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Kollektor-Basis-Kapazität Formel

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Die Kollektor-Basiskapazität ist einfach die Kapazität der Kollektor-Basis-Verbindung, einschließlich des flachen unteren Teils der Verbindung und der Seitenwände. Überprüfen Sie FAQs

C cb = A \cdot \sqrt{\frac{q \cdot ε \cdot N b}{2 \cdot (ψ o + V rb)}}

C_cb - Kollektorbasiskapazität?A - Emitterbasis-Verbindungsbereich?q - Aufladung?ε - Permittivität?N_b - Dopingdichte?ψ_o - Eingebautes Potenzial?V_rb - Reverse-Bias-Kreuzung?

Kollektor-Basis-Kapazität Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Kollektor-Basis-Kapazität aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Kollektor-Basis-Kapazität aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Kollektor-Basis-Kapazität aus:.

138.6693 = 1.75 \cdot \sqrt{\frac{5 \cdot 71 \cdot 26}{2 \cdot (4.8 + 2.55)}}

138.6693μF = 1.75cm² \cdot \sqrt{\frac{5mC \cdot 71F/m \cdot 26electrons/m³}{2 \cdot (4.8V + 2.55A)}}

138.6693 = 1.75 \cdot \sqrt{\frac{5 \cdot 71 \cdot 26}{2 \cdot (4.8 + 2.55)}}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Kollektor-Basis-Kapazität Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Kollektor-Basis-Kapazität?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

C cb = A \cdot \sqrt{\frac{q \cdot ε \cdot N b}{2 \cdot (ψ o + V rb)}}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

C cb = 1.75cm² \cdot \sqrt{\frac{5mC \cdot 71F/m \cdot 26electrons/m³}{2 \cdot (4.8V + 2.55A)}}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

C cb = 0.0002m² \cdot \sqrt{\frac{0.005C \cdot 71F/m \cdot 26electrons/m³}{2 \cdot (4.8V + 2.55A)}}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

C cb = 0.0002 \cdot \sqrt{\frac{0.005 \cdot 71 \cdot 26}{2 \cdot (4.8 + 2.55)}}

Nächster Schritt Auswerten

∴

C cb = 0.000138669270808881F

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

C cb = 138.669270808881μF

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

C cb = 138.6693μF

Kollektor-Basis-Kapazität Formel Elemente

Variablen

Funktionen

Kollektorbasiskapazität

Die Kollektor-Basiskapazität ist einfach die Kapazität der Kollektor-Basis-Verbindung, einschließlich des flachen unteren Teils der Verbindung und der Seitenwände.

Symbol: C_cb

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kollektorbasiskapazität

Emitterbasis-Verbindungsbereich

Der Emitter-Basis-Übergangsbereich ist ein PN-Übergang, der zwischen dem stark dotierten P-Typ-Material (Emitter) und dem schwach dotierten N-Typ-Material (Basis) des Transistors gebildet wird.

Symbol: A

Messung: BereichEinheit: cm²

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Emitterbasis-Verbindungsbereich

Aufladung

Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.

Symbol: q

Messung: Elektrische LadungEinheit: mC

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Aufladung

Permittivität

Die Permittivität ist eine physikalische Eigenschaft, die beschreibt, wie viel Widerstand ein Material der Bildung eines elektrischen Feldes in seinem Inneren entgegensetzt.

Symbol: ε

Messung: PermittivitätEinheit: F/m

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Permittivität

Dopingdichte

Die Dotierungsdichte ist ein Prozess, bei dem bestimmte Verunreinigungsatome wie Phosphor oder Bor in den Halbleiter eingebracht werden, um dessen elektrische Eigenschaften zu verändern.

Symbol: N_b

Messung: ElektronendichteEinheit: electrons/m³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Dopingdichte

Eingebautes Potenzial

Das eingebaute Potenzial beeinflusst die Größe des Verarmungsbereichs, was wiederum die Kapazität des Übergangs beeinflusst.

Symbol: ψ_o

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Eingebautes Potenzial

Reverse-Bias-Kreuzung

Reverse Bias Junction bezieht sich auf den Zustand in einem Halbleiterbauelement, bei dem die an der Verbindungsstelle angelegte Spannung dem normalen Stromfluss durch das Bauelement entgegenwirkt.

Symbol: V_rb

Messung: Elektrischer StromEinheit: A

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Reverse-Bias-Kreuzung

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

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ge Gespeicherte Elektronenladung in der Basis von BJT

Q n = 𝛕 F \cdot I c

ge Kleinsignal-Diffusionskapazität

C eb = 𝛕 F \cdot G m

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Wie wird Kollektor-Basis-Kapazität ausgewertet?

Der Kollektor-Basis-Kapazität-Evaluator verwendet Collector Base Capacitance = Emitterbasis-Verbindungsbereich*sqrt((Aufladung*Permittivität*Dopingdichte)/(2*(Eingebautes Potenzial+Reverse-Bias-Kreuzung))), um Kollektorbasiskapazität, Die Formel für die Kollektor-Basis-Kapazität ist in einem Bipolartransistor (BJT) definiert und bezieht sich auf die Kapazität zwischen dem Kollektor und den Basisanschlüssen des Transistors. Diese Kapazität entsteht durch die Verarmungszone und die Ladungsspeicherung innerhalb des Transistors auszuwerten. Kollektorbasiskapazität wird durch das Symbol C_cb gekennzeichnet.

Wie wird Kollektor-Basis-Kapazität mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Kollektor-Basis-Kapazität zu verwenden, geben Sie Emitterbasis-Verbindungsbereich (A), Aufladung (q), Permittivität (ε), Dopingdichte (N_b), Eingebautes Potenzial (ψ_o) & Reverse-Bias-Kreuzung (V_rb) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Kollektor-Basis-Kapazität

Wie lautet die Formel zum Finden von Kollektor-Basis-Kapazität?

Die Formel von Kollektor-Basis-Kapazität wird als Collector Base Capacitance = Emitterbasis-Verbindungsbereich*sqrt((Aufladung*Permittivität*Dopingdichte)/(2*(Eingebautes Potenzial+Reverse-Bias-Kreuzung))) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 1.4E+8 = 0.000175*sqrt((0.005*71*26)/(2*(4.8+2.55))).

Wie berechnet man Kollektor-Basis-Kapazität?

Mit Emitterbasis-Verbindungsbereich (A), Aufladung (q), Permittivität (ε), Dopingdichte (N_b), Eingebautes Potenzial (ψ_o) & Reverse-Bias-Kreuzung (V_rb) können wir Kollektor-Basis-Kapazität mithilfe der Formel - Collector Base Capacitance = Emitterbasis-Verbindungsbereich*sqrt((Aufladung*Permittivität*Dopingdichte)/(2*(Eingebautes Potenzial+Reverse-Bias-Kreuzung))) finden. Diese Formel verwendet auch Quadratwurzel (sqrt) Funktion(en).

Kann Kollektor-Basis-Kapazität negativ sein?

NEIN, der in Kapazität gemessene Kollektor-Basis-Kapazität kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Kollektor-Basis-Kapazität verwendet?

Kollektor-Basis-Kapazität wird normalerweise mit Mikrofarad[μF] für Kapazität gemessen. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Kollektor-Basis-Kapazität gemessen werden kann.

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