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Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität Formel

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Die Gate-Source-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET). Überprüfen Sie FAQs

C gs = (\frac{2}{3} \cdot W t \cdot L t \cdot C ox) + (W t \cdot C ov)

C_gs - Gate-Source-Kapazität?W_t - Breite des Transistors?L_t - Transistorlänge?C_ox - Oxidkapazität?C_ov - Überlappungskapazität?

Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität aus:.

13.75 = (\frac{2}{3} \cdot 5.5 \cdot 3.2 \cdot 3.9) + (5.5 \cdot 2.5)

13.75μF = (\frac{2}{3} \cdot 5.5μm \cdot 3.2μm \cdot 3.9F) + (5.5μm \cdot 2.5F)

13.75 = (\frac{2}{3} \cdot 5.5 \cdot 3.2 \cdot 3.9) + (5.5 \cdot 2.5)

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

C gs = (\frac{2}{3} \cdot W t \cdot L t \cdot C ox) + (W t \cdot C ov)

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

C gs = (\frac{2}{3} \cdot 5.5μm \cdot 3.2μm \cdot 3.9F) + (5.5μm \cdot 2.5F)

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

C gs = (\frac{2}{3} \cdot 5.5E-6m \cdot 3.2E-6m \cdot 3.9F) + (5.5E-6m \cdot 2.5F)

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

C gs = (\frac{2}{3} \cdot 5.5E-6 \cdot 3.2E-6 \cdot 3.9) + (5.5E-6 \cdot 2.5)

Nächster Schritt Auswerten

∴

C gs = 1.375004576E-05F

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

C gs = 13.75004576μF

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

C gs = 13.75μF

Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität Formel Elemente

Variablen

Gate-Source-Kapazität

Die Gate-Source-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET).

Symbol: C_gs

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-Source-Kapazität

Breite des Transistors

Die Transistorbreite bezieht sich auf die Breite des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.

Symbol: W_t

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Breite des Transistors

Transistorlänge

Die Transistorlänge bezieht sich auf die Länge des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.

Symbol: L_t

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Transistorlänge

Oxidkapazität

Die Oxidkapazität bezeichnet die Kapazität, die mit der isolierenden Oxidschicht in einer Metall-Oxid-Halbleiterstruktur (MOS) wie beispielsweise in MOSFETs verbunden ist.

Symbol: C_ox

Messung: KapazitätEinheit: F

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Oxidkapazität

Überlappungskapazität

Die Überlappungskapazität ist eine parasitäre Kapazität, die durch die physikalische Überlappung zwischen den Gate- und den Source-/Drain-Bereichen entsteht.

Symbol: C_ov

Messung: KapazitätEinheit: F

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Überlappungskapazität

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Wie wird Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität ausgewertet?

Der Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität-Evaluator verwendet Gate Source Capacitance = (2/3*Breite des Transistors*Transistorlänge*Oxidkapazität)+(Breite des Transistors*Überlappungskapazität), um Gate-Source-Kapazität, Die Formel für die Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität ist definiert als die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen auszuwerten. Gate-Source-Kapazität wird durch das Symbol C_gs gekennzeichnet.

Wie wird Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität zu verwenden, geben Sie Breite des Transistors (W_t), Transistorlänge (L_t), Oxidkapazität (C_ox) & Überlappungskapazität (C_ov) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität

Wie lautet die Formel zum Finden von Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität?

Die Formel von Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität wird als Gate Source Capacitance = (2/3*Breite des Transistors*Transistorlänge*Oxidkapazität)+(Breite des Transistors*Überlappungskapazität) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 1.4E-5 = (2/3*5.5E-06*3.2E-06*3.9)+(5.5E-06*2.5).

Wie berechnet man Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität?

Mit Breite des Transistors (W_t), Transistorlänge (L_t), Oxidkapazität (C_ox) & Überlappungskapazität (C_ov) können wir Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität mithilfe der Formel - Gate Source Capacitance = (2/3*Breite des Transistors*Transistorlänge*Oxidkapazität)+(Breite des Transistors*Überlappungskapazität) finden.

Kann Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität negativ sein?

NEIN, der in Kapazität gemessene Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität verwendet?

Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität wird normalerweise mit Mikrofarad[μF] für Kapazität gemessen. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität gemessen werden kann.

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