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Körpereffekt in NMOS Formel

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Eine Änderung der Schwellenspannung kann durch verschiedene Faktoren verursacht werden, darunter Temperaturänderungen, Strahlungseinwirkung und Alterung. Überprüfen Sie FAQs

ΔV th = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

ΔV_th - Änderung der Schwellenspannung?V_T - Grenzspannung?γ - Herstellungsprozessparameter?φ_f - Physikalischer Parameter?V_SB - Spannung zwischen Körper und Quelle?

Körpereffekt in NMOS Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Körpereffekt in NMOS aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Körpereffekt in NMOS aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Körpereffekt in NMOS aus:.

37.2244 = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

37.2244V = 1.82V + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13V + 1.8V} - \sqrt{2 \cdot 13V})

37.2244 = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Körpereffekt in NMOS Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Körpereffekt in NMOS?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

ΔV th = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

ΔV th = 1.82V + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13V + 1.8V} - \sqrt{2 \cdot 13V})

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

ΔV th = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

Nächster Schritt Auswerten

∴

ΔV th = 37.2244074665399V

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

ΔV th = 37.2244V

Körpereffekt in NMOS Formel Elemente

Variablen

Funktionen

Änderung der Schwellenspannung

Eine Änderung der Schwellenspannung kann durch verschiedene Faktoren verursacht werden, darunter Temperaturänderungen, Strahlungseinwirkung und Alterung.

Symbol: ΔV_th

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Änderung der Schwellenspannung

Grenzspannung

Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.

Symbol: V_T

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Grenzspannung

Herstellungsprozessparameter

Der Parameter des Herstellungsprozesses ist der Prozess, der mit der Oxidation des Siliziumsubstrats beginnt, bei dem eine relativ dicke Oxidschicht auf der Oberfläche abgeschieden wird.

Symbol: γ

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Herstellungsprozessparameter

Physikalischer Parameter

Physikalische Parameter können verwendet werden, um den Zustand oder Zustand eines physikalischen Systems zu beschreiben oder um die Art und Weise zu charakterisieren, wie das System auf verschiedene Reize oder Eingaben reagiert.

Symbol: φ_f

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Physikalischer Parameter

Spannung zwischen Körper und Quelle

Die Spannung zwischen Körper und Quelle ist wichtig, da sie Auswirkungen auf den sicheren Betrieb elektronischer Geräte haben kann.

Symbol: V_SB

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Spannung zwischen Körper und Quelle

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

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I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Mehr sehen OpenImg

Wie wird Körpereffekt in NMOS ausgewertet?

Der Körpereffekt in NMOS-Evaluator verwendet Change in Threshold Voltage = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter)), um Änderung der Schwellenspannung, Der Body-Effekt in NMOS bezieht sich auf die Änderung der Schwellenspannung des Transistors, die aus einer Spannungsdifferenz zwischen Source und Body des Transistors resultiert auszuwerten. Änderung der Schwellenspannung wird durch das Symbol ΔV_th gekennzeichnet.

Wie wird Körpereffekt in NMOS mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Körpereffekt in NMOS zu verwenden, geben Sie Grenzspannung (V_T), Herstellungsprozessparameter (γ), Physikalischer Parameter (φ_f) & Spannung zwischen Körper und Quelle (V_SB) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Körpereffekt in NMOS

Wie lautet die Formel zum Finden von Körpereffekt in NMOS?

Die Formel von Körpereffekt in NMOS wird als Change in Threshold Voltage = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 37.22441 = 1.82+204*(sqrt(2*13+1.8)-sqrt(2*13)).

Wie berechnet man Körpereffekt in NMOS?

Mit Grenzspannung (V_T), Herstellungsprozessparameter (γ), Physikalischer Parameter (φ_f) & Spannung zwischen Körper und Quelle (V_SB) können wir Körpereffekt in NMOS mithilfe der Formel - Change in Threshold Voltage = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter)) finden. Diese Formel verwendet auch Quadratwurzel (sqrt) Funktion(en).

Kann Körpereffekt in NMOS negativ sein?

Ja, der in Elektrisches Potenzial gemessene Körpereffekt in NMOS kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Körpereffekt in NMOS verwendet?

Körpereffekt in NMOS wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Körpereffekt in NMOS gemessen werden kann.

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