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Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI Formel

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Unter Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung versteht man eine Verringerung der Schwellenspannung des MOSFET aufgrund des Kurzkanaleffekts. Überprüfen Sie FAQs

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |} \cdot x j}{C oxide \cdot 2 \cdot L} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dS}{x j}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dD}{x j}} - 1))

ΔV_T0 - Reduzierung der Schwellenspannung im kurzen Kanal?N_A - Akzeptorkonzentration?Φ_s - Oberflächenpotential?x_j - Verbindungstiefe?C_oxide - Oxidkapazität pro Flächeneinheit?L - Kanallänge?x_dS - Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle?x_dD - Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss?[Charge-e] - Ladung eines Elektrons?[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium?[Permitivity-vacuum] - Permittivität des Vakuums?

Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI aus:.

0.4672 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |} \cdot 2}{0.0703 \cdot 2 \cdot 2.5} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314}{2}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534}{2}} - 1))

0.4672V = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2μm}{0.0703μF/cm² \cdot 2 \cdot 2.5μm} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314μm}{2μm}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534μm}{2μm}} - 1))

0.4672 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |} \cdot 2}{0.0703 \cdot 2 \cdot 2.5} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314}{2}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534}{2}} - 1))

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |} \cdot x j}{C oxide \cdot 2 \cdot L} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dS}{x j}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dD}{x j}} - 1))

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2μm}{0.0703μF/cm² \cdot 2 \cdot 2.5μm} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314μm}{2μm}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534μm}{2μm}} - 1))

Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2μm}{0.0703μF/cm² \cdot 2 \cdot 2.5μm} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314μm}{2μm}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534μm}{2μm}} - 1))

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+221/m³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2E-6m}{0.0007F/m² \cdot 2 \cdot 2.5E-6m} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 3.1E-7m}{2E-6m}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 5.3E-7m}{2E-6m}} - 1))

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+22 \cdot | 2 \cdot 6.86 |} \cdot 2E-6}{0.0007 \cdot 2 \cdot 2.5E-6} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 3.1E-7}{2E-6}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 5.3E-7}{2E-6}} - 1))

Nächster Schritt Auswerten

∴

ΔV T0 = 0.467200582407994V

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

ΔV T0 = 0.4672V

Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI Formel Elemente

Variablen

Konstanten

Funktionen

Reduzierung der Schwellenspannung im kurzen Kanal

Unter Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung versteht man eine Verringerung der Schwellenspannung des MOSFET aufgrund des Kurzkanaleffekts.

Symbol: ΔV_T0

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Reduzierung der Schwellenspannung im kurzen Kanal

Akzeptorkonzentration

Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.

Symbol: N_A

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/cm³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Akzeptorkonzentration

Oberflächenpotential

Das Oberflächenpotential ist ein Schlüsselparameter bei der Bewertung der Gleichstromeigenschaft von Dünnschichttransistoren.

Symbol: Φ_s

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Oberflächenpotential

Verbindungstiefe

Die Übergangstiefe ist definiert als der Abstand von der Oberfläche eines Halbleitermaterials bis zu dem Punkt, an dem eine signifikante Änderung der Konzentration von Dotierstoffatomen auftritt.

Symbol: x_j

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Verbindungstiefe

Oxidkapazität pro Flächeneinheit

Die Oxidkapazität pro Flächeneinheit ist definiert als die Kapazität pro Flächeneinheit der isolierenden Oxidschicht, die das Metallgate vom Halbleitermaterial trennt.

Symbol: C_oxide

Messung: Oxidkapazität pro FlächeneinheitEinheit: μF/cm²

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Oxidkapazität pro Flächeneinheit

Kanallänge

Die Kanallänge bezieht sich auf die physikalische Länge des Halbleitermaterials zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen innerhalb der Transistorstruktur.

Symbol: L

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kanallänge

Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle

Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Quelle ist definiert als der Bereich um einen PN-Übergang, in dem Ladungsträger aufgrund der Bildung eines elektrischen Feldes verarmt sind.

Symbol: x_dS

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle

Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss

Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Drain ist definiert als die Ausdehnung des Verarmungsbereichs in das Halbleitermaterial in der Nähe des Drain-Anschlusses.

