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Das Gleichtaktunterdrückungsverhältnis in DB ist ein Maß für die Fähigkeit einer elektronischen Schaltung, Gleichtaktsignale zu unterdrücken. Dabei handelt es sich um Signale, die an beiden Eingangsanschlüssen der Schaltung auftreten. Überprüfen Sie FAQs
CMRRdb=modu̲s(Ad)modu̲s(Acm(db))
CMRRdb - Gleichtaktunterdrückungsverhältnis in DB?Ad - Differenzverstärkungs-DB?Acm(db) - Gleichtaktverstärkungs-DB?

Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle Beispiel

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Mit Einheiten
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So sieht die Gleichung Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle aus:.

18.913Edit=modu̲s(4.35Edit)modu̲s(0.23Edit)
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Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
CMRRdb=modu̲s(Ad)modu̲s(Acm(db))
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
CMRRdb=modu̲s(4.35dB)modu̲s(0.23dB)
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
CMRRdb=modu̲s(4.35)modu̲s(0.23)
Nächster Schritt Auswerten
CMRRdb=18.9130434782609dB
Letzter Schritt Rundungsantwort
CMRRdb=18.913dB

Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle Formel Elemente

Variablen
Funktionen
Gleichtaktunterdrückungsverhältnis in DB
Das Gleichtaktunterdrückungsverhältnis in DB ist ein Maß für die Fähigkeit einer elektronischen Schaltung, Gleichtaktsignale zu unterdrücken. Dabei handelt es sich um Signale, die an beiden Eingangsanschlüssen der Schaltung auftreten.
Symbol: CMRRdb
Messung: LärmEinheit: dB
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Differenzverstärkungs-DB
Die Differenzverstärkung db ist ein Maß für die Verstärkung einer Schaltung für Differenzsignale, bei denen es sich um Signale handelt, die an den beiden Eingangsanschlüssen mit entgegengesetzter Polarität auftreten.
Symbol: Ad
Messung: KlangEinheit: dB
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Gleichtaktverstärkungs-DB
Die Gleichtaktverstärkung dB bezieht sich auf den Grad, mit dem ein Verstärker oder eine elektronische Schaltung ein Signal verstärkt, das sowohl den Eingangs- als auch den Ausgangsanschlüssen der Schaltung gemeinsam ist.
Symbol: Acm(db)
Messung: LärmEinheit: dB
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
modulus
Der Modul einer Zahl ist der Rest, wenn diese Zahl durch eine andere Zahl geteilt wird.
Syntax: modulus

Andere Formeln zum Finden von Gleichtaktunterdrückungsverhältnis in DB

​ge Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOSFET in Dezibel
CMRRdb=modu̲s(20log10(AvAcm(db)))

Andere Formeln in der Kategorie Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR)

​ge Gleichtaktunterdrückungsverhältnis des MOSFET bei gegebenem Widerstand
CMRR=2gmRoutΔRDRd
​ge Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast
CMRR=gm(11R'1+1R'2)(2ΔgmRfo)
​ge Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast, wenn der Widerstand an den Drains gleich ist
CMRR=(gmRfo)(gmRs)
​ge Gleichtaktsignal des MOSFET bei gegebenem Widerstand
Vcin=2RoutVoutRL

Wie wird Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle ausgewertet?

Der Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle-Evaluator verwendet Common Mode Rejection Ratio in DB = (modulus(Differenzverstärkungs-DB))/(modulus(Gleichtaktverstärkungs-DB)), um Gleichtaktunterdrückungsverhältnis in DB, Die Formel für das Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von Transistoren mit MOS-gesteuerter Quelle ist als Metrik definiert, die verwendet wird, um die Fähigkeit des Geräts zu quantifizieren, Gleichtaktsignale zu unterdrücken, dh solche, die gleichzeitig und in Phase an beiden Eingängen erscheinen auszuwerten. Gleichtaktunterdrückungsverhältnis in DB wird durch das Symbol CMRRdb gekennzeichnet.

Wie wird Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle zu verwenden, geben Sie Differenzverstärkungs-DB (Ad) & Gleichtaktverstärkungs-DB (Acm(db)) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle

Wie lautet die Formel zum Finden von Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle?
Die Formel von Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle wird als Common Mode Rejection Ratio in DB = (modulus(Differenzverstärkungs-DB))/(modulus(Gleichtaktverstärkungs-DB)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 18.91304 = (modulus(4.35))/(modulus(0.23)).
Wie berechnet man Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle?
Mit Differenzverstärkungs-DB (Ad) & Gleichtaktverstärkungs-DB (Acm(db)) können wir Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle mithilfe der Formel - Common Mode Rejection Ratio in DB = (modulus(Differenzverstärkungs-DB))/(modulus(Gleichtaktverstärkungs-DB)) finden. Diese Formel verwendet auch Modul (Modul) Funktion(en).
Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Gleichtaktunterdrückungsverhältnis in DB?
Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Gleichtaktunterdrückungsverhältnis in DB-
  • Common Mode Rejection Ratio in DB=modulus(20*log10((Voltage Gain)/(Common Mode Gain DB)))OpenImg
Kann Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle negativ sein?
Ja, der in Lärm gemessene Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle kann dürfen negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle verwendet?
Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle wird normalerweise mit Dezibel[dB] für Lärm gemessen. Neper[dB], MilliDezibel[dB] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle gemessen werden kann.
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