Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen Formel

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Der Konkurrenzstrom ist definiert als der Konkurrenzstrom, der in den proportionalen Stromkreisen auftritt. Überprüfen Sie FAQs
icon=(PstVbc)-(ist+ig+ij)
icon - Konflikt aktuell?Pst - Statische CMOS-Leistung?Vbc - Basiskollektorspannung?ist - Unterschwelliger Strom?ig - Gate-Strom?ij - Kreuzungsstrom?

Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen aus:.

25.7515Edit=(67.37Edit2.02Edit)-(1.6Edit+4.5Edit+1.5Edit)
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Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
icon=(PstVbc)-(ist+ig+ij)
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
icon=(67.37mW2.02V)-(1.6mA+4.5mA+1.5mA)
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
icon=(0.0674W2.02V)-(0.0016A+0.0045A+0.0015A)
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
icon=(0.06742.02)-(0.0016+0.0045+0.0015)
Nächster Schritt Auswerten
icon=0.0257514851485149A
Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen
icon=25.7514851485149mA
Letzter Schritt Rundungsantwort
icon=25.7515mA

Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen Formel Elemente

Variablen
Konflikt aktuell
Der Konkurrenzstrom ist definiert als der Konkurrenzstrom, der in den proportionalen Stromkreisen auftritt.
Symbol: icon
Messung: Elektrischer StromEinheit: mA
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Statische CMOS-Leistung
Die statische CMOS-Leistung ist definiert als der Leckstrom aufgrund des sehr geringen statischen Stromverbrauchs in CMOS-Geräten.
Symbol: Pst
Messung: LeistungEinheit: mW
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Basiskollektorspannung
Die Basiskollektorspannung ist ein entscheidender Parameter bei der Transistorvorspannung. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Basis- und Kollektoranschlüssen des Transistors, wenn dieser sich in seinem aktiven Zustand befindet.
Symbol: Vbc
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Unterschwelliger Strom
Der Subthreshold-Strom ist ein Leckstrom unterhalb des Thresholds durch ausgeschaltete Transistoren.
Symbol: ist
Messung: Elektrischer StromEinheit: mA
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Gate-Strom
Als Gate-Strom wird definiert, wenn zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen keine Spannung anliegt und aufgrund der sehr hohen Drain-Source-Impedanz außer dem Leckstrom kein Strom im Drain fließt.
Symbol: ig
Messung: Elektrischer StromEinheit: mA
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Kreuzungsstrom
Der Sperrschichtstrom ist ein Sperrschichtleckstrom aus Source/Drain-Diffusionen.
Symbol: ij
Messung: Elektrischer StromEinheit: mA
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Andere Formeln in der Kategorie CMOS-Leistungsmetriken

​ge Aktivitätsfaktor
α=PsCVbc2f
​ge Schaltleistung
Ps=α(CVbc2f)
​ge Dynamische Leistung im CMOS
Pdyn=Psc+Ps
​ge Kurzschlussstrom im CMOS
Psc=Pdyn-Ps

Wie wird Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen ausgewertet?

Der Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen-Evaluator verwendet Contention Current = (Statische CMOS-Leistung/Basiskollektorspannung)-(Unterschwelliger Strom+Gate-Strom+Kreuzungsstrom), um Konflikt aktuell, Die Formel für den Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen ist definiert als Laden und Entladen von Lastkapazitäten. In einem vollständigen Zyklus der CMOS-Logik fließt Strom von VDD zur Lastkapazität, um sie aufzuladen, und fließt dann während der Entladung von der geladenen Lastkapazität zur Masse auszuwerten. Konflikt aktuell wird durch das Symbol icon gekennzeichnet.

Wie wird Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen zu verwenden, geben Sie Statische CMOS-Leistung (Pst), Basiskollektorspannung (Vbc), Unterschwelliger Strom (ist), Gate-Strom (ig) & Kreuzungsstrom (ij) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen

Wie lautet die Formel zum Finden von Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen?
Die Formel von Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen wird als Contention Current = (Statische CMOS-Leistung/Basiskollektorspannung)-(Unterschwelliger Strom+Gate-Strom+Kreuzungsstrom) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 25751.49 = (0.06737/2.02)-(0.0016+0.0045+0.0015).
Wie berechnet man Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen?
Mit Statische CMOS-Leistung (Pst), Basiskollektorspannung (Vbc), Unterschwelliger Strom (ist), Gate-Strom (ig) & Kreuzungsstrom (ij) können wir Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen mithilfe der Formel - Contention Current = (Statische CMOS-Leistung/Basiskollektorspannung)-(Unterschwelliger Strom+Gate-Strom+Kreuzungsstrom) finden.
Kann Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen negativ sein?
NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen kann kann nicht negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen verwendet?
Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen gemessen werden kann.
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