Symbol: x_dD

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss

Ladung eines Elektrons

Die Ladung eines Elektrons ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die elektrische Ladung eines Elektrons darstellt, bei dem es sich um ein Elementarteilchen mit einer negativen elektrischen Ladung handelt.

Symbol: [Charge-e]

Wert: 1.60217662E-19 C

Permittivität von Silizium

Die Permittivität von Silizium misst seine Fähigkeit, elektrische Energie in einem elektrischen Feld zu speichern, was in der Halbleitertechnologie von entscheidender Bedeutung ist.

Symbol: [Permitivity-silicon]

Wert: 11.7

Permittivität des Vakuums

Die Permittivität des Vakuums ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die Fähigkeit eines Vakuums beschreibt, die Übertragung elektrischer Feldlinien zu ermöglichen.

Symbol: [Permitivity-vacuum]

Wert: 8.85E-12 F/m

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

abs

Der Absolutwert einer Zahl ist ihr Abstand von Null auf der Zahlenlinie. Es handelt sich immer um einen positiven Wert, da er die Größe einer Zahl ohne Berücksichtigung ihrer Richtung darstellt.

Syntax: abs(Number)

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ge Body-Effect-Koeffizient

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

ge Kanalladung

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

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Wie wird Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI ausgewertet?

Der Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI-Evaluator verwendet Short Channel Threshold Voltage Reduction = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Akzeptorkonzentration*abs(2*Oberflächenpotential))*Verbindungstiefe)/(Oxidkapazität pro Flächeneinheit*2*Kanallänge)*((sqrt(1+(2*Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle)/Verbindungstiefe)-1)+(sqrt(1+(2*Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss)/Verbindungstiefe)-1)), um Reduzierung der Schwellenspannung im kurzen Kanal, Die VLSI-Formel zur Reduzierung der Schwellenspannung bei kurzen Kanälen ist definiert als eine Verringerung der Schwellenspannung des MOSFET aufgrund des Kurzkanaleffekts auszuwerten. Reduzierung der Schwellenspannung im kurzen Kanal wird durch das Symbol ΔV_T0 gekennzeichnet.

Wie wird Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI zu verwenden, geben Sie Akzeptorkonzentration (N_A), Oberflächenpotential (Φ_s), Verbindungstiefe (x_j), Oxidkapazität pro Flächeneinheit (C_oxide), Kanallänge (L), Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle (x_dS) & Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss (x_dD) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI

Wie lautet die Formel zum Finden von Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI?

Die Formel von Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI wird als Short Channel Threshold Voltage Reduction = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Akzeptorkonzentration*abs(2*Oberflächenpotential))*Verbindungstiefe)/(Oxidkapazität pro Flächeneinheit*2*Kanallänge)*((sqrt(1+(2*Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle)/Verbindungstiefe)-1)+(sqrt(1+(2*Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss)/Verbindungstiefe)-1)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.467201 = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*1E+22*abs(2*6.86))*2E-06)/(0.000703*2*2.5E-06)*((sqrt(1+(2*3.14E-07)/2E-06)-1)+(sqrt(1+(2*5.34E-07)/2E-06)-1)).

Wie berechnet man Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI?

Mit Akzeptorkonzentration (N_A), Oberflächenpotential (Φ_s), Verbindungstiefe (x_j), Oxidkapazität pro Flächeneinheit (C_oxide), Kanallänge (L), Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle (x_dS) & Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss (x_dD) können wir Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI mithilfe der Formel - Short Channel Threshold Voltage Reduction = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Akzeptorkonzentration*abs(2*Oberflächenpotential))*Verbindungstiefe)/(Oxidkapazität pro Flächeneinheit*2*Kanallänge)*((sqrt(1+(2*Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle)/Verbindungstiefe)-1)+(sqrt(1+(2*Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss)/Verbindungstiefe)-1)) finden. Diese Formel verwendet auch die Funktion(en) Ladung eines Elektrons, Permittivität von Silizium, Permittivität des Vakuums Konstante(n) und , Quadratwurzel (sqrt), Absolut (abs).

Kann Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI verwendet?

Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI gemessen werden kann.

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