Mikroohm[kΩ] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis gemessen werden kann.

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