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Leitfähigkeit vom N-Typ Formel

geOhmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen Formel

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Die Ohmsche Leitfähigkeit ist das Maß für die Fähigkeit des Materials, elektrischen Strom fließen zu lassen. Die elektrische Leitfähigkeit ist von Material zu Material unterschiedlich. Überprüfen Sie FAQs

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

σ - Ohmsche Leitfähigkeit?q - Aufladung?μ_n - Elektronendotierte Siliziummobilität?N_d - Gleichgewichtskonzentration des N-Typs?μ_p - Lochdotierung der Siliziummobilität?n_i - Intrinsische Konzentration?

Leitfähigkeit vom N-Typ Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Leitfähigkeit vom N-Typ aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Leitfähigkeit vom N-Typ aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Leitfähigkeit vom N-Typ aus:.

0.086 = 5 \cdot (0.38 \cdot 45 + 2.4 \cdot (\frac{{1.32}^{2}}{45}))

0.086mho/cm = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot 451/cm³ + 2.4cm²/V*s \cdot (\frac{{1.321/cm³}^{2}}{451/cm³}))

0.086 = 5 \cdot (0.38 \cdot 45 + 2.4 \cdot (\frac{{1.32}^{2}}{45}))

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Integrierte Schaltkreise (IC) » fx Leitfähigkeit vom N-Typ

Leitfähigkeit vom N-Typ Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Leitfähigkeit vom N-Typ?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

σ = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot 451/cm³ + 2.4cm²/V*s \cdot (\frac{{1.321/cm³}^{2}}{451/cm³}))

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

σ = 0.005C \cdot (3.8E-5m²/V*s \cdot 4.5E+71/m³ + 0.0002m²/V*s \cdot (\frac{{1.3E+61/m³}^{2}}{4.5E+71/m³}))

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

σ = 0.005 \cdot (3.8E-5 \cdot 4.5E+7 + 0.0002 \cdot (\frac{{1.3E+6}^{2}}{4.5E+7}))

Nächster Schritt Auswerten

∴

σ = 8.596464S/m

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

σ = 0.08596464mho/cm

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

σ = 0.086mho/cm

Leitfähigkeit vom N-Typ Formel Elemente

Variablen

Ohmsche Leitfähigkeit

Die Ohmsche Leitfähigkeit ist das Maß für die Fähigkeit des Materials, elektrischen Strom fließen zu lassen. Die elektrische Leitfähigkeit ist von Material zu Material unterschiedlich.

Symbol: σ

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mho/cm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Ohmsche Leitfähigkeit

Aufladung

Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.

Symbol: q

Messung: Elektrische LadungEinheit: mC

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Aufladung

Elektronendotierte Siliziummobilität

Die Elektronendotierungs-Siliziummobilität beschreibt, wie schnell sich ein Elektron durch ein Metall oder einen Halbleiter bewegen kann, wenn es von einem elektrischen Feld angezogen wird.

Symbol: μ_n

Messung: MobilitätEinheit: cm²/V*s

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Elektronendotierte Siliziummobilität

Gleichgewichtskonzentration des N-Typs

Die Gleichgewichtskonzentration des N-Typs entspricht der Dichte der Donoratome, da die Elektronen für die Leitung ausschließlich vom Donoratom bereitgestellt werden.

Symbol: N_d

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/cm³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gleichgewichtskonzentration des N-Typs

Lochdotierung der Siliziummobilität

Lochdotierung Siliziummobilität ist die Fähigkeit eines Lochs, sich in Gegenwart eines angelegten elektrischen Feldes durch ein Metall oder einen Halbleiter zu bewegen.

Symbol: μ_p

Messung: MobilitätEinheit: cm²/V*s

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Lochdotierung der Siliziummobilität

Intrinsische Konzentration

Die intrinsische Konzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.

Symbol: n_i

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/cm³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Intrinsische Konzentration

Andere Formeln zum Finden von Ohmsche Leitfähigkeit

ge Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

ge Leitfähigkeit vom P-Typ

σ = q \cdot (μ n \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N a}) + μ p \cdot N a)

Andere Formeln in der Kategorie Bipolare IC-Herstellung

ge Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

ge Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

ge Widerstand der diffundierten Schicht

R = (\frac{1}{σ}) \cdot (\frac{L}{W \cdot t})

ge Schichtwiderstand der Schicht

R s = \frac{1}{q \cdot μ n \cdot N d \cdot t}

Mehr sehen OpenImg

Wie wird Leitfähigkeit vom N-Typ ausgewertet?

Der Leitfähigkeit vom N-Typ-Evaluator verwendet Ohmic Conductivity = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs)), um Ohmsche Leitfähigkeit, Die Formel für die Leitfähigkeit des N-Typs ist als intrinsischer oder extrinsischer Halbleiter definiert und wird durch seine Fähigkeit bestimmt, elektrischen Strom zu leiten. Halbleiter vom N-Typ sind mit Verunreinigungen dotiert, die zusätzliche Elektronen in das Halbleiterkristallgitter einbringen auszuwerten. Ohmsche Leitfähigkeit wird durch das Symbol σ gekennzeichnet.

Wie wird Leitfähigkeit vom N-Typ mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Leitfähigkeit vom N-Typ zu verwenden, geben Sie Aufladung (q), Elektronendotierte Siliziummobilität (μ_n), Gleichgewichtskonzentration des N-Typs (N_d), Lochdotierung der Siliziummobilität (μ_p) & Intrinsische Konzentration (n_i) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Leitfähigkeit vom N-Typ

Wie lautet die Formel zum Finden von Leitfähigkeit vom N-Typ?

Die Formel von Leitfähigkeit vom N-Typ wird als Ohmic Conductivity = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.00086 = 0.005*(3.8E-05*45000000+0.00024*(1320000^2/45000000)).

Wie berechnet man Leitfähigkeit vom N-Typ?

Mit Aufladung (q), Elektronendotierte Siliziummobilität (μ_n), Gleichgewichtskonzentration des N-Typs (N_d), Lochdotierung der Siliziummobilität (μ_p) & Intrinsische Konzentration (n_i) können wir Leitfähigkeit vom N-Typ mithilfe der Formel - Ohmic Conductivity = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs)) finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Ohmsche Leitfähigkeit?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Ohmsche Leitfähigkeit-

Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*Electron Concentration+Hole Doping Silicon Mobility*Hole Concentration)
Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of P-Type)+Hole Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of P-Type)

Kann Leitfähigkeit vom N-Typ negativ sein?

NEIN, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene Leitfähigkeit vom N-Typ kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Leitfähigkeit vom N-Typ verwendet?

Leitfähigkeit vom N-Typ wird normalerweise mit Mho / Zentimeter[mho/cm] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Siemens / Meter[mho/cm], Mho / Meter[mho/cm], Abmho / Meter[mho/cm] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Leitfähigkeit vom N-Typ gemessen werden kann.

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