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Kritische CMOS-Spannung Formel

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Die kritische Spannung im CMOS ist die minimale Phasenspannung zur Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Leitungsleiters leuchtet und auftritt. Überprüfen Sie FAQs

V c = E c \cdot L

V_c - Kritische Spannung im CMOS?E_c - Kritisches elektrisches Feld?L - Mittlerer freier Pfad?

Kritische CMOS-Spannung Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Kritische CMOS-Spannung aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Kritische CMOS-Spannung aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Kritische CMOS-Spannung aus:.

2.7903 = 0.004 \cdot 697.57

2.7903V = 0.004V/mm \cdot 697.57mm

2.7903 = 0.004 \cdot 697.57

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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CMOS-Design und Anwendungen » fx Kritische CMOS-Spannung

Kritische CMOS-Spannung Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Kritische CMOS-Spannung?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

V c = E c \cdot L

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

V c = 0.004V/mm \cdot 697.57mm

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

V c = 4V/m \cdot 0.6976m

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

V c = 4 \cdot 0.6976

Nächster Schritt Auswerten

∴

V c = 2.79028V

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

V c = 2.7903V

Kritische CMOS-Spannung Formel Elemente

Variablen

Kritische Spannung im CMOS

Die kritische Spannung im CMOS ist die minimale Phasenspannung zur Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Leitungsleiters leuchtet und auftritt.

Symbol: V_c

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kritische Spannung im CMOS

Kritisches elektrisches Feld

Das kritische elektrische Feld ist definiert als die elektrische Kraft pro Ladungseinheit.

Symbol: E_c

Messung: Elektrische FeldstärkeEinheit: V/mm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kritisches elektrisches Feld

Mittlerer freier Pfad

Die mittlere freie Weglänge ist definiert als die durchschnittliche Distanz, die ein sich bewegendes Teilchen zwischen aufeinanderfolgenden Stößen zurücklegt, wodurch sich seine Richtung, Energie oder andere Teilcheneigenschaften ändern.

Symbol: L

Messung: LängeEinheit: mm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Mittlerer freier Pfad

Andere Formeln in der Kategorie Eigenschaften der CMOS-Schaltung

ge CMOS mittlerer freier Pfad

L = \frac{V c}{E c}

ge Breite der Quellendiffusion

W = \frac{A s}{D s}

ge Bereich der Quellendiffusion

A s = D s \cdot W

ge Breite des Verarmungsbereichs

L d = L pn - L eff

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Wie wird Kritische CMOS-Spannung ausgewertet?

Der Kritische CMOS-Spannung-Evaluator verwendet Critical Voltage in CMOS = Kritisches elektrisches Feld*Mittlerer freier Pfad, um Kritische Spannung im CMOS, Die Formel für die kritische CMOS-Spannung ist definiert als die Spannung zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen unter Bedingungen von Basisstrom oder Basis-Emitter-Spannung, über die hinaus der Kollektorstrom im Wesentlichen konstant bleibt, wenn der Basisstrom oder die Basisspannung erhöht wird auszuwerten. Kritische Spannung im CMOS wird durch das Symbol V_c gekennzeichnet.

Wie wird Kritische CMOS-Spannung mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Kritische CMOS-Spannung zu verwenden, geben Sie Kritisches elektrisches Feld (E_c) & Mittlerer freier Pfad (L) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Kritische CMOS-Spannung

Wie lautet die Formel zum Finden von Kritische CMOS-Spannung?

Die Formel von Kritische CMOS-Spannung wird als Critical Voltage in CMOS = Kritisches elektrisches Feld*Mittlerer freier Pfad ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 2.79828 = 4*0.69757.

Wie berechnet man Kritische CMOS-Spannung?

Mit Kritisches elektrisches Feld (E_c) & Mittlerer freier Pfad (L) können wir Kritische CMOS-Spannung mithilfe der Formel - Critical Voltage in CMOS = Kritisches elektrisches Feld*Mittlerer freier Pfad finden.

Kann Kritische CMOS-Spannung negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Kritische CMOS-Spannung kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Kritische CMOS-Spannung verwendet?

Kritische CMOS-Spannung wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Kritische CMOS-Spannung gemessen werden kann.

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