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Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ Formel

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Die Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern (n-Typ) ist das Maß für die Leichtigkeit, mit der eine elektrische Ladung oder Wärme durch ein extrinsisches Halbleitermaterial vom n-Typ fließen kann. Überprüfen Sie FAQs

σ n = N d \cdot [Charge-e] \cdot μ n

σ_n - Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (n-Typ)?N_d - Spenderkonzentration?μ_n - Mobilität des Elektrons?[Charge-e] - Ladung eines Elektrons?

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ aus:.

5.7678 = 2E+17 \cdot 1.6E-19 \cdot 180

5.7678S/m = 2E+171/m³ \cdot 1.6E-19C \cdot 180m²/V*s

5.7678 = 2E+17 \cdot 1.6E-19 \cdot 180

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Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

σ n = N d \cdot [Charge-e] \cdot μ n

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

σ n = 2E+171/m³ \cdot [Charge-e] \cdot 180m²/V*s

Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten

∴

σ n = 2E+171/m³ \cdot 1.6E-19C \cdot 180m²/V*s

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

σ n = 2E+17 \cdot 1.6E-19 \cdot 180

Nächster Schritt Auswerten

∴

σ n = 5.767835832S/m

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

σ n = 5.7678S/m

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ Formel Elemente

Variablen

Konstanten

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (n-Typ)

Symbol: σ_n

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: S/m

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (n-Typ)

Spenderkonzentration

Die Donorkonzentration ist die Konzentration der Elektronen im Donorzustand.

Symbol: N_d

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/m³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Spenderkonzentration

Mobilität des Elektrons

Die Mobilität von Elektronen ist definiert als die Größe der durchschnittlichen Driftgeschwindigkeit pro elektrischer Feldeinheit.

Symbol: μ_n

Messung: MobilitätEinheit: m²/V*s

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Mobilität des Elektrons

Ladung eines Elektrons

Die Ladung eines Elektrons ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die elektrische Ladung eines Elektrons darstellt, bei dem es sich um ein Elementarteilchen mit einer negativen elektrischen Ladung handelt.

Symbol: [Charge-e]

Wert: 1.60217662E-19 C

Andere Formeln in der Kategorie Halbleitereigenschaften

ge Fermi-Niveau intrinsischer Halbleiter

E Fi = \frac{E c + E v}{2}

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ge Leitfähigkeit in Halbleitern

σ = (ρ e \cdot [Charge-e] \cdot μ n) + (ρ h \cdot [Charge-e] \cdot μ p)

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Wie wird Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ ausgewertet?

Der Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ-Evaluator verwendet Conductivity of Extrinsic Semiconductors (n-type) = Spenderkonzentration*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons, um Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (n-Typ), Die Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern für den N-Typ ist das Maß für die elektrische Ladung, die durch ein extrinsisches Halbleitermaterial vom n-Typ fließen kann auszuwerten. Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (n-Typ) wird durch das Symbol σ_n gekennzeichnet.

Wie wird Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ zu verwenden, geben Sie Spenderkonzentration (N_d) & Mobilität des Elektrons (μ_n) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ

Wie lautet die Formel zum Finden von Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ?

Die Formel von Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ wird als Conductivity of Extrinsic Semiconductors (n-type) = Spenderkonzentration*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 5.767836 = 2E+17*[Charge-e]*180.

Wie berechnet man Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ?

Mit Spenderkonzentration (N_d) & Mobilität des Elektrons (μ_n) können wir Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ mithilfe der Formel - Conductivity of Extrinsic Semiconductors (n-type) = Spenderkonzentration*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons finden. Diese Formel verwendet auch Ladung eines Elektrons Konstante(n).

Kann Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ negativ sein?

Ja, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ verwendet?

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ wird normalerweise mit Siemens / Meter[S/m] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Mho / Meter[S/m], Mho / Zentimeter[S/m], Abmho / Meter[S/m] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ gemessen werden kann.

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