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Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET Formel

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Die Kanalbreite bezieht sich auf den Frequenzbereich, der zur Übertragung von Daten über einen drahtlosen Kommunikationskanal verwendet wird. Sie wird auch als Bandbreite bezeichnet und in Hertz (Hz) gemessen. Überprüfen Sie FAQs

W c = \frac{C oc}{C ox \cdot L ov}

W_c - Kanalbreite?C_oc - Überlappungskapazität?C_ox - Oxidkapazität?L_ov - Überlappungslänge?

Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET aus:.

9.957 = \frac{3.8E-7}{940 \cdot 40.6}

9.957μm = \frac{3.8E-7μF}{940μF \cdot 40.6μm}

9.957 = \frac{3.8E-7}{940 \cdot 40.6}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

W c = \frac{C oc}{C ox \cdot L ov}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

W c = \frac{3.8E-7μF}{940μF \cdot 40.6μm}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

W c = \frac{3.8E-13F}{0.0009F \cdot 4.1E-5m}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

W c = \frac{3.8E-13}{0.0009 \cdot 4.1E-5}

Nächster Schritt Auswerten

∴

W c = 9.95702756524473E-06m

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

W c = 9.95702756524473μm

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

W c = 9.957μm

Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET Formel Elemente

Variablen

Kanalbreite

Symbol: W_c

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kanalbreite

Überlappungskapazität

Unter Überlappungskapazität versteht man die Kapazität, die zwischen zwei leitenden Bereichen entsteht, die nahe beieinander liegen, aber nicht direkt verbunden sind.

Symbol: C_oc

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Überlappungskapazität

Oxidkapazität

Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.

Symbol: C_ox

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Oxidkapazität

Überlappungslänge

Die Überlappungslänge ist die durchschnittliche Entfernung, die die überschüssigen Träger zurücklegen können, bevor sie sich wieder verbinden.

Symbol: L_ov

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Überlappungslänge

Andere Formeln in der Kategorie Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell

ge Maximale Spannungsverstärkung am Vorspannungspunkt

A vm = 2 \cdot \frac{V dd - V eff}{V eff}

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Wie wird Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET ausgewertet?

Der Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET-Evaluator verwendet Channel Width = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge), um Kanalbreite, Die Formel für die Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET ist definiert als das Verhältnis der Breite der Gate-Elektrode zur Breite der Source-Elektrode, ausgedrückt als Prozentsatz auszuwerten. Kanalbreite wird durch das Symbol W_c gekennzeichnet.

Wie wird Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET zu verwenden, geben Sie Überlappungskapazität (C_oc), Oxidkapazität (C_ox) & Überlappungslänge (L_ov) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET

Wie lautet die Formel zum Finden von Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET?

Die Formel von Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET wird als Channel Width = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 1E+7 = 3.8E-13/(0.00094*4.06E-05).

Wie berechnet man Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET?

Mit Überlappungskapazität (C_oc), Oxidkapazität (C_ox) & Überlappungslänge (L_ov) können wir Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET mithilfe der Formel - Channel Width = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge) finden.

Kann Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET negativ sein?

NEIN, der in Länge gemessene Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET verwendet?

Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET wird normalerweise mit Mikrometer[μm] für Länge gemessen. Meter[μm], Millimeter[μm], Kilometer[μm] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET gemessen werden kann.

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