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Gate-Metallisierungswiderstand Formel

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Der Gate-Metallisierungswiderstand ist definiert als der Widerstand der Metallisierung eines FET-Gate-Streifens, der dazu führt, dass ein nichtlinearer Widerstand in Reihe mit dem Gate-Übergang geschaltet wird. Überprüfen Sie FAQs

R g = (\frac{R d \cdot {f co}^{2}}{4 \cdot {f m}^{2}}) - (R s + R i)

R_g - Gate-Metallisierungswiderstand?R_d - Abflusswiderstand?f_co - Grenzfrequenz?f_m - Maximale Schwingungsfrequenz?R_s - Quellenwiderstand?R_i - Eingangswiderstand?

Gate-Metallisierungswiderstand Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Gate-Metallisierungswiderstand aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Gate-Metallisierungswiderstand aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Gate-Metallisierungswiderstand aus:.

2.7944 = (\frac{450 \cdot {30.05}^{2}}{4 \cdot 65^{2}}) - (5.75 + 15.5)

2.7944Ω = (\frac{450Ω \cdot {30.05Hz}^{2}}{4 \cdot {65Hz}^{2}}) - (5.75Ω + 15.5Ω)

2.7944 = (\frac{450 \cdot {30.05}^{2}}{4 \cdot 65^{2}}) - (5.75 + 15.5)

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Gate-Metallisierungswiderstand Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Gate-Metallisierungswiderstand?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

R g = (\frac{R d \cdot {f co}^{2}}{4 \cdot {f m}^{2}}) - (R s + R i)

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

R g = (\frac{450Ω \cdot {30.05Hz}^{2}}{4 \cdot {65Hz}^{2}}) - (5.75Ω + 15.5Ω)

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

R g = (\frac{450 \cdot {30.05}^{2}}{4 \cdot 65^{2}}) - (5.75 + 15.5)

Nächster Schritt Auswerten

∴

R g = 2.79444526627219Ω

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

R g = 2.7944Ω

Gate-Metallisierungswiderstand Formel Elemente

Variablen

Gate-Metallisierungswiderstand

Symbol: R_g

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: Ω

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-Metallisierungswiderstand

Abflusswiderstand

Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.

Symbol: R_d

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: Ω

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Abflusswiderstand

Grenzfrequenz

Die Grenzfrequenz wird als Eckfrequenz definiert und ist eine Grenze im Frequenzgang des Systems, bei der die durch das System fließende Energie eher reduziert als durchgelassen wird.

Symbol: f_co

Messung: FrequenzEinheit: Hz

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Grenzfrequenz

Maximale Schwingungsfrequenz

Die maximale Schwingungsfrequenz ist als praktische Obergrenze für einen sinnvollen Schaltungsbetrieb mit MESFET definiert.

Symbol: f_m

Messung: FrequenzEinheit: Hz

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Maximale Schwingungsfrequenz

Quellenwiderstand

Der Quellenwiderstand ist ein Maß dafür, wie sehr diese Quelle der Last entgegenwirkt, wenn sie ihr Strom entzieht.

Symbol: R_s

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: Ω

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Quellenwiderstand

Eingangswiderstand

Der Eingangswiderstand ist definiert als der gesamte Innenwiderstand, den der MESFET erfährt.

Symbol: R_i

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: Ω

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Eingangswiderstand

Andere Formeln in der Kategorie MESFET-Eigenschaften

ge Gate-Länge des MESFET

L gate = \frac{V s}{4 \cdot π \cdot f co}

ge Grenzfrequenz

f co = \frac{V s}{4 \cdot π \cdot L gate}

ge Transkonduktanz im MESFET

g m = 2 \cdot C gs \cdot π \cdot f co

ge Gate-Source-Kapazität

C gs = \frac{g m}{2 \cdot π \cdot f co}

Mehr sehen OpenImg

Wie wird Gate-Metallisierungswiderstand ausgewertet?

Der Gate-Metallisierungswiderstand-Evaluator verwendet Gate Metallization Resistance = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand), um Gate-Metallisierungswiderstand, Die Formel für den Gate-Metallisierungswiderstand ist definiert als der Widerstand, der mit den Metallkontakten verbunden ist, die auf dem Halbleitermaterial abgeschieden werden, um die Gate-Elektrode zu bilden auszuwerten. Gate-Metallisierungswiderstand wird durch das Symbol R_g gekennzeichnet.

Wie wird Gate-Metallisierungswiderstand mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Gate-Metallisierungswiderstand zu verwenden, geben Sie Abflusswiderstand (R_d), Grenzfrequenz (f_co), Maximale Schwingungsfrequenz (f_m), Quellenwiderstand (R_s) & Eingangswiderstand (R_i) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Gate-Metallisierungswiderstand

Wie lautet die Formel zum Finden von Gate-Metallisierungswiderstand?

Die Formel von Gate-Metallisierungswiderstand wird als Gate Metallization Resistance = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 2.794445 = ((450*30.05^2)/(4*65^2))-(5.75+15.5).

Wie berechnet man Gate-Metallisierungswiderstand?

Mit Abflusswiderstand (R_d), Grenzfrequenz (f_co), Maximale Schwingungsfrequenz (f_m), Quellenwiderstand (R_s) & Eingangswiderstand (R_i) können wir Gate-Metallisierungswiderstand mithilfe der Formel - Gate Metallization Resistance = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand) finden.

Kann Gate-Metallisierungswiderstand negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Widerstand gemessene Gate-Metallisierungswiderstand kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Gate-Metallisierungswiderstand verwendet?

Gate-Metallisierungswiderstand wird normalerweise mit Ohm[Ω] für Elektrischer Widerstand gemessen. Megahm[Ω], Mikroohm[Ω], Volt pro Ampere[Ω] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gate-Metallisierungswiderstand gemessen werden kann.

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