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Momentaner Abflussstrom Formel

geDrainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung Formel

geDrainstrom ohne Kanallängenmodulation des MOSFET Formel

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Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird. Überprüfen Sie FAQs

i d = K n \cdot {(V gsq - V t + V c)}^{2}

i_d - Stromverbrauch?K_n - Transkonduktanzparameter?V_gsq - Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung?V_t - Gesamtspannung?V_c - Kritische Spannung?

Momentaner Abflussstrom Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Momentaner Abflussstrom aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Momentaner Abflussstrom aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Momentaner Abflussstrom aus:.

4803.7259 = 0.07 \cdot {(10 - 2 + 0.284)}^{2}

4803.7259mA = 0.07A/V² \cdot {(10V - 2V + 0.284V)}^{2}

4803.7259 = 0.07 \cdot {(10 - 2 + 0.284)}^{2}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Momentaner Abflussstrom Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Momentaner Abflussstrom?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

i d = K n \cdot {(V gsq - V t + V c)}^{2}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

i d = 0.07A/V² \cdot {(10V - 2V + 0.284V)}^{2}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

i d = 0.07 \cdot {(10 - 2 + 0.284)}^{2}

Nächster Schritt Auswerten

∴

i d = 4.80372592A

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

i d = 4803.72592mA

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

i d = 4803.7259mA

Momentaner Abflussstrom Formel Elemente

Variablen

Stromverbrauch

Symbol: i_d

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Stromverbrauch

Transkonduktanzparameter

Der Transkonduktanzparameter Kn ist ein Maß für die Änderung des durch einen Transistor fließenden Stroms als Reaktion auf eine kleine Spannungsänderung.

Symbol: K_n

Messung: SteilheitsparameterEinheit: A/V²

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Transkonduktanzparameter

Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung

Die Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung bezieht sich auf die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen angelegte Spannung, die den Stromfluss zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen steuert.

Symbol: V_gsq

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung

Gesamtspannung

Die Gesamtspannung in einer Reihenschaltung ist gleich der Summe aller einzelnen Spannungsabfälle in der Schaltung.

Symbol: V_t

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gesamtspannung

Kritische Spannung

Die kritische Spannung ist die minimale Phase der Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Außenleiters leuchtet und auftritt.

Symbol: V_c

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kritische Spannung

Andere Formeln zum Finden von Stromverbrauch

ge Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

ge Drainstrom ohne Kanallängenmodulation des MOSFET

i d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V gs - V th)}^{2}

ge Strom in Lastleitung ableiten

i d = \frac{V dd - V ds}{R L}

ge Momentaner Drainstrom in Bezug auf die Gleichstromkomponente von Vgs

i d = K n \cdot ({(V c - V t)}^{2})

Andere Formeln in der Kategorie Aktuell

ge Erster Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

ge Zweiter Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{(V id)}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

ge Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

ge Zweiter Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

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Wie wird Momentaner Abflussstrom ausgewertet?

Der Momentaner Abflussstrom-Evaluator verwendet Drain Current = Transkonduktanzparameter*(Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung-Gesamtspannung+Kritische Spannung)^2, um Stromverbrauch, Die Formel für den sofortigen Abflussstrom ist der maximale Strom, der in sehr kurzer Zeit, typischerweise weniger als 1 Nanosekunde, durch ein Halbleiterbauelement fließt. Es ist ein wichtiger Parameter beim Entwurf und der Analyse elektronischer Hochgeschwindigkeitsschaltungen auszuwerten. Stromverbrauch wird durch das Symbol i_d gekennzeichnet.

Wie wird Momentaner Abflussstrom mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Momentaner Abflussstrom zu verwenden, geben Sie Transkonduktanzparameter (K_n), Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung (V_gsq), Gesamtspannung (V_t) & Kritische Spannung (V_c) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Momentaner Abflussstrom

Wie lautet die Formel zum Finden von Momentaner Abflussstrom?

Die Formel von Momentaner Abflussstrom wird als Drain Current = Transkonduktanzparameter*(Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung-Gesamtspannung+Kritische Spannung)^2 ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 8.2E+6 = 0.07*(10-2+0.284)^2.

Wie berechnet man Momentaner Abflussstrom?

Mit Transkonduktanzparameter (K_n), Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung (V_gsq), Gesamtspannung (V_t) & Kritische Spannung (V_c) können wir Momentaner Abflussstrom mithilfe der Formel - Drain Current = Transkonduktanzparameter*(Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung-Gesamtspannung+Kritische Spannung)^2 finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Stromverbrauch?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Stromverbrauch-

Drain Current=(DC Bias Current/Overdrive Voltage)*(Differential Input Signal/2)
Drain Current=1/2*Process Transconductance in PMOS*Aspect Ratio*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)^2
Drain Current=(Supply Voltage-Drain Source Voltage)/Load Resistance

Kann Momentaner Abflussstrom negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Momentaner Abflussstrom kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Momentaner Abflussstrom verwendet?

Momentaner Abflussstrom wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Momentaner Abflussstrom gemessen werden kann.

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