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Ladungsdichte im Verarmungsbereich Formel

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Die Ladungsdichte der Verarmungsschicht ist die Menge dieser festen Ladungen pro Flächeneinheit innerhalb der Verarmungsregion. Überprüfen Sie FAQs

Q d = (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (Φ s - Φ f)})

Q_d - Dichte der Sperrschichtladung?N_A - Dopingkonzentration des Akzeptors?Φ_s - Oberflächenpotential?Φ_f - Bulk-Fermi-Potenzial?[Charge-e] - Ladung eines Elektrons?[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium?

Ladungsdichte im Verarmungsbereich Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Ladungsdichte im Verarmungsbereich aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Ladungsdichte im Verarmungsbereich aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Ladungsdichte im Verarmungsbereich aus:.

1.6E-6 = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78 - 0.25)})

1.6E-6electrons/m³ = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78V - 0.25V)})

1.6E-6 = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78 - 0.25)})

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Ladungsdichte im Verarmungsbereich Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Ladungsdichte im Verarmungsbereich?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

Q d = (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (Φ s - Φ f)})

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

Q d = (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78V - 0.25V)})

Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten

∴

Q d = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78V - 0.25V)})

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

Q d = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6electrons/m³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78V - 0.25V)})

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

Q d = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6 \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78 - 0.25)})

Nächster Schritt Auswerten

∴

Q d = 1.61952637096272E-06electrons/m³

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

Q d = 1.6E-6electrons/m³

Ladungsdichte im Verarmungsbereich Formel Elemente

Variablen

Konstanten

Funktionen

Dichte der Sperrschichtladung

Die Ladungsdichte der Verarmungsschicht ist die Menge dieser festen Ladungen pro Flächeneinheit innerhalb der Verarmungsregion.

Symbol: Q_d

Messung: ElektronendichteEinheit: electrons/m³

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Dichte der Sperrschichtladung

Dopingkonzentration des Akzeptors

Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.

Symbol: N_A

Messung: ElektronendichteEinheit: electrons/cm³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Dopingkonzentration des Akzeptors

Oberflächenpotential

Oberflächenpotential ist das elektrische Potential an der Oberfläche des Halbleiters, insbesondere an der Grenzfläche zwischen Halbleiter und Isolator.

Symbol: Φ_s

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Oberflächenpotential

Bulk-Fermi-Potenzial

Das Bulk-Fermi-Potenzial ist ein Parameter, der das elektrostatische Potential in der Masse (im Inneren) eines Halbleitermaterials beschreibt.

Symbol: Φ_f

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Bulk-Fermi-Potenzial

Ladung eines Elektrons

Die Ladung eines Elektrons ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die elektrische Ladung eines Elektrons darstellt, bei dem es sich um ein Elementarteilchen mit einer negativen elektrischen Ladung handelt.

Symbol: [Charge-e]

Wert: 1.60217662E-19 C

Permittivität von Silizium

Die Permittivität von Silizium misst seine Fähigkeit, elektrische Energie in einem elektrischen Feld zu speichern, was in der Halbleitertechnologie von entscheidender Bedeutung ist.

Symbol: [Permitivity-silicon]

Wert: 11.7

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

modulus

Der Modul einer Zahl ist der Rest, wenn diese Zahl durch eine andere Zahl geteilt wird.

Syntax: modulus

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ge Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit

C jsw = C j0sw \cdot x j

ge Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

ge Fermipotential für P-Typ

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

ge Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

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Wie wird Ladungsdichte im Verarmungsbereich ausgewertet?

Der Ladungsdichte im Verarmungsbereich-Evaluator verwendet Density of Depletion Layer Charge = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingkonzentration des Akzeptors*modulus(Oberflächenpotential-Bulk-Fermi-Potenzial))), um Dichte der Sperrschichtladung, Die Formel für die Ladungsdichte der Verarmungsregion ist definiert als die Menge der festen Ladungen pro Flächeneinheit innerhalb der Verarmungsregion auszuwerten. Dichte der Sperrschichtladung wird durch das Symbol Q_d gekennzeichnet.

Wie wird Ladungsdichte im Verarmungsbereich mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Ladungsdichte im Verarmungsbereich zu verwenden, geben Sie Dopingkonzentration des Akzeptors (N_A), Oberflächenpotential (Φ_s) & Bulk-Fermi-Potenzial (Φ_f) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Ladungsdichte im Verarmungsbereich

Wie lautet die Formel zum Finden von Ladungsdichte im Verarmungsbereich?

Die Formel von Ladungsdichte im Verarmungsbereich wird als Density of Depletion Layer Charge = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingkonzentration des Akzeptors*modulus(Oberflächenpotential-Bulk-Fermi-Potenzial))) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 1.6E-6 = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(0.78-0.25))).

Wie berechnet man Ladungsdichte im Verarmungsbereich?

Mit Dopingkonzentration des Akzeptors (N_A), Oberflächenpotential (Φ_s) & Bulk-Fermi-Potenzial (Φ_f) können wir Ladungsdichte im Verarmungsbereich mithilfe der Formel - Density of Depletion Layer Charge = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingkonzentration des Akzeptors*modulus(Oberflächenpotential-Bulk-Fermi-Potenzial))) finden. Diese Formel verwendet auch die Funktion(en) Ladung eines Elektrons, Permittivität von Silizium Konstante(n) und , Quadratwurzel (sqrt), Modul (Modul).

Kann Ladungsdichte im Verarmungsbereich negativ sein?

Ja, der in Elektronendichte gemessene Ladungsdichte im Verarmungsbereich kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Ladungsdichte im Verarmungsbereich verwendet?

Ladungsdichte im Verarmungsbereich wird normalerweise mit Elektronen pro Kubikmeter[electrons/m³] für Elektronendichte gemessen. Elektronen pro Kubikzentimeter[electrons/m³] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Ladungsdichte im Verarmungsbereich gemessen werden kann.

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