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Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI Formel

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Die Leistungsdichte nach Spannungsskalierung ist als Maß für die Leistungsabgabe pro Flächeneinheit definiert. Es quantifiziert die Leistungsverteilung innerhalb eines bestimmten Raums, wenn der MOSFET durch die Spannungsskalierungsmethode verkleinert wird. Überprüfen Sie FAQs

P D' = P D \cdot {(Sf)}^{3}

P_D' - Leistungsdichte nach Spannungsskalierung?P_D - Leistungsdichte-MOSFET?Sf - Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor?

Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI aus:.

67.5 = 20 \cdot {(1.5)}^{3}

67.5 = 20 \cdot {(1.5)}^{3}

67.5 = 20 \cdot {(1.5)}^{3}

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Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

P D' = P D \cdot {(Sf)}^{3}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

P D' = 20 \cdot {(1.5)}^{3}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

P D' = 20 \cdot {(1.5)}^{3}

Letzter Schritt Auswerten

∴

P D' = 67.5

Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI Formel Elemente

Variablen

Leistungsdichte nach Spannungsskalierung

Symbol: P_D'

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Leistungsdichte nach Spannungsskalierung

Leistungsdichte-MOSFET

Die Leistungsdichte eines MOSFET ist als Maß für die Leistungsabgabe pro Flächeneinheit definiert. Es quantifiziert, wie viel Energie in einem bestimmten Raum verteilt ist.

Symbol: P_D

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Leistungsdichte-MOSFET

Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

Der Skalierungsfaktor ist definiert als das Verhältnis, um das sich die Abmessungen des Transistors während des Designprozesses ändern.

Symbol: Sf

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor

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Wie wird Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI ausgewertet?

Der Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI-Evaluator verwendet Power Density after Voltage Scaling = Leistungsdichte-MOSFET*(Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor)^3, um Leistungsdichte nach Spannungsskalierung, Die VLSI-Formel „Leistungsdichte nach Spannungsskalierung“ ist als Maß für die Leistungsabgabe pro Flächeneinheit definiert. Es quantifiziert die Leistungsverteilung innerhalb eines bestimmten Raums, wenn der MOSFET durch die Spannungsskalierungsmethode verkleinert wird auszuwerten. Leistungsdichte nach Spannungsskalierung wird durch das Symbol P_D' gekennzeichnet.

Wie wird Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI zu verwenden, geben Sie Leistungsdichte-MOSFET (P_D) & Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor (Sf) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI

Wie lautet die Formel zum Finden von Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI?

Die Formel von Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI wird als Power Density after Voltage Scaling = Leistungsdichte-MOSFET*(Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor)^3 ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 67.5 = 20*(1.5)^3.

Wie berechnet man Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI?

Mit Leistungsdichte-MOSFET (P_D) & Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor (Sf) können wir Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI mithilfe der Formel - Power Density after Voltage Scaling = Leistungsdichte-MOSFET*(Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor)^3 finden.

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