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Drain-Strom 1 ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird. Überprüfen Sie FAQs
Id1=Ib2+IbVovVid2
Id1 - Strom ableiten 1?Ib - DC-Vorstrom?Vov - Overdrive-Spannung?Vid - Differenzielles Eingangssignal?

Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung Beispiel

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Mit Einheiten
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So sieht die Gleichung Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung aus:.

497.2356Edit=985Edit2+985Edit3.12Edit0.03Edit2
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Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
Id1=Ib2+IbVovVid2
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
Id1=985mA2+985mA3.12V0.03V2
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
Id1=0.985A2+0.985A3.12V0.03V2
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
Id1=0.9852+0.9853.120.032
Nächster Schritt Auswerten
Id1=0.497235576923077A
Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen
Id1=497.235576923077mA
Letzter Schritt Rundungsantwort
Id1=497.2356mA

Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung Formel Elemente

Variablen
Strom ableiten 1
Drain-Strom 1 ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.
Symbol: Id1
Messung: Elektrischer StromEinheit: mA
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
DC-Vorstrom
Der DC-Vorspannungsstrom ist der konstante Strom, der durch einen Schaltkreis oder ein Gerät fließt, um einen bestimmten Arbeitspunkt oder Vorspannungspunkt festzulegen.
Symbol: Ib
Messung: Elektrischer StromEinheit: mA
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Overdrive-Spannung
Übersteuerungsspannung ist ein Begriff aus der Elektronik und bezieht sich auf den an ein Gerät oder eine Komponente angelegten Spannungspegel, der seine normale Betriebsspannung überschreitet.
Symbol: Vov
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Differenzielles Eingangssignal
Ein Differenzeingangssignal bezieht sich auf eine Art elektrisches Signal, das aus zwei separaten Spannungssignalen besteht, die jeweils in Bezug auf einen gemeinsamen Referenzpunkt gemessen werden, der üblicherweise als Erde bezeichnet wird.
Symbol: Vid
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

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Id1=Ib2+IbVovVid21-Vid24Vov2

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It=vicm(1gm)+(2Rout)

Wie wird Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung ausgewertet?

Der Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung-Evaluator verwendet Drain Current 1 = DC-Vorstrom/2+DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2, um Strom ableiten 1, Die Formel für den ersten Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei gegebener Übersteuerungsspannung gibt die Stromleitfähigkeit des Siliziumchips an; Es kann als Orientierungshilfe beim Vergleich verschiedener Geräte verwendet werden. Es sollte jedoch nicht zugelassen werden, dass der Nenn-Maximal-Drain-Strom zum Chip fließt auszuwerten. Strom ableiten 1 wird durch das Symbol Id1 gekennzeichnet.

Wie wird Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung zu verwenden, geben Sie DC-Vorstrom (Ib), Overdrive-Spannung (Vov) & Differenzielles Eingangssignal (Vid) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

Wie lautet die Formel zum Finden von Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung?
Die Formel von Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung wird als Drain Current 1 = DC-Vorstrom/2+DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2 ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 497235.6 = 0.985/2+0.985/3.12*0.03/2.
Wie berechnet man Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung?
Mit DC-Vorstrom (Ib), Overdrive-Spannung (Vov) & Differenzielles Eingangssignal (Vid) können wir Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung mithilfe der Formel - Drain Current 1 = DC-Vorstrom/2+DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2 finden.
Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Strom ableiten 1?
Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Strom ableiten 1-
  • Drain Current 1=DC Bias Current/2+DC Bias Current/Overdrive Voltage*Differential Input Signal/2*sqrt(1-Differential Input Signal^2/(4*Overdrive Voltage^2))OpenImg
Kann Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung negativ sein?
Ja, der in Elektrischer Strom gemessene Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung kann dürfen negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung verwendet?
Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung gemessen werden kann.
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