Gate-zu-Basis-Kapazität Formel

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Die Gate-Basis-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen dem Gate und der Basis der MOSFET-Verbindung beobachtet wird. Überprüfen Sie FAQs
Cgb=Cg-(Cgs+Cgd)
Cgb - Gate-zu-Basis-Kapazität?Cg - Gate-Kapazität?Cgs - Gate-Source-Kapazität?Cgd - Gate-to-Drain-Kapazität?

Gate-zu-Basis-Kapazität Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Gate-zu-Basis-Kapazität aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Gate-zu-Basis-Kapazität aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Gate-zu-Basis-Kapazität aus:.

35Edit=59.61Edit-(14.61Edit+10Edit)
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Gate-zu-Basis-Kapazität Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Gate-zu-Basis-Kapazität?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
Cgb=Cg-(Cgs+Cgd)
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
Cgb=59.61μF-(14.61μF+10μF)
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
Cgb=6E-5F-(1.5E-5F+1E-5F)
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
Cgb=6E-5-(1.5E-5+1E-5)
Nächster Schritt Auswerten
Cgb=3.5E-05F
Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen
Cgb=35μF

Gate-zu-Basis-Kapazität Formel Elemente

Variablen
Gate-zu-Basis-Kapazität
Die Gate-Basis-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen dem Gate und der Basis der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.
Symbol: Cgb
Messung: KapazitätEinheit: μF
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Gate-Kapazität
Die Gate-Kapazität ist die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.
Symbol: Cg
Messung: KapazitätEinheit: μF
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Gate-Source-Kapazität
Die Gate-Source-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Source des MOSFET-Übergangs beobachtet wird.
Symbol: Cgs
Messung: KapazitätEinheit: μF
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Gate-to-Drain-Kapazität
Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.
Symbol: Cgd
Messung: KapazitätEinheit: μF
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Andere Formeln in der Kategorie Analoges VLSI-Design

​ge Drain Voltage
Vbc=PdfC
​ge Gate-zu-Kanal-Spannung
Vgc=(QchCg)+Vt
​ge Gate-to-Collector-Potenzial
Vgc=Vgs+Vgd2
​ge Gate-to-Drain-Kapazität
Cgd=Cg-(Cgb+Cgs)

Wie wird Gate-zu-Basis-Kapazität ausgewertet?

Der Gate-zu-Basis-Kapazität-Evaluator verwendet Gate to Base Capacitance = Gate-Kapazität-(Gate-Source-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität), um Gate-zu-Basis-Kapazität, Die Gate-zu-Basis-Kapazitätsformel ist definiert als die Kapazität, die zwischen dem Gate und der Basis der MOSFET-Verbindung beobachtet wird auszuwerten. Gate-zu-Basis-Kapazität wird durch das Symbol Cgb gekennzeichnet.

Wie wird Gate-zu-Basis-Kapazität mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Gate-zu-Basis-Kapazität zu verwenden, geben Sie Gate-Kapazität (Cg), Gate-Source-Kapazität (Cgs) & Gate-to-Drain-Kapazität (Cgd) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Gate-zu-Basis-Kapazität

Wie lautet die Formel zum Finden von Gate-zu-Basis-Kapazität?
Die Formel von Gate-zu-Basis-Kapazität wird als Gate to Base Capacitance = Gate-Kapazität-(Gate-Source-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 3.5E+7 = 5.961E-05-(1.461E-05+1E-05).
Wie berechnet man Gate-zu-Basis-Kapazität?
Mit Gate-Kapazität (Cg), Gate-Source-Kapazität (Cgs) & Gate-to-Drain-Kapazität (Cgd) können wir Gate-zu-Basis-Kapazität mithilfe der Formel - Gate to Base Capacitance = Gate-Kapazität-(Gate-Source-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität) finden.
Kann Gate-zu-Basis-Kapazität negativ sein?
NEIN, der in Kapazität gemessene Gate-zu-Basis-Kapazität kann kann nicht negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Gate-zu-Basis-Kapazität verwendet?
Gate-zu-Basis-Kapazität wird normalerweise mit Mikrofarad[μF] für Kapazität gemessen. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gate-zu-Basis-Kapazität gemessen werden kann.
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