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Körpereffekt in PMOS Formel

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Eine Änderung der Schwellenspannung kann durch verschiedene Faktoren verursacht werden, darunter Temperaturänderungen, Strahlungseinwirkung und Alterung. Überprüfen Sie FAQs

ΔV t = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

ΔV_t - Änderung der Schwellenspannung?V_T - Grenzspannung?γ - Herstellungsprozessparameter?φ_f - Physikalischer Parameter?V_SB - Spannung zwischen Körper und Quelle?

Körpereffekt in PMOS Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Körpereffekt in PMOS aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Körpereffekt in PMOS aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Körpereffekt in PMOS aus:.

1.6005 = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

1.6005V = 0.7V + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6V + 10V} - \sqrt{2 \cdot 0.6V})

1.6005 = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Körpereffekt in PMOS Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Körpereffekt in PMOS?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

ΔV t = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

ΔV t = 0.7V + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6V + 10V} - \sqrt{2 \cdot 0.6V})

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

ΔV t = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

Nächster Schritt Auswerten

∴

ΔV t = 1.60047799645039V

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

ΔV t = 1.6005V

Körpereffekt in PMOS Formel Elemente

Variablen

Funktionen

Änderung der Schwellenspannung

Eine Änderung der Schwellenspannung kann durch verschiedene Faktoren verursacht werden, darunter Temperaturänderungen, Strahlungseinwirkung und Alterung.

Symbol: ΔV_t

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Änderung der Schwellenspannung

Grenzspannung

Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.

Symbol: V_T

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Grenzspannung

Herstellungsprozessparameter

Der Parameter des Herstellungsprozesses ist der Prozess, der mit der Oxidation des Siliziumsubstrats beginnt, bei dem eine relativ dicke Oxidschicht auf der Oberfläche abgeschieden wird.

Symbol: γ

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Herstellungsprozessparameter

Physikalischer Parameter

Physikalische Parameter können verwendet werden, um den Zustand oder Zustand eines physikalischen Systems zu beschreiben oder um die Art und Weise zu charakterisieren, wie das System auf verschiedene Reize oder Eingaben reagiert.

Symbol: φ_f

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Physikalischer Parameter

Spannung zwischen Körper und Quelle

Die Spannung zwischen Körper und Quelle ist wichtig, da sie Auswirkungen auf den sicheren Betrieb elektronischer Geräte haben kann.

Symbol: V_SB

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Spannung zwischen Körper und Quelle

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

Andere Formeln in der Kategorie P-Kanal-Verbesserung

ge Drainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

ge Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

ge Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

ge Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

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Wie wird Körpereffekt in PMOS ausgewertet?

Der Körpereffekt in PMOS-Evaluator verwendet Change in Threshold Voltage = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter)), um Änderung der Schwellenspannung, Der Body-Effekt in PMOS bezieht sich auf die Änderung der Transistorschwellenspannung (V auszuwerten. Änderung der Schwellenspannung wird durch das Symbol ΔV_t gekennzeichnet.

Wie wird Körpereffekt in PMOS mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Körpereffekt in PMOS zu verwenden, geben Sie Grenzspannung (V_T), Herstellungsprozessparameter (γ), Physikalischer Parameter (φ_f) & Spannung zwischen Körper und Quelle (V_SB) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Körpereffekt in PMOS

Wie lautet die Formel zum Finden von Körpereffekt in PMOS?

Die Formel von Körpereffekt in PMOS wird als Change in Threshold Voltage = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 1.600478 = 0.7+0.4*(sqrt(2*0.6+10)-sqrt(2*0.6)).

Wie berechnet man Körpereffekt in PMOS?

Mit Grenzspannung (V_T), Herstellungsprozessparameter (γ), Physikalischer Parameter (φ_f) & Spannung zwischen Körper und Quelle (V_SB) können wir Körpereffekt in PMOS mithilfe der Formel - Change in Threshold Voltage = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter)) finden. Diese Formel verwendet auch Quadratwurzel (sqrt) Funktion(en).

Kann Körpereffekt in PMOS negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Körpereffekt in PMOS kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Körpereffekt in PMOS verwendet?

Körpereffekt in PMOS wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Körpereffekt in PMOS gemessen werden kann.

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