Kritisches elektrisches Feld Formel

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Das kritische elektrische Feld ist definiert als die elektrische Kraft pro Ladungseinheit. Überprüfen Sie FAQs
Ec=2Vsatµe
Ec - Kritisches elektrisches Feld?Vsat - Geschwindigkeitssättigung?µe - Mobilität des Elektrons?

Kritisches elektrisches Feld Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Kritisches elektrisches Feld aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Kritisches elektrisches Feld aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Kritisches elektrisches Feld aus:.

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Kritisches elektrisches Feld Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Kritisches elektrisches Feld?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
Ec=2Vsatµe
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
Ec=210.12mm/s49.8cm²/V*s
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
Ec=20.0101m/s0.005m²/V*s
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
Ec=20.01010.005
Nächster Schritt Auswerten
Ec=4.06425702811245V/m
Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen
Ec=0.00406425702811245V/mm
Letzter Schritt Rundungsantwort
Ec=0.0041V/mm

Kritisches elektrisches Feld Formel Elemente

Variablen
Kritisches elektrisches Feld
Das kritische elektrische Feld ist definiert als die elektrische Kraft pro Ladungseinheit.
Symbol: Ec
Messung: Elektrische FeldstärkeEinheit: V/mm
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Geschwindigkeitssättigung
Geschwindigkeitssättigung ist das Phänomen, bei dem sich Träger einer maximalen Geschwindigkeit vsat nähern, wenn hohe Felder angelegt werden.
Symbol: Vsat
Messung: GeschwindigkeitEinheit: mm/s
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Mobilität des Elektrons
Die Mobilität von Elektronen ist definiert als die Größe der durchschnittlichen Driftgeschwindigkeit pro elektrischer Feldeinheit.
Symbol: µe
Messung: MobilitätEinheit: cm²/V*s
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Andere Formeln in der Kategorie Eigenschaften der CMOS-Schaltung

​ge Kritische CMOS-Spannung
Vc=EcL
​ge CMOS mittlerer freier Pfad
L=VcEc
​ge Breite der Quellendiffusion
W=AsDs
​ge Bereich der Quellendiffusion
As=DsW

Wie wird Kritisches elektrisches Feld ausgewertet?

Der Kritisches elektrisches Feld-Evaluator verwendet Critical Electric Field = (2*Geschwindigkeitssättigung)/Mobilität des Elektrons, um Kritisches elektrisches Feld, Die CMOS-Formel für das kritische elektrische Feld ist definiert als das elektrische Feld, bei dem die Geschwindigkeit des Trägers gesättigt ist. Der Energieverlust ist auf die Kollisionen von Trägern zurückzuführen, die als Streueffekt bezeichnet werden auszuwerten. Kritisches elektrisches Feld wird durch das Symbol Ec gekennzeichnet.

Wie wird Kritisches elektrisches Feld mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Kritisches elektrisches Feld zu verwenden, geben Sie Geschwindigkeitssättigung (Vsat) & Mobilität des Elektrons e) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Kritisches elektrisches Feld

Wie lautet die Formel zum Finden von Kritisches elektrisches Feld?
Die Formel von Kritisches elektrisches Feld wird als Critical Electric Field = (2*Geschwindigkeitssättigung)/Mobilität des Elektrons ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 4.1E-6 = (2*0.01012)/0.00498.
Wie berechnet man Kritisches elektrisches Feld?
Mit Geschwindigkeitssättigung (Vsat) & Mobilität des Elektrons e) können wir Kritisches elektrisches Feld mithilfe der Formel - Critical Electric Field = (2*Geschwindigkeitssättigung)/Mobilität des Elektrons finden.
Kann Kritisches elektrisches Feld negativ sein?
NEIN, der in Elektrische Feldstärke gemessene Kritisches elektrisches Feld kann kann nicht negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Kritisches elektrisches Feld verwendet?
Kritisches elektrisches Feld wird normalerweise mit Volt pro Millimeter[V/mm] für Elektrische Feldstärke gemessen. Volt pro Meter[V/mm], Kilovolt pro Meter[V/mm], Millivolt pro Meter[V/mm] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Kritisches elektrisches Feld gemessen werden kann.
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