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Das Gleichtaktunterdrückungsverhältnis ist ein Maß für die Fähigkeit einer elektronischen Schaltung, beispielsweise eines Verstärkers, Rauschen und Interferenzen zu unterdrücken, die beiden Eingangssignalen gemeinsam sind. Überprüfen Sie FAQs
CMRR=gm(11R'1+1R'2)(2ΔgmRfo)
CMRR - Gleichtaktunterdrückungsverhältnis?gm - Steilheit?R'1 - Primärwicklungswiderstand in der Sekundärwicklung?R'2 - Sekundärwicklungswiderstand in der Primärwicklung?Δgm - Änderung der Transkonduktanz?Rfo - Endlicher Ausgangswiderstand?

Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast aus:.

0.0763Edit=0.5Edit(110.09Edit+10.3Edit)(229Edit0.038Edit)
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Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
CMRR=gm(11R'1+1R'2)(2ΔgmRfo)
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
CMRR=0.5mS(110.09+10.3)(229mS0.038)
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
CMRR=0.0005S(1190Ω+1300Ω)(20.029S38Ω)
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
CMRR=0.0005(1190+1300)(20.02938)
Nächster Schritt Auswerten
CMRR=0.0762923076923077
Letzter Schritt Rundungsantwort
CMRR=0.0763

Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast Formel Elemente

Variablen
Gleichtaktunterdrückungsverhältnis
Das Gleichtaktunterdrückungsverhältnis ist ein Maß für die Fähigkeit einer elektronischen Schaltung, beispielsweise eines Verstärkers, Rauschen und Interferenzen zu unterdrücken, die beiden Eingangssignalen gemeinsam sind.
Symbol: CMRR
Messung: NAEinheit: Unitless
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Steilheit
Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Symbol: gm
Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Primärwicklungswiderstand in der Sekundärwicklung
Der Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung ist der Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärspule und die Kapazität im Zusammenhang mit dem Mosfet.
Symbol: R'1
Messung: Elektrischer WiderstandEinheit:
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Sekundärwicklungswiderstand in der Primärwicklung
Der Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung ist der Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärspule und die Kapazität im Zusammenhang mit dem Mosfet.
Symbol: R'2
Messung: Elektrischer WiderstandEinheit:
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Änderung der Transkonduktanz
Die Änderung der Transkonduktanz ist ein Maß für die Fähigkeit eines Geräts, beispielsweise eines Transistors oder einer Vakuumröhre, ein Eingangsspannungssignal in ein Ausgangsstromsignal umzuwandeln.
Symbol: Δgm
Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Endlicher Ausgangswiderstand
Der endliche Ausgangswiderstand ist ein Begriff, der die Eigenschaft einer elektronischen Schaltung oder eines Geräts beschreibt, die die Strommenge begrenzt, die an eine externe Last geliefert werden kann.
Symbol: Rfo
Messung: Elektrischer WiderstandEinheit:
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Andere Formeln zum Finden von Gleichtaktunterdrückungsverhältnis

​ge Gleichtaktunterdrückungsverhältnis des MOSFET bei gegebenem Widerstand
CMRR=2gmRoutΔRDRd
​ge Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast, wenn der Widerstand an den Drains gleich ist
CMRR=(gmRfo)(gmRs)
​ge Gleichtaktunterdrückungsverhältnis des MOSFET bei Transkonduktanz-Fehlanpassungen
CMRR=2gmRoutΔgmgm
​ge Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOSFET
CMRR=modu̲s(AvAcm)

Andere Formeln in der Kategorie Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR)

​ge Gleichtaktsignal des MOSFET bei gegebenem Widerstand
Vcin=2RoutVoutRL
​ge Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOSFET in Dezibel
CMRRdb=modu̲s(20log10(AvAcm(db)))
​ge Gleichtaktsignal des MOSFET bei gegebener Ausgangsspannung an Drain Q2
vo1=2RoutVcinRd
​ge Gleichtakt-Eingangssignal des MOSFET
Vcin=(Itgm)+(2ItRtl)

Wie wird Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast ausgewertet?

Der Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast-Evaluator verwendet Common Mode Rejection Ratio = Steilheit*(1/(1/Primärwicklungswiderstand in der Sekundärwicklung+1/Sekundärwicklungswiderstand in der Primärwicklung))*(2*Änderung der Transkonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand), um Gleichtaktunterdrückungsverhältnis, Das Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit der Stromspiegellast-Formel ist als Metrik definiert, die verwendet wird, um die Fähigkeit des Geräts zu quantifizieren, Gleichtaktsignale zu unterdrücken, dh solche, die gleichzeitig und in Phase an beiden Eingängen erscheinen auszuwerten. Gleichtaktunterdrückungsverhältnis wird durch das Symbol CMRR gekennzeichnet.

Wie wird Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast zu verwenden, geben Sie Steilheit (gm), Primärwicklungswiderstand in der Sekundärwicklung (R'1), Sekundärwicklungswiderstand in der Primärwicklung (R'2), Änderung der Transkonduktanz (Δgm) & Endlicher Ausgangswiderstand (Rfo) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast

Wie lautet die Formel zum Finden von Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast?
Die Formel von Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast wird als Common Mode Rejection Ratio = Steilheit*(1/(1/Primärwicklungswiderstand in der Sekundärwicklung+1/Sekundärwicklungswiderstand in der Primärwicklung))*(2*Änderung der Transkonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.076292 = 0.0005*(1/(1/90+1/300))*(2*0.029*38).
Wie berechnet man Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast?
Mit Steilheit (gm), Primärwicklungswiderstand in der Sekundärwicklung (R'1), Sekundärwicklungswiderstand in der Primärwicklung (R'2), Änderung der Transkonduktanz (Δgm) & Endlicher Ausgangswiderstand (Rfo) können wir Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast mithilfe der Formel - Common Mode Rejection Ratio = Steilheit*(1/(1/Primärwicklungswiderstand in der Sekundärwicklung+1/Sekundärwicklungswiderstand in der Primärwicklung))*(2*Änderung der Transkonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand) finden.
Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Gleichtaktunterdrückungsverhältnis?
Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Gleichtaktunterdrückungsverhältnis-
  • Common Mode Rejection Ratio=(2*Transconductance*Output Resistance)/(Change in Drain Resistance/Drain Resistance)OpenImg
  • Common Mode Rejection Ratio=(Transconductance*Finite Output Resistance)*(Transconductance*Source Resistance)OpenImg
  • Common Mode Rejection Ratio=(2*Transconductance*Output Resistance)/(Change in Transconductance/Transconductance)OpenImg
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