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Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Formel

geEingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers Formel

geEingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt Formel

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Die Eingangsoffsetspannung ist die Spannung, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen des Operationsverstärkers angelegt werden muss, um am Ausgang Null Volt zu erhalten. Überprüfen Sie FAQs

V os = \sqrt{{(\frac{ΔR c}{R c})}^{2} + {(\frac{I sc}{I s})}^{2}}

V_os - Eingangs-Offsetspannung?ΔR_c - Änderung des Kollektorwiderstands?R_c - Sammlerwiderstand?I_sc - Sättigungsstrom für Gleichstrom?I_s - Sättigungsstrom?

Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom aus:.

3.5439 = \sqrt{{(\frac{1.805}{0.51})}^{2} + {(\frac{0.8}{4.38})}^{2}}

3.5439V = \sqrt{{(\frac{1.805kΩ}{0.51kΩ})}^{2} + {(\frac{0.8mA}{4.38mA})}^{2}}

3.5439 = \sqrt{{(\frac{1.805}{0.51})}^{2} + {(\frac{0.8}{4.38})}^{2}}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

V os = \sqrt{{(\frac{ΔR c}{R c})}^{2} + {(\frac{I sc}{I s})}^{2}}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

V os = \sqrt{{(\frac{1.805kΩ}{0.51kΩ})}^{2} + {(\frac{0.8mA}{4.38mA})}^{2}}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

V os = \sqrt{{(\frac{1805Ω}{510Ω})}^{2} + {(\frac{0.0008A}{0.0044A})}^{2}}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

V os = \sqrt{{(\frac{1805}{510})}^{2} + {(\frac{0.0008}{0.0044})}^{2}}

Nächster Schritt Auswerten

∴

V os = 3.54392552301277V

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

V os = 3.5439V

Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Formel Elemente

Variablen

Funktionen

Eingangs-Offsetspannung

Die Eingangsoffsetspannung ist die Spannung, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen des Operationsverstärkers angelegt werden muss, um am Ausgang Null Volt zu erhalten.

Symbol: V_os

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Eingangs-Offsetspannung

Änderung des Kollektorwiderstands

Die Änderung des Kollektorwiderstands ist die Zunahme oder Abnahme des Widerstands, der durch den Kollektorbereich verläuft.

Symbol: ΔR_c

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Änderung des Kollektorwiderstands

Sammlerwiderstand

Der Kollektorwiderstand ist der Widerstand gegen den Stromfluss im Kollektor des Transistors.

Symbol: R_c

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Sammlerwiderstand

Sättigungsstrom für Gleichstrom

Der Sättigungsstrom für Gleichstrom ist die Leckstromdichte des Transistors in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der einen Transistor von einem anderen unterscheidet.

Symbol: I_sc

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Sättigungsstrom für Gleichstrom

Sättigungsstrom

Der Sättigungsstrom in einem MOSFET ist der maximale Strom, der durch das Gerät fließen kann, wenn es vollständig eingeschaltet ist oder sich im Sättigungsmodus befindet.

Symbol: I_s

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Sättigungsstrom

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

Andere Formeln zum Finden von Eingangs-Offsetspannung

ge Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers

V os = \frac{V o}{A d}

ge Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt

V os = (\frac{V ov}{2}) \cdot (\frac{WL}{WL 1})

ge Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

V os = V t \cdot (\frac{I sc}{I s})

Andere Formeln in der Kategorie Differentialkonfiguration

ge Maximaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers

V cmr = V t + V L - (\frac{1}{2} \cdot R L)

ge Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers

V cmr = V t + V ov + V gs - V L

ge Eingangsspannung des MOS-Differenzverstärkers im Kleinsignalbetrieb

V in = V cm + (\frac{1}{2} \cdot V is)

ge Transkonduktanz eines MOS-Differenzverstärkers im Kleinsignalbetrieb

g m = \frac{I t}{V ov}

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Wie wird Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom ausgewertet?

Der Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom-Evaluator verwendet Input Offset Voltage = sqrt((Änderung des Kollektorwiderstands/Sammlerwiderstand)^2+(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom)^2), um Eingangs-Offsetspannung, Die Gesamteingangs-Offsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei gegebener Sättigungsstromformel ist definiert als die Spannung, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen des Operationsverstärkers angelegt werden muss, um null Volt am Ausgang zu erhalten. Idealerweise sollte der Ausgang des Operationsverstärkers auf Null Volt liegen, wenn die Eingänge geerdet sind. in Wirklichkeit liegen die Eingangsanschlüsse auf leicht unterschiedlichen Gleichspannungspotentialen auszuwerten. Eingangs-Offsetspannung wird durch das Symbol V_os gekennzeichnet.

Wie wird Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom zu verwenden, geben Sie Änderung des Kollektorwiderstands (ΔR_c), Sammlerwiderstand (R_c), Sättigungsstrom für Gleichstrom (I_sc) & Sättigungsstrom (I_s) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

Wie lautet die Formel zum Finden von Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom?

Die Formel von Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom wird als Input Offset Voltage = sqrt((Änderung des Kollektorwiderstands/Sammlerwiderstand)^2+(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom)^2) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.297865 = sqrt((1805/510)^2+(0.0008/0.00438)^2).

Wie berechnet man Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom?

Mit Änderung des Kollektorwiderstands (ΔR_c), Sammlerwiderstand (R_c), Sättigungsstrom für Gleichstrom (I_sc) & Sättigungsstrom (I_s) können wir Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom mithilfe der Formel - Input Offset Voltage = sqrt((Änderung des Kollektorwiderstands/Sammlerwiderstand)^2+(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom)^2) finden. Diese Formel verwendet auch Quadratwurzel (sqrt) Funktion(en).

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Eingangs-Offsetspannung?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Eingangs-Offsetspannung-

Input Offset Voltage=Output DC Offset Voltage/Differential Gain
Input Offset Voltage=(Effective Voltage/2)*(Aspect Ratio/Aspect Ratio 1)
Input Offset Voltage=Threshold Voltage*(Saturation Current for DC/Saturation Current)

Kann Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom negativ sein?

Ja, der in Elektrisches Potenzial gemessene Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom verwendet?

Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom gemessen werden kann.

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Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Beispiel

Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Lösung

Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Formel Elemente

Andere Formeln zum Finden von Eingangs-Offsetspannung

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Wie wird Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom ausgewertet?

FAQs An Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

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