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Gate-to-Drain-Kapazität Formel

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Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird. Überprüfen Sie FAQs

C gd = C g - (C gb + C gs)

C_gd - Gate-to-Drain-Kapazität?C_g - Gate-Kapazität?C_gb - Gate-zu-Basis-Kapazität?C_gs - Gate-Source-Kapazität?

Gate-to-Drain-Kapazität Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Gate-to-Drain-Kapazität aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Gate-to-Drain-Kapazität aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Gate-to-Drain-Kapazität aus:.

10 = 59.61 - (35 + 14.61)

10μF = 59.61μF - (35μF + 14.61μF)

10 = 59.61 - (35 + 14.61)

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Gate-to-Drain-Kapazität Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Gate-to-Drain-Kapazität?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

C gd = C g - (C gb + C gs)

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

C gd = 59.61μF - (35μF + 14.61μF)

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

C gd = 6E-5F - (3.5E-5F + 1.5E-5F)

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

C gd = 6E-5 - (3.5E-5 + 1.5E-5)

Nächster Schritt Auswerten

∴

C gd = 1E-05F

Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

C gd = 10μF

Gate-to-Drain-Kapazität Formel Elemente

Variablen

Gate-to-Drain-Kapazität

Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.

Symbol: C_gd

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-to-Drain-Kapazität

Gate-Kapazität

Die Gate-Kapazität ist die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.

Symbol: C_g

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-Kapazität

Gate-zu-Basis-Kapazität

Die Gate-Basis-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen dem Gate und der Basis der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.

Symbol: C_gb

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-zu-Basis-Kapazität

Gate-Source-Kapazität

Die Gate-Source-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Source des MOSFET-Übergangs beobachtet wird.

Symbol: C_gs

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-Source-Kapazität

Andere Formeln in der Kategorie Analoges VLSI-Design

ge Drain Voltage

V bc = \sqrt{\frac{P d}{f \cdot C}}

ge Gate-zu-Basis-Kapazität

C gb = C g - (C gs + C gd)

ge Gate-zu-Kanal-Spannung

V gc = (\frac{Q ch}{C g}) + V t

ge Gate-to-Collector-Potenzial

V gc = \frac{V gs + V gd}{2}

Mehr sehen OpenImg

Wie wird Gate-to-Drain-Kapazität ausgewertet?

Der Gate-to-Drain-Kapazität-Evaluator verwendet Gate to Drain Capacitance = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-Source-Kapazität), um Gate-to-Drain-Kapazität, Die Gate-Drain-Kapazitätsformel ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird auszuwerten. Gate-to-Drain-Kapazität wird durch das Symbol C_gd gekennzeichnet.

Wie wird Gate-to-Drain-Kapazität mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Gate-to-Drain-Kapazität zu verwenden, geben Sie Gate-Kapazität (C_g), Gate-zu-Basis-Kapazität (C_gb) & Gate-Source-Kapazität (C_gs) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Gate-to-Drain-Kapazität

Wie lautet die Formel zum Finden von Gate-to-Drain-Kapazität?

Die Formel von Gate-to-Drain-Kapazität wird als Gate to Drain Capacitance = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-Source-Kapazität) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 9.6E+6 = 5.961E-05-(3.5E-05+1.461E-05).

Wie berechnet man Gate-to-Drain-Kapazität?

Mit Gate-Kapazität (C_g), Gate-zu-Basis-Kapazität (C_gb) & Gate-Source-Kapazität (C_gs) können wir Gate-to-Drain-Kapazität mithilfe der Formel - Gate to Drain Capacitance = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-Source-Kapazität) finden.

Kann Gate-to-Drain-Kapazität negativ sein?

NEIN, der in Kapazität gemessene Gate-to-Drain-Kapazität kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Gate-to-Drain-Kapazität verwendet?

Gate-to-Drain-Kapazität wird normalerweise mit Mikrofarad[μF] für Kapazität gemessen. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gate-to-Drain-Kapazität gemessen werden kann.

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Gate-to-Drain-Kapazität Formel

Gate-to-Drain-Kapazität Beispiel

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FAQs An Gate-to-Drain-Kapazität

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