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Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz Formel

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Als effektive Spannung oder Übersteuerungsspannung wird der Überschuss der Spannung am Oxid gegenüber der thermischen Spannung bezeichnet. Überprüfen Sie FAQs

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{i ds}{k' n \cdot (\frac{W c}{L})}}

V_ov - Effektive Spannung?i_ds - Sättigungsstrom?k'_n - Transkonduktanzparameter verarbeiten?W_c - Breite des Kanals?L - Länge des Kanals?

Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz aus:.

0.1229 = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721}{0.2 \cdot (\frac{10.15}{3.25})}}

0.1229V = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721mA}{0.2A/V² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm})}}

0.1229 = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721}{0.2 \cdot (\frac{10.15}{3.25})}}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{i ds}{k' n \cdot (\frac{W c}{L})}}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721mA}{0.2A/V² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm})}}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{0.0047A}{0.2A/V² \cdot (\frac{1E-5m}{3.3E-6m})}}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{0.0047}{0.2 \cdot (\frac{1E-5}{3.3E-6})}}

Nächster Schritt Auswerten

∴

V ov = 0.122949186508306V

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

V ov = 0.1229V

Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz Formel Elemente

Variablen

Funktionen

Effektive Spannung

Als effektive Spannung oder Übersteuerungsspannung wird der Überschuss der Spannung am Oxid gegenüber der thermischen Spannung bezeichnet.

Symbol: V_ov

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Effektive Spannung

Sättigungsstrom

Der Sättigungs-Drain-Strom ist als Strom unterhalb des Schwellenwerts definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.

Symbol: i_ds

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Sättigungsstrom

Transkonduktanzparameter verarbeiten

Der Transkonduktanzparameter des Prozesses ist das Produkt der Mobilität der Elektronen im Kanal und der Oxidkapazität.

Symbol: k'_n

Messung: SteilheitsparameterEinheit: A/V²

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Transkonduktanzparameter verarbeiten

Breite des Kanals

Die Kanalbreite ist die Abmessung des Kanals des MOSFET.

Symbol: W_c

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Breite des Kanals

Länge des Kanals

Die Länge des Kanals L, also der Abstand zwischen den beiden -p-Übergängen.

Symbol: L

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Länge des Kanals

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

Andere Formeln in der Kategorie Eigenschaften des Transistorverstärkers

ge Gesamte momentane Drain-Spannung

V d = V fc - R d \cdot i d

ge Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

ge Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

i ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot {(V ov)}^{2}

ge Eingangsspannung im Transistor

V fc = R d \cdot i d - V d

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Wie wird Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz ausgewertet?

Der Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz-Evaluator verwendet Effective Voltage = sqrt(2*Sättigungsstrom/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals))), um Effektive Spannung, Die Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz ist die an einem Gerät oder System angelegte Spannung unter Berücksichtigung etwaiger Spannungsabfälle entlang des Schaltungspfads auszuwerten. Effektive Spannung wird durch das Symbol V_ov gekennzeichnet.

Wie wird Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz zu verwenden, geben Sie Sättigungsstrom (i_ds), Transkonduktanzparameter verarbeiten (k'_n), Breite des Kanals (W_c) & Länge des Kanals (L) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz

Wie lautet die Formel zum Finden von Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz?

Die Formel von Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz wird als Effective Voltage = sqrt(2*Sättigungsstrom/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals))) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.122949 = sqrt(2*0.004721/(0.2*(1.015E-05/3.25E-06))).

Wie berechnet man Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz?

Mit Sättigungsstrom (i_ds), Transkonduktanzparameter verarbeiten (k'_n), Breite des Kanals (W_c) & Länge des Kanals (L) können wir Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz mithilfe der Formel - Effective Voltage = sqrt(2*Sättigungsstrom/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals))) finden. Diese Formel verwendet auch Quadratwurzel (sqrt) Funktion(en).

Kann Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz verwendet?

Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz gemessen werden kann.

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