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Körpereffekt im MOSFET Formel

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Die Schwellenspannung mit Substrat ist ein entscheidender Parameter, der den Punkt definiert, an dem der Transistor beginnt, Strom von der Source zum Drain zu leiten. Überprüfen Sie FAQs

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

V_t - Schwellenspannung mit Substrat?V_th - Schwellenspannung mit Zero Body Bias?γ - Körpereffektparameter?Φ_f - Bulk-Fermi-Potenzial?V_bs - An den Körper angelegte Spannung?

Körpereffekt im MOSFET Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Körpereffekt im MOSFET aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Körpereffekt im MOSFET aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Körpereffekt im MOSFET aus:.

3.9626 = 3.4 + 0.56 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.25 + 2.43} - \sqrt{2 \cdot 0.25})

3.9626V = 3.4V + 0.56 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.25V + 2.43V} - \sqrt{2 \cdot 0.25V})

3.9626 = 3.4 + 0.56 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.25 + 2.43} - \sqrt{2 \cdot 0.25})

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Integrierte Schaltkreise (IC) » fx Körpereffekt im MOSFET

Körpereffekt im MOSFET Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Körpereffekt im MOSFET?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

V t = 3.4V + 0.56 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.25V + 2.43V} - \sqrt{2 \cdot 0.25V})

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

V t = 3.4 + 0.56 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.25 + 2.43} - \sqrt{2 \cdot 0.25})

Nächster Schritt Auswerten

∴

V t = 3.96258579757846V

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

V t = 3.9626V

Körpereffekt im MOSFET Formel Elemente

Variablen

Funktionen

Schwellenspannung mit Substrat

Die Schwellenspannung mit Substrat ist ein entscheidender Parameter, der den Punkt definiert, an dem der Transistor beginnt, Strom von der Source zum Drain zu leiten.

Symbol: V_t

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Schwellenspannung mit Substrat

Schwellenspannung mit Zero Body Bias

Die Schwellenspannung mit Zero Body Bias bezieht sich auf die Schwellenspannung, wenn keine externe Vorspannung an das Halbleitersubstrat (Body-Anschluss) angelegt wird.

Symbol: V_th

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Schwellenspannung mit Zero Body Bias

Körpereffektparameter

Der Body-Effect-Parameter ist ein Parameter, der die Empfindlichkeit der Schwellenspannung des MOSFET charakterisiert.

Symbol: γ

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Körpereffektparameter

Bulk-Fermi-Potenzial

Das Bulk-Fermi-Potenzial ist ein Parameter, der das elektrostatische Potential in der Masse (im Inneren) eines Halbleitermaterials beschreibt.

Symbol: Φ_f

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Bulk-Fermi-Potenzial

An den Körper angelegte Spannung

Die an die Karosserie angelegte Spannung ist die Spannung, die an den Karosserieanschluss angelegt wird. Diese Spannung kann erhebliche Auswirkungen auf das Verhalten und die Leistung des MOSFET haben.

Symbol: V_bs

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von An den Körper angelegte Spannung

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

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Wie wird Körpereffekt im MOSFET ausgewertet?

Der Körpereffekt im MOSFET-Evaluator verwendet Threshold Voltage with Substrate = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial)), um Schwellenspannung mit Substrat, Der Body-Effekt bei MOSFETs ist definiert als das Phänomen, das beschreibt, wie die an das Halbleitersubstrat (Körper) angelegte Spannung das Verhalten des Transistors beeinflusst. Der Body-Effekt entsteht durch die Änderung der Schwellenspannung des MOSFET, wenn die Spannung zwischen der Quelle und dem Substrat variiert wird auszuwerten. Schwellenspannung mit Substrat wird durch das Symbol V_t gekennzeichnet.

Wie wird Körpereffekt im MOSFET mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Körpereffekt im MOSFET zu verwenden, geben Sie Schwellenspannung mit Zero Body Bias (V_th), Körpereffektparameter (γ), Bulk-Fermi-Potenzial (Φ_f) & An den Körper angelegte Spannung (V_bs) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Körpereffekt im MOSFET

Wie lautet die Formel zum Finden von Körpereffekt im MOSFET?

Die Formel von Körpereffekt im MOSFET wird als Threshold Voltage with Substrate = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 3.962586 = 3.4+0.56*(sqrt(2*0.25+2.43)-sqrt(2*0.25)).

Wie berechnet man Körpereffekt im MOSFET?

Mit Schwellenspannung mit Zero Body Bias (V_th), Körpereffektparameter (γ), Bulk-Fermi-Potenzial (Φ_f) & An den Körper angelegte Spannung (V_bs) können wir Körpereffekt im MOSFET mithilfe der Formel - Threshold Voltage with Substrate = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial)) finden. Diese Formel verwendet auch Quadratwurzel (sqrt) Funktion(en).

Kann Körpereffekt im MOSFET negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Körpereffekt im MOSFET kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Körpereffekt im MOSFET verwendet?

Körpereffekt im MOSFET wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Körpereffekt im MOSFET gemessen werden kann.

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