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Herstellungsprozessparameter von NMOS Formel

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Der Parameter des Herstellungsprozesses ist der Prozess, der mit der Oxidation des Siliziumsubstrats beginnt, bei dem eine relativ dicke Oxidschicht auf der Oberfläche abgeschieden wird. Überprüfen Sie FAQs

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N P \cdot [Permitivity-vacuum]}}{C ox}

γ - Herstellungsprozessparameter?N_P - Dotierungskonzentration des P-Substrats?C_ox - Oxidkapazität?[Charge-e] - Ladung eines Elektrons?[Permitivity-vacuum] - Permittivität des Vakuums?

Herstellungsprozessparameter von NMOS Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Herstellungsprozessparameter von NMOS aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Herstellungsprozessparameter von NMOS aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Herstellungsprozessparameter von NMOS aus:.

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+16 \cdot 8.9E-12}}{2.02}

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2.02μF}

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+16 \cdot 8.9E-12}}{2.02}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Herstellungsprozessparameter von NMOS Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Herstellungsprozessparameter von NMOS?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N P \cdot [Permitivity-vacuum]}}{C ox}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 6E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum]}}{2.02μF}

Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2.02μF}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2E-6F}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+22 \cdot 8.9E-12}}{2E-6}

Nächster Schritt Auswerten

∴

γ = 204.204864690003

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

γ = 204.2049

Herstellungsprozessparameter von NMOS Formel Elemente

Variablen

Konstanten

Funktionen

Herstellungsprozessparameter

Der Parameter des Herstellungsprozesses ist der Prozess, der mit der Oxidation des Siliziumsubstrats beginnt, bei dem eine relativ dicke Oxidschicht auf der Oberfläche abgeschieden wird.

Symbol: γ

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Herstellungsprozessparameter

Dotierungskonzentration des P-Substrats

Die Dotierungskonzentration des P-Substrats ist die Anzahl der dem Substrat hinzugefügten Verunreinigungen. Es handelt sich um die Gesamtkonzentration an Akzeptorionen.

Symbol: N_P

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/cm³

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Dotierungskonzentration des P-Substrats

Oxidkapazität

Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.

Symbol: C_ox

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Oxidkapazität

Ladung eines Elektrons

Die Ladung eines Elektrons ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die elektrische Ladung eines Elektrons darstellt, bei dem es sich um ein Elementarteilchen mit einer negativen elektrischen Ladung handelt.

Symbol: [Charge-e]

Wert: 1.60217662E-19 C

Permittivität des Vakuums

Die Permittivität des Vakuums ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die Fähigkeit eines Vakuums beschreibt, die Übertragung elektrischer Feldlinien zu ermöglichen.

Symbol: [Permitivity-vacuum]

Wert: 8.85E-12 F/m

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

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I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

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Wie wird Herstellungsprozessparameter von NMOS ausgewertet?

Der Herstellungsprozessparameter von NMOS-Evaluator verwendet Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dotierungskonzentration des P-Substrats*[Permitivity-vacuum])/Oxidkapazität, um Herstellungsprozessparameter, Der Herstellungsprozessparameter von NMOS ist der Prozess, der mit der Oxidation des Siliziumsubstrats beginnt, bei dem eine relativ dicke Oxidschicht auf der Oberfläche abgeschieden wird auszuwerten. Herstellungsprozessparameter wird durch das Symbol γ gekennzeichnet.

Wie wird Herstellungsprozessparameter von NMOS mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Herstellungsprozessparameter von NMOS zu verwenden, geben Sie Dotierungskonzentration des P-Substrats (N_P) & Oxidkapazität (C_ox) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Herstellungsprozessparameter von NMOS

Wie lautet die Formel zum Finden von Herstellungsprozessparameter von NMOS?

Die Formel von Herstellungsprozessparameter von NMOS wird als Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dotierungskonzentration des P-Substrats*[Permitivity-vacuum])/Oxidkapazität ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 204.2049 = sqrt(2*[Charge-e]*6E+22*[Permitivity-vacuum])/2.02E-06.

Wie berechnet man Herstellungsprozessparameter von NMOS?

Mit Dotierungskonzentration des P-Substrats (N_P) & Oxidkapazität (C_ox) können wir Herstellungsprozessparameter von NMOS mithilfe der Formel - Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dotierungskonzentration des P-Substrats*[Permitivity-vacuum])/Oxidkapazität finden. Diese Formel verwendet auch die Funktion(en) Ladung eines Elektrons, Permittivität des Vakuums Konstante(n) und Quadratwurzel (sqrt).

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