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Gate-Source-Spannung im Kleinsignal Formel

geGate-Source-Spannung im Verhältnis zum Kleinsignalwiderstand Formel

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Die kritische Spannung ist die minimale Phase der Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Außenleiters leuchtet und auftritt. Überprüfen Sie FAQs

V c = \frac{V in}{1 + R si \cdot g m}

V_c - Kritische Spannung?V_in - Eingangsspannung?R_si - Selbstinduzierter Widerstand?g_m - Steilheit?

Gate-Source-Spannung im Kleinsignal Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Gate-Source-Spannung im Kleinsignal aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Gate-Source-Spannung im Kleinsignal aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Gate-Source-Spannung im Kleinsignal aus:.

1.1534 = \frac{9.4}{1 + 14.3 \cdot 0.5}

1.1534V = \frac{9.4V}{1 + 14.3kΩ \cdot 0.5mS}

1.1534 = \frac{9.4}{1 + 14.3 \cdot 0.5}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Gate-Source-Spannung im Kleinsignal Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Gate-Source-Spannung im Kleinsignal?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

V c = \frac{V in}{1 + R si \cdot g m}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

V c = \frac{9.4V}{1 + 14.3kΩ \cdot 0.5mS}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

V c = \frac{9.4V}{1 + 14300Ω \cdot 0.0005S}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

V c = \frac{9.4}{1 + 14300 \cdot 0.0005}

Nächster Schritt Auswerten

∴

V c = 1.15337423312883V

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

V c = 1.1534V

Gate-Source-Spannung im Kleinsignal Formel Elemente

Variablen

Kritische Spannung

Die kritische Spannung ist die minimale Phase der Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Außenleiters leuchtet und auftritt.

Symbol: V_c

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kritische Spannung

Eingangsspannung

Die Eingangsspannung ist die am Eingang des Transistors erfasste Spannung.

Symbol: V_in

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Eingangsspannung

Selbstinduzierter Widerstand

Der selbstinduzierte Widerstand ist der Innenwiderstand, der aufgrund der Anwesenheit der eigenen Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) des FET entsteht.

Symbol: R_si

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Selbstinduzierter Widerstand

Steilheit

Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.

Symbol: g_m

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Steilheit

Andere Formeln zum Finden von Kritische Spannung

ge Gate-Source-Spannung im Verhältnis zum Kleinsignalwiderstand

V c = V in \cdot (\frac{\frac{1}{g m}}{(\frac{1}{g m}) \cdot (\frac{R s \cdot r o}{R s + r o})})

Andere Formeln in der Kategorie Kleinsignalanalyse

ge Transkonduktanz bei gegebenen Kleinsignalparametern

g m = 2 \cdot K n \cdot (V gsq - V t)

ge Ausgangsspannung des Kleinsignal-P-Kanals

V out = g m \cdot V sg \cdot (\frac{R out \cdot R d}{R d + R out})

ge Kleinsignal-Spannungsverstärkung in Bezug auf den Drain-Widerstand

A v = (g m \cdot (\frac{R out \cdot R d}{R out + R d}))

ge Kleinsignal-Ausgangsspannung

V out = g m \cdot V sg \cdot R L

Mehr sehen OpenImg

Wie wird Gate-Source-Spannung im Kleinsignal ausgewertet?

Der Gate-Source-Spannung im Kleinsignal-Evaluator verwendet Critical Voltage = Eingangsspannung/(1+Selbstinduzierter Widerstand*Steilheit), um Kritische Spannung, Die Formel für die Gate-Source-Spannung in Kleinsignalen ist definiert als die Spannung zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen, wenn sich das Gerät in seinem linearen Bereich befindet auszuwerten. Kritische Spannung wird durch das Symbol V_c gekennzeichnet.

Wie wird Gate-Source-Spannung im Kleinsignal mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Gate-Source-Spannung im Kleinsignal zu verwenden, geben Sie Eingangsspannung (V_in), Selbstinduzierter Widerstand (R_si) & Steilheit (g_m) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Gate-Source-Spannung im Kleinsignal

Wie lautet die Formel zum Finden von Gate-Source-Spannung im Kleinsignal?

Die Formel von Gate-Source-Spannung im Kleinsignal wird als Critical Voltage = Eingangsspannung/(1+Selbstinduzierter Widerstand*Steilheit) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 1.153374 = 9.4/(1+14300*0.0005).

Wie berechnet man Gate-Source-Spannung im Kleinsignal?

Mit Eingangsspannung (V_in), Selbstinduzierter Widerstand (R_si) & Steilheit (g_m) können wir Gate-Source-Spannung im Kleinsignal mithilfe der Formel - Critical Voltage = Eingangsspannung/(1+Selbstinduzierter Widerstand*Steilheit) finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Kritische Spannung?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Kritische Spannung-

Critical Voltage=Input Voltage*((1/Transconductance)/((1/Transconductance)*((Source Resistance*Small Signal Resistance)/(Source Resistance+Small Signal Resistance))))

Kann Gate-Source-Spannung im Kleinsignal negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Gate-Source-Spannung im Kleinsignal kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Gate-Source-Spannung im Kleinsignal verwendet?

Gate-Source-Spannung im Kleinsignal wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gate-Source-Spannung im Kleinsignal gemessen werden kann.

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