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Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers Formel

geMaximaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers Formel

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Der Gleichtaktbereich ist für Signalverarbeitungsgeräte mit Differenzeingängen gedacht, beispielsweise einen Operationsverstärker. Überprüfen Sie FAQs

V cmr = V t + V ov + V gs - V L

V_cmr - Gleichtaktbereich?V_t - Grenzspannung?V_ov - Effektive Spannung?V_gs - Spannung zwischen Gate und Source?V_L - Lastspannung?

Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers aus:.

3.36 = 19.5 + 2.5 + 4 - 22.64

3.36V = 19.5V + 2.5V + 4V - 22.64V

3.36 = 19.5 + 2.5 + 4 - 22.64

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

V cmr = V t + V ov + V gs - V L

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

V cmr = 19.5V + 2.5V + 4V - 22.64V

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

V cmr = 19.5 + 2.5 + 4 - 22.64

Letzter Schritt Auswerten

∴

V cmr = 3.36V

Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers Formel Elemente

Variablen

Gleichtaktbereich

Der Gleichtaktbereich ist für Signalverarbeitungsgeräte mit Differenzeingängen gedacht, beispielsweise einen Operationsverstärker.

Symbol: V_cmr

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gleichtaktbereich

Grenzspannung

Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.

Symbol: V_t

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Grenzspannung

Effektive Spannung

Als effektive Spannung oder Übersteuerungsspannung wird der Überschuss der Spannung am Oxid gegenüber der thermischen Spannung bezeichnet.

Symbol: V_ov

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Effektive Spannung

Spannung zwischen Gate und Source

Die Spannung zwischen Gate und Source ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.

Symbol: V_gs

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Spannung zwischen Gate und Source

Lastspannung

Die Lastspannung ist definiert als die Spannung zwischen zwei Lastanschlüssen.

Symbol: V_L

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Lastspannung

Andere Formeln zum Finden von Gleichtaktbereich

ge Maximaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers

V cmr = V t + V L - (\frac{1}{2} \cdot R L)

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ge Eingangsspannung des MOS-Differenzverstärkers im Kleinsignalbetrieb

V in = V cm + (\frac{1}{2} \cdot V is)

ge Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers

V os = \frac{V o}{A d}

ge Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt

V os = (\frac{V ov}{2}) \cdot (\frac{WL}{WL 1})

ge Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

V os = V t \cdot (\frac{I sc}{I s})

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Wie wird Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers ausgewertet?

Der Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers-Evaluator verwendet Common-Mode Range = Grenzspannung+Effektive Spannung+Spannung zwischen Gate und Source-Lastspannung, um Gleichtaktbereich, Die Formel für den minimalen Gleichtakteingangsbereich der MOS-Differenzverstärkerformel gilt für Signalverarbeitungsgeräte mit Differenzeingängen, wie z. B. Operationsverstärker. CMVR ist der Bereich des Gleichtaktsignals, bei dem der Verstärkerbetrieb linear bleibt auszuwerten. Gleichtaktbereich wird durch das Symbol V_cmr gekennzeichnet.

Wie wird Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers zu verwenden, geben Sie Grenzspannung (V_t), Effektive Spannung (V_ov), Spannung zwischen Gate und Source (V_gs) & Lastspannung (V_L) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers

Wie lautet die Formel zum Finden von Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers?

Die Formel von Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers wird als Common-Mode Range = Grenzspannung+Effektive Spannung+Spannung zwischen Gate und Source-Lastspannung ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 3.36 = 19.5+2.5+4-22.64.

Wie berechnet man Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers?

Mit Grenzspannung (V_t), Effektive Spannung (V_ov), Spannung zwischen Gate und Source (V_gs) & Lastspannung (V_L) können wir Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers mithilfe der Formel - Common-Mode Range = Grenzspannung+Effektive Spannung+Spannung zwischen Gate und Source-Lastspannung finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Gleichtaktbereich?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Gleichtaktbereich-

Common-Mode Range=Threshold Voltage+Load Voltage-(1/2*Load Resistance)

Kann Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers verwendet?

Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers gemessen werden kann.

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