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Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI Formel

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Der Kurzkanal-Sättigungsstrom ist definiert als der maximale Strom, der durch einen Kurzkanal-Transistor fließen kann, wenn er sich im Sättigungsmodus befindet. Überprüfen Sie FAQs
ID(sat)=Wc⋅vd(sat)⋅Coxide⋅VDsat
ID(sat) - Kurzkanal-Sättigungsstrom?Wc - Kanalbreite?vd(sat) - Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit?Coxide - Oxidkapazität pro Flächeneinheit?VDsat - Sättigungs-Drain-Quellenspannung?

Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
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So sieht die Gleichung Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI aus:.

527.25Edit=2.5Edit⋅2E+7Edit⋅0.0703Edit⋅1.5Edit
Lösung
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Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
ID(sat)=Wc⋅vd(sat)⋅Coxide⋅VDsat
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
∴ ID(sat)=2.5μm⋅2E+7cm/s⋅0.0703μF/cm²⋅1.5V
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
∴ ID(sat)=2.5E-6m⋅200000m/s⋅0.0007F/m²⋅1.5V
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
∴ ID(sat)=2.5E-6⋅200000⋅0.0007⋅1.5
Nächster Schritt Auswerten
∴ID(sat)=0.00052725A
Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen
∴ID(sat)=527.25µA

Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI Formel Elemente

Variablen
Kurzkanal-Sättigungsstrom
Der Kurzkanal-Sättigungsstrom ist definiert als der maximale Strom, der durch einen Kurzkanal-Transistor fließen kann, wenn er sich im Sättigungsmodus befindet.
Symbol: ID(sat)
Messung: Elektrischer StromEinheit: µA
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Formeln zum Finden von Kurzkanal-SättigungsstromOpen Variable
Kanalbreite
Die Kanalbreite ist definiert als die physikalische Breite des Halbleiterkanals zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen innerhalb der Transistorstruktur.
Symbol: Wc
Messung: LängeEinheit: μm
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Formeln zum Finden von KanalbreiteOpen Variable
Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit
Die Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit ist definiert als die maximale Geschwindigkeit, die Elektronen in einem Halbleitermaterial unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes erreichen.
Symbol: vd(sat)
Messung: GeschwindigkeitEinheit: cm/s
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Formeln zum Finden von SättigungselektronendriftgeschwindigkeitOpen Variable
Oxidkapazität pro Flächeneinheit
Die Oxidkapazität pro Flächeneinheit ist definiert als die Kapazität pro Flächeneinheit der isolierenden Oxidschicht, die das Metallgate vom Halbleitermaterial trennt.
Symbol: Coxide
Messung: Oxidkapazität pro FlächeneinheitEinheit: μF/cm²
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Formeln zum Finden von Oxidkapazität pro FlächeneinheitOpen Variable
Sättigungs-Drain-Quellenspannung
Die Sättigungs-Drain-Source-Spannung ist definiert als die Spannung an den Drain- und Source-Anschlüssen eines MOSFET, wenn der Transistor im Sättigungsmodus arbeitet.
Symbol: VDsat
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Formeln zum Finden von Sättigungs-Drain-QuellenspannungOpen Variable

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​ge Body-Effect-Koeffizient
γ=modu̲s(Vt-Vt0Φs+(Vsb)-Φs)
​ge Kanalladung
Qch=Cg⋅(Vgc-Vt)
​ge Kritische Spannung
Vx=Ex⋅Ech
​ge DIBL-Koeffizient
η=Vt0-VtVds

Wie wird Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI ausgewertet?

Der Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI-Evaluator verwendet Short Channel Saturation Current = Kanalbreite*Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit*Oxidkapazität pro Flächeneinheit*Sättigungs-Drain-Quellenspannung, um Kurzkanal-Sättigungsstrom, Die VLSI-Formel für den Kurzkanal-Sättigungsstrom ist definiert als der maximale Strom, der durch einen Kurzkanal-Transistor fließen kann, wenn er sich im Sättigungsmodus befindet auszuwerten. Kurzkanal-Sättigungsstrom wird durch das Symbol ID(sat) gekennzeichnet.

Wie wird Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI zu verwenden, geben Sie Kanalbreite (Wc), Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit (vd(sat)), Oxidkapazität pro Flächeneinheit (Coxide) & Sättigungs-Drain-Quellenspannung (VDsat) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI

Wie lautet die Formel zum Finden von Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI?
Die Formel von Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI wird als Short Channel Saturation Current = Kanalbreite*Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit*Oxidkapazität pro Flächeneinheit*Sättigungs-Drain-Quellenspannung ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 5.3E+8 = 2.5E-06*200000*0.000703*1.5.
Wie berechnet man Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI?
Mit Kanalbreite (Wc), Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit (vd(sat)), Oxidkapazität pro Flächeneinheit (Coxide) & Sättigungs-Drain-Quellenspannung (VDsat) können wir Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI mithilfe der Formel - Short Channel Saturation Current = Kanalbreite*Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit*Oxidkapazität pro Flächeneinheit*Sättigungs-Drain-Quellenspannung finden.
Kann Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI negativ sein?
NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI kann kann nicht negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI verwendet?
Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI wird normalerweise mit Mikroampere[µA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[µA], Milliampere[µA], Centiampere[µA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI gemessen werden kann.
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