Maximale Erschöpfungstiefe Formel

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Die maximale Verarmungstiefe bezieht sich auf das maximale Ausmaß, bis zu dem sich der Verarmungsbereich unter bestimmten Betriebsbedingungen in das Halbleitermaterial des Geräts hinein erstreckt. Überprüfen Sie FAQs
xdm=2[Permitivity-silicon]modu̲s(2Φf)[Charge-e]NA
xdm - Maximale Erschöpfungstiefe?Φf - Bulk-Fermi-Potenzial?NA - Dopingkonzentration des Akzeptors?[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium?[Charge-e] - Ladung eines Elektrons?

Maximale Erschöpfungstiefe Beispiel

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Mit Einheiten
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So sieht die Gleichung Maximale Erschöpfungstiefe aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Maximale Erschöpfungstiefe aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Maximale Erschöpfungstiefe aus:.

7.4E+6Edit=211.7modu̲s(20.25Edit)1.6E-191.32Edit
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Maximale Erschöpfungstiefe Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Maximale Erschöpfungstiefe?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
xdm=2[Permitivity-silicon]modu̲s(2Φf)[Charge-e]NA
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
xdm=2[Permitivity-silicon]modu̲s(20.25V)[Charge-e]1.32electrons/cm³
Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten
xdm=211.7modu̲s(20.25V)1.6E-19C1.32electrons/cm³
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
xdm=211.7modu̲s(20.25V)1.6E-19C1.3E+6electrons/m³
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
xdm=211.7modu̲s(20.25)1.6E-191.3E+6
Nächster Schritt Auswerten
xdm=7437907.45302539m
Letzter Schritt Rundungsantwort
xdm=7.4E+6m

Maximale Erschöpfungstiefe Formel Elemente

Variablen
Konstanten
Funktionen
Maximale Erschöpfungstiefe
Die maximale Verarmungstiefe bezieht sich auf das maximale Ausmaß, bis zu dem sich der Verarmungsbereich unter bestimmten Betriebsbedingungen in das Halbleitermaterial des Geräts hinein erstreckt.
Symbol: xdm
Messung: LängeEinheit: m
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Bulk-Fermi-Potenzial
Das Bulk-Fermi-Potenzial ist ein Parameter, der das elektrostatische Potential in der Masse (im Inneren) eines Halbleitermaterials beschreibt.
Symbol: Φf
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Dopingkonzentration des Akzeptors
Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.
Symbol: NA
Messung: ElektronendichteEinheit: electrons/cm³
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Permittivität von Silizium
Die Permittivität von Silizium misst seine Fähigkeit, elektrische Energie in einem elektrischen Feld zu speichern, was in der Halbleitertechnologie von entscheidender Bedeutung ist.
Symbol: [Permitivity-silicon]
Wert: 11.7
Ladung eines Elektrons
Die Ladung eines Elektrons ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die elektrische Ladung eines Elektrons darstellt, bei dem es sich um ein Elementarteilchen mit einer negativen elektrischen Ladung handelt.
Symbol: [Charge-e]
Wert: 1.60217662E-19 C
sqrt
Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.
Syntax: sqrt(Number)
modulus
Der Modul einer Zahl ist der Rest, wenn diese Zahl durch eine andere Zahl geteilt wird.
Syntax: modulus

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Wie wird Maximale Erschöpfungstiefe ausgewertet?

Der Maximale Erschöpfungstiefe-Evaluator verwendet Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Bulk-Fermi-Potenzial))/([Charge-e]*Dopingkonzentration des Akzeptors)), um Maximale Erschöpfungstiefe, Die Formel für die maximale Verarmungstiefe ist definiert als das maximale Ausmaß, bis zu dem sich der Verarmungsbereich unter bestimmten Betriebsbedingungen in das Halbleitermaterial des Geräts hinein erstreckt auszuwerten. Maximale Erschöpfungstiefe wird durch das Symbol xdm gekennzeichnet.

Wie wird Maximale Erschöpfungstiefe mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Maximale Erschöpfungstiefe zu verwenden, geben Sie Bulk-Fermi-Potenzial f) & Dopingkonzentration des Akzeptors (NA) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Maximale Erschöpfungstiefe

Wie lautet die Formel zum Finden von Maximale Erschöpfungstiefe?
Die Formel von Maximale Erschöpfungstiefe wird als Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Bulk-Fermi-Potenzial))/([Charge-e]*Dopingkonzentration des Akzeptors)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 7.4E+6 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*0.25))/([Charge-e]*1320000)).
Wie berechnet man Maximale Erschöpfungstiefe?
Mit Bulk-Fermi-Potenzial f) & Dopingkonzentration des Akzeptors (NA) können wir Maximale Erschöpfungstiefe mithilfe der Formel - Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Bulk-Fermi-Potenzial))/([Charge-e]*Dopingkonzentration des Akzeptors)) finden. Diese Formel verwendet auch die Funktion(en) Permittivität von Silizium, Ladung eines Elektrons Konstante(n) und , Quadratwurzel (sqrt), Modul (Modul).
Kann Maximale Erschöpfungstiefe negativ sein?
NEIN, der in Länge gemessene Maximale Erschöpfungstiefe kann kann nicht negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Maximale Erschöpfungstiefe verwendet?
Maximale Erschöpfungstiefe wird normalerweise mit Meter[m] für Länge gemessen. Millimeter[m], Kilometer[m], Dezimeter[m] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Maximale Erschöpfungstiefe gemessen werden kann.
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