Gate-Source-Kapazität Formel

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Die Gate-Source-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Source des MOSFET-Übergangs beobachtet wird. Überprüfen Sie FAQs
Cgs=Cg-(Cgb+Cgd)
Cgs - Gate-Source-Kapazität?Cg - Gate-Kapazität?Cgb - Gate-zu-Basis-Kapazität?Cgd - Gate-to-Drain-Kapazität?

Gate-Source-Kapazität Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Gate-Source-Kapazität aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Gate-Source-Kapazität aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Gate-Source-Kapazität aus:.

14.61Edit=59.61Edit-(35Edit+10Edit)
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Gate-Source-Kapazität Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Gate-Source-Kapazität?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
Cgs=Cg-(Cgb+Cgd)
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
Cgs=59.61μF-(35μF+10μF)
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
Cgs=6E-5F-(3.5E-5F+1E-5F)
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
Cgs=6E-5-(3.5E-5+1E-5)
Nächster Schritt Auswerten
Cgs=1.461E-05F
Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen
Cgs=14.61μF

Gate-Source-Kapazität Formel Elemente

Variablen
Gate-Source-Kapazität
Die Gate-Source-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Source des MOSFET-Übergangs beobachtet wird.
Symbol: Cgs
Messung: KapazitätEinheit: μF
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Gate-Kapazität
Die Gate-Kapazität ist die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.
Symbol: Cg
Messung: KapazitätEinheit: μF
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Gate-zu-Basis-Kapazität
Die Gate-Basis-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen dem Gate und der Basis der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.
Symbol: Cgb
Messung: KapazitätEinheit: μF
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Gate-to-Drain-Kapazität
Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.
Symbol: Cgd
Messung: KapazitätEinheit: μF
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Andere Formeln in der Kategorie Analoges VLSI-Design

​ge Drain Voltage
Vbc=PdfC
​ge Gate-zu-Basis-Kapazität
Cgb=Cg-(Cgs+Cgd)
​ge Gate-zu-Kanal-Spannung
Vgc=(QchCg)+Vt
​ge Gate-to-Collector-Potenzial
Vgc=Vgs+Vgd2

Wie wird Gate-Source-Kapazität ausgewertet?

Der Gate-Source-Kapazität-Evaluator verwendet Gate to Source Capacitance = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität), um Gate-Source-Kapazität, Die Gate-Source-Kapazitätsformel ist definiert als die Kapazität, die zwischen dem Gate und der Source des MOSFET-Übergangs beobachtet wird auszuwerten. Gate-Source-Kapazität wird durch das Symbol Cgs gekennzeichnet.

Wie wird Gate-Source-Kapazität mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Gate-Source-Kapazität zu verwenden, geben Sie Gate-Kapazität (Cg), Gate-zu-Basis-Kapazität (Cgb) & Gate-to-Drain-Kapazität (Cgd) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Gate-Source-Kapazität

Wie lautet die Formel zum Finden von Gate-Source-Kapazität?
Die Formel von Gate-Source-Kapazität wird als Gate to Source Capacitance = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 1.5E+7 = 5.961E-05-(3.5E-05+1E-05).
Wie berechnet man Gate-Source-Kapazität?
Mit Gate-Kapazität (Cg), Gate-zu-Basis-Kapazität (Cgb) & Gate-to-Drain-Kapazität (Cgd) können wir Gate-Source-Kapazität mithilfe der Formel - Gate to Source Capacitance = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität) finden.
Kann Gate-Source-Kapazität negativ sein?
NEIN, der in Kapazität gemessene Gate-Source-Kapazität kann kann nicht negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Gate-Source-Kapazität verwendet?
Gate-Source-Kapazität wird normalerweise mit Mikrofarad[μF] für Kapazität gemessen. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gate-Source-Kapazität gemessen werden kann.
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