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Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS Formel

geLadung der Inversionsschicht in PMOS Formel

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Unter Inversionsschichtladung versteht man die Ansammlung von Ladungsträgern an der Grenzfläche zwischen dem Halbleiter und der isolierenden Oxidschicht, wenn eine Spannung an die Gate-Elektrode angelegt wird. Überprüfen Sie FAQs

Q p = - C ox \cdot (V GS - V T - V DS)

Q_p - Ladung der Inversionsschicht?C_ox - Oxidkapazität?V_GS - Spannung zwischen Gate und Source?V_T - Grenzspannung?V_DS - Spannung zwischen Drain und Source?

Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

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So sieht die Gleichung Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS aus:.

0.0002 = - 0.0008 \cdot (2.86 - 0.7 - 2.45)

0.0002C/m² = - 0.0008F \cdot (2.86V - 0.7V - 2.45V)

0.0002 = - 0.0008 \cdot (2.86 - 0.7 - 2.45)

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

Q p = - C ox \cdot (V GS - V T - V DS)

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

Q p = - 0.0008F \cdot (2.86V - 0.7V - 2.45V)

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

Q p = - 0.0008 \cdot (2.86 - 0.7 - 2.45)

Nächster Schritt Auswerten

∴

Q p = 0.000232C/m²

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

Q p = 0.0002C/m²

Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS Formel Elemente

Variablen

Ladung der Inversionsschicht

Symbol: Q_p

Messung: OberflächenladungsdichteEinheit: C/m²

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Ladung der Inversionsschicht

Oxidkapazität

Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.

Symbol: C_ox

Messung: KapazitätEinheit: F

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Oxidkapazität

Spannung zwischen Gate und Source

Die Spannung zwischen Gate und Source eines Feldeffekttransistors (FET) wird als Gate-Source-Spannung (VGS) bezeichnet. Dies ist ein wichtiger Parameter, der den Betrieb des FET beeinflusst.

Symbol: V_GS

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Spannung zwischen Gate und Source

Grenzspannung

Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.

Symbol: V_T

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Grenzspannung

Spannung zwischen Drain und Source

Die Spannung zwischen Drain und Source ist ein Schlüsselparameter beim Betrieb eines Feldeffekttransistors (FET) und wird oft als „Drain-Source-Spannung“ oder VDS bezeichnet.

Symbol: V_DS

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Spannung zwischen Drain und Source

Andere Formeln zum Finden von Ladung der Inversionsschicht

ge Ladung der Inversionsschicht in PMOS

Q p = - C ox \cdot (V GS - V T)

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ge Drainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

ge Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

ge Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

ge Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

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Wie wird Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS ausgewertet?

Der Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS-Evaluator verwendet Inversion Layer Charge = -Oxidkapazität*(Spannung zwischen Gate und Source-Grenzspannung-Spannung zwischen Drain und Source), um Ladung der Inversionsschicht, Die Inversionsschichtladung im Abschnürzustand in der PMOS-Formel ist definiert als die Inversionsschichtladung im Abschnürzustand in einem PMOS-Transistor ist die Ladungsmenge, die sich an der Grenzfläche zwischen dem p-Typ-Substrat und der Oxidschicht ansammelt, wenn die Der Transistor befindet sich im ausgeschalteten Zustand und bestimmt die Leitfähigkeit des Transistors, wenn er eingeschaltet ist auszuwerten. Ladung der Inversionsschicht wird durch das Symbol Q_p gekennzeichnet.

Wie wird Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS zu verwenden, geben Sie Oxidkapazität (C_ox), Spannung zwischen Gate und Source (V_GS), Grenzspannung (V_T) & Spannung zwischen Drain und Source (V_DS) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS

Wie lautet die Formel zum Finden von Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS?

Die Formel von Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS wird als Inversion Layer Charge = -Oxidkapazität*(Spannung zwischen Gate und Source-Grenzspannung-Spannung zwischen Drain und Source) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.000232 = -0.0008*(2.86-0.7-2.45).

Wie berechnet man Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS?

Mit Oxidkapazität (C_ox), Spannung zwischen Gate und Source (V_GS), Grenzspannung (V_T) & Spannung zwischen Drain und Source (V_DS) können wir Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS mithilfe der Formel - Inversion Layer Charge = -Oxidkapazität*(Spannung zwischen Gate und Source-Grenzspannung-Spannung zwischen Drain und Source) finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Ladung der Inversionsschicht?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Ladung der Inversionsschicht-

Inversion Layer Charge=-Oxide Capacitance*(Voltage between Gate and Source-Threshold Voltage)

Kann Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS negativ sein?

Ja, der in Oberflächenladungsdichte gemessene Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS verwendet?

Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS wird normalerweise mit Coulomb pro Quadratmeter[C/m²] für Oberflächenladungsdichte gemessen. Coulomb pro Quadratzentimeter[C/m²], Coulomb pro Quadratzoll[C/m²], Abcoulomb pro Quadratmeter[C/m²] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS gemessen werden kann.

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Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS Formel

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