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Gate-Oxid-Kapazität Formel

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Die Kapazität der Gate-Oxidschicht ist definiert als die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors. Überprüfen Sie FAQs

C ox = \frac{C g}{W g \cdot L g}

C_ox - Kapazität der Gate-Oxidschicht?C_g - Gate-Kapazität?W_g - Torbreite?L_g - Torlänge?

Gate-Oxid-Kapazität Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Gate-Oxid-Kapazität aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Gate-Oxid-Kapazität aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Gate-Oxid-Kapazität aus:.

29.8371 = \frac{59.61}{0.285 \cdot 7.01}

29.8371μF/mm² = \frac{59.61μF}{0.285mm \cdot 7.01mm}

29.8371 = \frac{59.61}{0.285 \cdot 7.01}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Gate-Oxid-Kapazität Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Gate-Oxid-Kapazität?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

C ox = \frac{C g}{W g \cdot L g}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

C ox = \frac{59.61μF}{0.285mm \cdot 7.01mm}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

C ox = \frac{6E-5F}{0.0003m \cdot 0.007m}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

C ox = \frac{6E-5}{0.0003 \cdot 0.007}

Nächster Schritt Auswerten

∴

C ox = 29.8370748554696F/m²

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

C ox = 29.8370748554696μF/mm²

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

C ox = 29.8371μF/mm²

Gate-Oxid-Kapazität Formel Elemente

Variablen

Kapazität der Gate-Oxidschicht

Die Kapazität der Gate-Oxidschicht ist definiert als die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.

Symbol: C_ox

Messung: Oxidkapazität pro FlächeneinheitEinheit: μF/mm²

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kapazität der Gate-Oxidschicht

Gate-Kapazität

Die Gate-Kapazität ist die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.

Symbol: C_g

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-Kapazität

Torbreite

Die Gate-Breite bezieht sich auf den Abstand zwischen der Kante einer Metall-Gate-Elektrode und dem angrenzenden Halbleitermaterial in einem CMOS.

Symbol: W_g

Messung: LängeEinheit: mm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Torbreite

Torlänge

Die Torlänge ist das Maß oder die Ausdehnung von etwas von einem Ende zum anderen.

Symbol: L_g

Messung: LängeEinheit: mm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Torlänge

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Wie wird Gate-Oxid-Kapazität ausgewertet?

Der Gate-Oxid-Kapazität-Evaluator verwendet Capacitance of Gate Oxide Layer = Gate-Kapazität/(Torbreite*Torlänge), um Kapazität der Gate-Oxidschicht, Die Gate-Oxidkapazitätsformel ist definiert als die Kapazität der Oxidschicht der MOSFETs. Es ist das Maß für die Kapazität der dünnen Isolierschicht (Gate-Oxid), die den Gate-Anschluss vom Kanalbereich trennt auszuwerten. Kapazität der Gate-Oxidschicht wird durch das Symbol C_ox gekennzeichnet.

Wie wird Gate-Oxid-Kapazität mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Gate-Oxid-Kapazität zu verwenden, geben Sie Gate-Kapazität (C_g), Torbreite (W_g) & Torlänge (L_g) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Gate-Oxid-Kapazität

Wie lautet die Formel zum Finden von Gate-Oxid-Kapazität?

Die Formel von Gate-Oxid-Kapazität wird als Capacitance of Gate Oxide Layer = Gate-Kapazität/(Torbreite*Torlänge) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 29.83707 = 5.961E-05/(0.000285*0.00701).

Wie berechnet man Gate-Oxid-Kapazität?

Mit Gate-Kapazität (C_g), Torbreite (W_g) & Torlänge (L_g) können wir Gate-Oxid-Kapazität mithilfe der Formel - Capacitance of Gate Oxide Layer = Gate-Kapazität/(Torbreite*Torlänge) finden.

Kann Gate-Oxid-Kapazität negativ sein?

NEIN, der in Oxidkapazität pro Flächeneinheit gemessene Gate-Oxid-Kapazität kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Gate-Oxid-Kapazität verwendet?

Gate-Oxid-Kapazität wird normalerweise mit Mikrofarad pro Quadratmillimeter[μF/mm²] für Oxidkapazität pro Flächeneinheit gemessen. Farad pro Quadratmeter[μF/mm²], Nanofarad pro Quadratzentimeter[μF/mm²], Mikrofarad pro Quadratzentimeter[μF/mm²] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gate-Oxid-Kapazität gemessen werden kann.

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