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Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung Formel

geLeitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET Formel

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Der Leitwert eines Kanals wird typischerweise als das Verhältnis des durch den Kanal fließenden Stroms zur Spannung an ihm definiert. Überprüfen Sie FAQs

G = μ s \cdot C ox \cdot \frac{W c}{L} \cdot (V gs - V th)

G - Leitfähigkeit des Kanals?μ_s - Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals?C_ox - Oxidkapazität?W_c - Kanalbreite?L - Kanallänge?V_gs - Gate-Source-Spannung?V_th - Grenzspannung?

Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung aus:.

6.0724 = 38 \cdot 940 \cdot \frac{10}{100} \cdot (4 - 2.3)

6.0724mS = 38m²/V*s \cdot 940μF \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot (4V - 2.3V)

6.0724 = 38 \cdot 940 \cdot \frac{10}{100} \cdot (4 - 2.3)

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

G = μ s \cdot C ox \cdot \frac{W c}{L} \cdot (V gs - V th)

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

G = 38m²/V*s \cdot 940μF \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot (4V - 2.3V)

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

G = 38m²/V*s \cdot 0.0009F \cdot \frac{1E-5m}{0.0001m} \cdot (4V - 2.3V)

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

G = 38 \cdot 0.0009 \cdot \frac{1E-5}{0.0001} \cdot (4 - 2.3)

Nächster Schritt Auswerten

∴

G = 0.0060724S

Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

G = 6.0724mS

Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung Formel Elemente

Variablen

Leitfähigkeit des Kanals

Der Leitwert eines Kanals wird typischerweise als das Verhältnis des durch den Kanal fließenden Stroms zur Spannung an ihm definiert.

Symbol: G

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Leitfähigkeit des Kanals

Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals

Die Beweglichkeit von Elektronen an der Oberfläche eines Kanals bezieht sich auf die Fähigkeit von Elektronen, sich durch die Oberfläche eines Halbleitermaterials zu bewegen oder zu wandern, beispielsweise einen Siliziumkanal in einem Transistor.

Symbol: μ_s

Messung: MobilitätEinheit: m²/V*s