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Kanalwiderstand Formel

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Der Kanalwiderstand bezieht sich auf den Widerstand, den das Halbleitermaterial im Kanal bietet, durch den der Strom zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt. Überprüfen Sie FAQs

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

R_ch - Kanalwiderstand?L_t - Transistorlänge?W_t - Breite des Transistors?μ_n - Elektronenmobilität?Q_on - Trägerdichte?

Kanalwiderstand Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Kanalwiderstand aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Kanalwiderstand aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Kanalwiderstand aus:.

3.4632 = \frac{3.2}{5.5} \cdot \frac{1}{30 \cdot 0.0056}

3.4632Ω = \frac{3.2μm}{5.5μm} \cdot \frac{1}{30m²/V*s \cdot 0.0056electrons/m³}

3.4632 = \frac{3.2}{5.5} \cdot \frac{1}{30 \cdot 0.0056}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Kanalwiderstand Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Kanalwiderstand?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

R ch = \frac{3.2μm}{5.5μm} \cdot \frac{1}{30m²/V*s \cdot 0.0056electrons/m³}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

R ch = \frac{3.2E-6m}{5.5E-6m} \cdot \frac{1}{30m²/V*s \cdot 0.0056electrons/m³}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

R ch = \frac{3.2E-6}{5.5E-6} \cdot \frac{1}{30 \cdot 0.0056}

Nächster Schritt Auswerten

∴

R ch = 3.46320346320346Ω

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

R ch = 3.4632Ω

Kanalwiderstand Formel Elemente

Variablen

Kanalwiderstand

Der Kanalwiderstand bezieht sich auf den Widerstand, den das Halbleitermaterial im Kanal bietet, durch den der Strom zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt.

Symbol: R_ch

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: Ω

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kanalwiderstand

Transistorlänge

Die Transistorlänge bezieht sich auf die Länge des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.

Symbol: L_t

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Transistorlänge

Breite des Transistors

Die Transistorbreite bezieht sich auf die Breite des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.

Symbol: W_t

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Breite des Transistors

Elektronenmobilität

Elektronenmobilität beschreibt, wie schnell sich Elektronen als Reaktion auf ein elektrisches Feld durch das Material bewegen können.

Symbol: μ_n

Messung: MobilitätEinheit: m²/V*s

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Elektronenmobilität

Trägerdichte

Die Trägerdichte bezieht sich auf die Anzahl der im Halbleiterkanal vorhandenen Ladungsträger (Elektronen oder Löcher).

Symbol: Q_on

Messung: ElektronendichteEinheit: electrons/m³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Trägerdichte

Andere Formeln in der Kategorie MOS-IC-Herstellung

ge Körpereffekt im MOSFET

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

ge MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

ge Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

ge Ausbreitungszeit

T p = 0.7 \cdot N \cdot (\frac{N + 1}{2}) \cdot R m \cdot C l

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Wie wird Kanalwiderstand ausgewertet?

Der Kanalwiderstand-Evaluator verwendet Channel Resistance = Transistorlänge/Breite des Transistors*1/(Elektronenmobilität*Trägerdichte), um Kanalwiderstand, Die Kanalwiderstandsformel ist definiert als der Widerstand des Halbleitermaterials im Kanal, durch den der Strom zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt auszuwerten. Kanalwiderstand wird durch das Symbol R_ch gekennzeichnet.

Wie wird Kanalwiderstand mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Kanalwiderstand zu verwenden, geben Sie Transistorlänge (L_t), Breite des Transistors (W_t), Elektronenmobilität (μ_n) & Trägerdichte (Q_on) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Kanalwiderstand

Wie lautet die Formel zum Finden von Kanalwiderstand?

Die Formel von Kanalwiderstand wird als Channel Resistance = Transistorlänge/Breite des Transistors*1/(Elektronenmobilität*Trägerdichte) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 3.463203 = 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056).

Wie berechnet man Kanalwiderstand?

Mit Transistorlänge (L_t), Breite des Transistors (W_t), Elektronenmobilität (μ_n) & Trägerdichte (Q_on) können wir Kanalwiderstand mithilfe der Formel - Channel Resistance = Transistorlänge/Breite des Transistors*1/(Elektronenmobilität*Trägerdichte) finden.

Kann Kanalwiderstand negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Widerstand gemessene Kanalwiderstand kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Kanalwiderstand verwendet?

Kanalwiderstand wird normalerweise mit Ohm[Ω] für Elektrischer Widerstand gemessen. Megahm[Ω], Mikroohm[Ω], Volt pro Ampere[Ω] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Kanalwiderstand gemessen werden kann.

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