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Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum Formel

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Als Gate-Strom wird definiert, wenn zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen keine Spannung anliegt und aufgrund der sehr hohen Drain-Source-Impedanz außer dem Leckstrom kein Strom im Drain fließt. Überprüfen Sie FAQs

i g = (\frac{P st}{V bc}) - (i st + i con + i j)

i_g - Gate-Strom?P_st - Statische CMOS-Leistung?V_bc - Basiskollektorspannung?i_st - Unterschwelliger Strom?i_con - Konflikt aktuell?i_j - Kreuzungsstrom?

Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum aus:.

4.5015 = (\frac{67.37}{2.02}) - (1.6 + 25.75 + 1.5)

4.5015mA = (\frac{67.37mW}{2.02V}) - (1.6mA + 25.75mA + 1.5mA)

4.5015 = (\frac{67.37}{2.02}) - (1.6 + 25.75 + 1.5)

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

i g = (\frac{P st}{V bc}) - (i st + i con + i j)

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

i g = (\frac{67.37mW}{2.02V}) - (1.6mA + 25.75mA + 1.5mA)

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

i g = (\frac{0.0674W}{2.02V}) - (0.0016A + 0.0258A + 0.0015A)

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

i g = (\frac{0.0674}{2.02}) - (0.0016 + 0.0258 + 0.0015)

Nächster Schritt Auswerten

∴

i g = 0.00450148514851485A

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

i g = 4.50148514851485mA

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

i g = 4.5015mA

Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum Formel Elemente

Variablen

Gate-Strom

Symbol: i_g

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-Strom

Statische CMOS-Leistung

Die statische CMOS-Leistung ist definiert als der Leckstrom aufgrund des sehr geringen statischen Stromverbrauchs in CMOS-Geräten.

Symbol: P_st

Messung: LeistungEinheit: mW

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Statische CMOS-Leistung

Basiskollektorspannung

Die Basiskollektorspannung ist ein entscheidender Parameter bei der Transistorvorspannung. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Basis- und Kollektoranschlüssen des Transistors, wenn dieser sich in seinem aktiven Zustand befindet.

Symbol: V_bc

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Basiskollektorspannung

Unterschwelliger Strom

Der Subthreshold-Strom ist ein Leckstrom unterhalb des Thresholds durch ausgeschaltete Transistoren.

Symbol: i_st

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Unterschwelliger Strom

Konflikt aktuell

Der Konkurrenzstrom ist definiert als der Konkurrenzstrom, der in den proportionalen Stromkreisen auftritt.

Symbol: i_con

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Konflikt aktuell

Kreuzungsstrom

Der Sperrschichtstrom ist ein Sperrschichtleckstrom aus Source/Drain-Diffusionen.

Symbol: i_j

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kreuzungsstrom

Andere Formeln in der Kategorie CMOS-Leistungsmetriken

ge Aktivitätsfaktor

α = \frac{P s}{C \cdot {V bc}^{2} \cdot f}

ge Schaltleistung

P s = α \cdot (C \cdot {V bc}^{2} \cdot f)

ge Dynamische Leistung im CMOS

P dyn = P sc + P s

ge Kurzschlussstrom im CMOS

P sc = P dyn - P s

Mehr sehen OpenImg

Wie wird Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum ausgewertet?

Der Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum-Evaluator verwendet Gate Current = (Statische CMOS-Leistung/Basiskollektorspannung)-(Unterschwelliger Strom+Konflikt aktuell+Kreuzungsstrom), um Gate-Strom, Die Formel für den Gate-Leckstrom durch das Gate-Dielektrikum wird berechnet, wenn zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen keine Spannung anliegt und außer dem Leckstrom kein Strom im Drain fließt. Dies liegt an einer sehr hohen Drain-Source-Impedanz auszuwerten. Gate-Strom wird durch das Symbol i_g gekennzeichnet.

Wie wird Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum zu verwenden, geben Sie Statische CMOS-Leistung (P_st), Basiskollektorspannung (V_bc), Unterschwelliger Strom (i_st), Konflikt aktuell (i_con) & Kreuzungsstrom (i_j) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum

Wie lautet die Formel zum Finden von Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum?

Die Formel von Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum wird als Gate Current = (Statische CMOS-Leistung/Basiskollektorspannung)-(Unterschwelliger Strom+Konflikt aktuell+Kreuzungsstrom) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 25131.49 = (0.06737/2.02)-(0.0016+0.02575+0.0015).

Wie berechnet man Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum?

Mit Statische CMOS-Leistung (P_st), Basiskollektorspannung (V_bc), Unterschwelliger Strom (i_st), Konflikt aktuell (i_con) & Kreuzungsstrom (i_j) können wir Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum mithilfe der Formel - Gate Current = (Statische CMOS-Leistung/Basiskollektorspannung)-(Unterschwelliger Strom+Konflikt aktuell+Kreuzungsstrom) finden.

Kann Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum verwendet?

Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum gemessen werden kann.

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