Gate-Source-Kapazität Formel

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Die Gate-Source-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MESFET oder anderer Transistortypen besteht. Überprüfen Sie FAQs
Cgs=gm2πfco
Cgs - Gate-Source-Kapazität?gm - Transkonduktanz?fco - Grenzfrequenz?π - Archimedes-Konstante?

Gate-Source-Kapazität Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Gate-Source-Kapazität aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Gate-Source-Kapazität aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Gate-Source-Kapazität aus:.

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Gate-Source-Kapazität Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Gate-Source-Kapazität?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
Cgs=gm2πfco
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
Cgs=0.05S2π30.05Hz
Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten
Cgs=0.05S23.141630.05Hz
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
Cgs=0.0523.141630.05
Nächster Schritt Auswerten
Cgs=0.000264816877024784F
Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen
Cgs=264.816877024784μF
Letzter Schritt Rundungsantwort
Cgs=264.8169μF

Gate-Source-Kapazität Formel Elemente

Variablen
Konstanten
Gate-Source-Kapazität
Die Gate-Source-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MESFET oder anderer Transistortypen besteht.
Symbol: Cgs
Messung: KapazitätEinheit: μF
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Transkonduktanz
Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Drain-Stroms zur Änderung der Gate-Source-Spannung unter der Annahme einer konstanten Drain-Source-Spannung.
Symbol: gm
Messung: SteilheitEinheit: S
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Grenzfrequenz
Die Grenzfrequenz wird als Eckfrequenz definiert und ist eine Grenze im Frequenzgang des Systems, bei der die durch das System fließende Energie eher reduziert als durchgelassen wird.
Symbol: fco
Messung: FrequenzEinheit: Hz
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Archimedes-Konstante
Die Archimedes-Konstante ist eine mathematische Konstante, die das Verhältnis des Umfangs eines Kreises zu seinem Durchmesser darstellt.
Symbol: π
Wert: 3.14159265358979323846264338327950288

Andere Formeln in der Kategorie MESFET-Eigenschaften

​ge Gate-Länge des MESFET
Lgate=Vs4πfco
​ge Grenzfrequenz
fco=Vs4πLgate
​ge Transkonduktanz im MESFET
gm=2Cgsπfco
​ge Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET
fm=(ft2)RdRg

Wie wird Gate-Source-Kapazität ausgewertet?

Der Gate-Source-Kapazität-Evaluator verwendet Gate Source Capacitance = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz), um Gate-Source-Kapazität, Die Formel für die Gate-Source-Kapazität ist definiert als eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MESFET oder anderer Transistortypen besteht. Sie stellt die Ladungsmenge dar, die pro zwischen den Anschlüssen angelegter Spannungseinheit im Gate-Source-Bereich des Geräts gespeichert werden kann auszuwerten. Gate-Source-Kapazität wird durch das Symbol Cgs gekennzeichnet.

Wie wird Gate-Source-Kapazität mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Gate-Source-Kapazität zu verwenden, geben Sie Transkonduktanz (gm) & Grenzfrequenz (fco) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Gate-Source-Kapazität

Wie lautet die Formel zum Finden von Gate-Source-Kapazität?
Die Formel von Gate-Source-Kapazität wird als Gate Source Capacitance = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 2.6E+8 = 0.05/(2*pi*30.05).
Wie berechnet man Gate-Source-Kapazität?
Mit Transkonduktanz (gm) & Grenzfrequenz (fco) können wir Gate-Source-Kapazität mithilfe der Formel - Gate Source Capacitance = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz) finden. Diese Formel verwendet auch Archimedes-Konstante .
Kann Gate-Source-Kapazität negativ sein?
NEIN, der in Kapazität gemessene Gate-Source-Kapazität kann kann nicht negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Gate-Source-Kapazität verwendet?
Gate-Source-Kapazität wird normalerweise mit Mikrofarad[μF] für Kapazität gemessen. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gate-Source-Kapazität gemessen werden kann.
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