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Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors. Überprüfen Sie FAQs
ic=iseVbeVt
ic - Kollektorstrom?is - Sättigungsstrom?Vbe - Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung?Vt - Grenzspannung?

Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert aus:.

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Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
ic=iseVbeVt
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
ic=0.01mAe16.56V2V
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
ic=1E-5Ae16.56V2V
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
ic=1E-5e16.562
Nächster Schritt Auswerten
ic=0.039441943819803A
Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen
ic=39.441943819803mA
Letzter Schritt Rundungsantwort
ic=39.4419mA

Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert Formel Elemente

Variablen
Kollektorstrom
Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Symbol: ic
Messung: Elektrischer StromEinheit: mA
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Sättigungsstrom
Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode bei Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Symbol: is
Messung: Elektrischer StromEinheit: mA
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung
Die Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung ist die Durchlassspannung zwischen Basis und Emitter des Transistors.
Symbol: Vbe
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Grenzspannung
Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.
Symbol: Vt
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Andere Formeln zum Finden von Kollektorstrom

​ge Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors
ic=Va'Rout

Andere Formeln in der Kategorie Emitter-Folger

​ge Drain-Widerstand des Kaskodenverstärkers
Rd=(Avogmp2Rout)
​ge Äquivalenter Widerstand des Kaskodenverstärkers
Rdg=(1Rout1+1Rin)-1
​ge Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf
Afo=-gmp(gmsRout)(1Rout1+1Rsm)-1
​ge Verstärkung der Ausgangsspannung des MOS-Kaskodenverstärkers
Avo=-gmp2RoutRd

Wie wird Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert ausgewertet?

Der Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert-Evaluator verwendet Collector Current = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung), um Kollektorstrom, Der Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert, ist ein Strom, der durch den Lastwiderstand fließt und zu einem großen Spannungsabfall an diesem führt. Somit führt eine kleine Eingangsspannung zu einer großen Ausgangsspannung, was zeigt, dass der Transistor als Verstärker arbeitet auszuwerten. Kollektorstrom wird durch das Symbol ic gekennzeichnet.

Wie wird Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert zu verwenden, geben Sie Sättigungsstrom (is), Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung (Vbe) & Grenzspannung (Vt) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert

Wie lautet die Formel zum Finden von Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert?
Die Formel von Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert wird als Collector Current = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 39049.49 = 1E-05*e^(16.56/2).
Wie berechnet man Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert?
Mit Sättigungsstrom (is), Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung (Vbe) & Grenzspannung (Vt) können wir Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert mithilfe der Formel - Collector Current = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung) finden.
Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Kollektorstrom?
Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Kollektorstrom-
  • Collector Current=Early Voltage/Finite Output ResistanceOpenImg
Kann Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert negativ sein?
NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert kann kann nicht negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert verwendet?
Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert gemessen werden kann.
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